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플라즈마 원자층 증착법을 이용하여 절삭 공구에 박막을 형성하는 방법

  • 기술번호 : KST2023009263
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 플라즈마 원자층 증착법(Plasma-enhanced Atomic layer deposition, PEALD)을 이용하여 절삭 공구에 박막을 형성하는 방법은 챔버 내로 전구체를 주사하는 제 1 단계, 상기 챔버 내로 제 1 불활성 기체를 퍼지하는 제 2 단계, 상기 챔버 내로 반응체를 주사하여 절삭 공구에 질화티타늄(TiN) 박막을 형성하는 제 3 단계, 및 상기 챔버 내로 제 2 불활성 기체를 퍼지하는 제 4 단계를 포함한다.
Int. CL C23C 16/455 (2006.01.01) C23C 16/34 (2006.01.01)
CPC C23C 16/45555(2013.01) C23C 16/45536(2013.01) C23C 16/45553(2013.01) C23C 16/34(2013.01)
출원번호/일자 1020220043281 (2022.04.07)
출원인 서울과학기술대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0144243 (2023.10.16) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2022.04.07)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울과학기술대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 노원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안지환 서울특별시 성동구
2 심동하 서울특별시 송파구
3 신정우 서울특별시 성동구
4 이재형 서울특별시 노원구
5 고도현 제주특별자치도 서귀포시
6 양병찬 서울특별시 강북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2022.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2022-0372126-76
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번호 청구항
1 1
플라즈마 원자층 증착법(Plasma-enhanced Atomic layer deposition, PEALD)을 이용하여 절삭 공구에 박막을 형성하는 방법에 있어서,챔버 내로 전구체를 주사하는 제 1 단계;상기 챔버 내로 제 1 불활성 기체를 퍼지하는 제 2 단계;상기 챔버 내로 반응체를 주사하여 절삭 공구에 질화티타늄(TiN) 박막을 형성하는 제 3 단계; 및상기 챔버 내로 제 2 불활성 기체를 퍼지하는 제 4 단계를 포함하는 것인, 박막 형성 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제 1 불활성 기체 및 상기 제 2 불활성 기체는 아르곤(Ar)인 것인, 박막 형성 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 전구체는 테트라키스 티타늄(TDMAT)이고,상기 반응체는 질소 플라즈마인 것인, 박막 형성 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 제 3 단계는,상기 반응체에 대한 노출 시간 및 발생 파워를 조절하여 상기 질화티타늄 박막을 형성하는 것인, 박막 형성 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 제 1 단계 내지 상기 제 4 단계를 반복하여 상기 질화티타늄 박막의 두께를 조절하는 단계를 더 포함하는 것인, 박막 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국공장기계산업협회 산업전문인력역량강화사업 고신뢰성 기계부품 설계 전문인력양성