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열경화성 수지 및 열전도성 무기입자를 포함하는 경화성 수지 조성물에 있어서,상기 열경화성 수지는 에폭시 실란을 산 또는 염기 촉매 하에서 졸-겔 반응(sol-gel reaction)으로 형성되는, 에폭시 실록산 수지이고,상기 열전도성 무기입자는 평균 입경(D50)이 40 내지 70 ㎛인 제1 열전도성 무기입자 및 평균 입경(D50)이 1 내지 10 ㎛인 제2 열전도성 무기입자를 포함하여,상기 제2 열전도성 무기입자가 상기 제1 열전도성 무기입자의 사이에 네트워크를 형성하여 저열팽창성 및 내열성을 갖는 것을 특징으로 하는, 액상 경화성 수지 조성물
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제1 항에 있어서,상기 액상 경화성 수지 조성물은 열팽창계수가 15 내지 22 ppm/℃인 것을 특징으로 하는, 액상 경화성 수지 조성물
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제1 항에 있어서,상기 열전도성 무기입자는 실리카(SiO2), 탄화규소(SiC), 알루미나(Al2O3), 알루미노 실리케이트(alumino silicate), 질화붕소(BN), 질화규소(Si3N4), 질화실리콘(Si3N4) 및 질화알루미늄(AlN) 중 하나 이상인 것을 특징으로 하는, 액상 경화성 수지 조성물
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제1 항에 있어서,상기 에폭시 실록산 수지는 상기 에폭시 실란에 알킬기 또는 아릴기를 갖는 이종 실란을 혼합하여 상기 졸-겔 반응으로 형성되는 것을 특징으로 하는, 액상 경화성 수지 조성물
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열경화성 수지 및 열전도성 무기입자를 포함하는 경화성 수지 조성물의 제조방법에 있어서,에폭시 실란을 산 또는 염기 촉매 하에서 졸-겔 반응(sol-gel reaction)으로 열경화성 수지인 에폭시 실록산 수지를 형성하는 단계; 및상기 에폭시 실록산 수지에 열전도성 무기입자를 혼합하는 단계;를 포함하고,상기 열전도성 무기입자는 평균 입경(D50)이 40 내지 70 ㎛인 제1 열전도성 무기입자 및 평균 입경(D50)이 1 내지 10 ㎛인 제2 열전도성 무기입자를 포함하여,상기 제2 열전도성 무기입자가 상기 제1 열전도성 무기입자의 사이에 네트워크를 형성하여 저열팽창성 및 내열성을 갖는 것을 특징으로 하는, 액상 경화성 수지 조성물의 제조방법
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제5 항에 있어서,상기 액상 경화성 수지 조성물은 열팽창계수가 15 내지 22 ppm/℃인 것을 특징으로 하는, 액상 경화성 수지 조성물의 제조방법
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제5 항에 있어서,상기 열전도성 무기입자는 실리카(SiO2), 탄화규소(SiC), 알루미나(Al2O3), 알루미노 실리케이트(alumino silicate), 질화붕소(BN), 질화규소(Si3N4), 질화실리콘(Si3N4) 및 질화알루미늄(AlN) 중 하나 이상인 것을 특징으로 하는, 액상 경화성 수지 조성물의 제조방법
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제5 항에 있어서,상기 에폭시 실록산 수지를 형성하는 단계는, 상기 에폭시 실란에 알킬기 또는 아릴기를 갖는 이종 실란을 혼합한 후 상기 졸-겔 반응하는 것을 특징으로 하는, 액상 경화성 수지 조성물의 제조방법
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제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 따른 액상 경화성 수지 조성물 또는 이의 경화물을 포함하는 반도체 패키지
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