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대면적 박막 스퍼터링 장치 및 이를 이용한 대면적 박막 증착방법

  • 기술번호 : KST2023009389
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기능성 박막의 형성을 위한 박막 증착 기술로, 스퍼터링 타겟의 활용도를 높이면서 대면적 박막의 연속증착이 이루어질 수 있도록 하는 대면적 박막 스퍼터링 장치 및 이를 이용한 대면적 박막 연속 증착방법에 관한 것이다. 본 발명은 챔버와 전원공급부 및 가스시스템이 마련되며, 상기 챔버 내부에 구비되어 박막이 증착되는 기판과, 상기 기판에 증착되는 박막 형성 물질인 타겟 및 상기 타겟 주변에 자기장을 발생시켜 플라즈마 감금 영역을 형성하기 위한 자기장 형성수단이 포함되는 스퍼터링 장치에 있어서, 상기 자기장 형성수단은 상기 기판에 대응되는 복수개의 자석이 배치되되, 폭 방향으로 하나 이상의 동일 극성 자석이 배열되고 길이방향으로 서로 다른 극성의 자석이 번갈아 배열되거나, 길이 방향으로 하나 이상의 동일 극성 자석이 배열되고, 폭 방향으로 서로 다른 극성의 자석이 번갈아 배열되어 타겟에 형성되는 플라즈마 감금 영역이 폭방향 또는 길이방향으로 선형 병렬라인이 형성되도록 한다. 이와 같은 본 발명에 의하면, 타겟의 활용도가 향상되며, 기판에 증착되는 박막이 폭방향으로 균일한 두께 분포를 형성하면서 대면적 박막의 연속 증착이 이루어질 수 있다.
Int. CL C23C 14/35 (2006.01.01) C23C 14/56 (2006.01.01) C23C 14/54 (2018.01.01) H01J 37/34 (2006.01.01)
CPC C23C 14/35(2013.01) C23C 14/562(2013.01) C23C 14/541(2013.01) H01J 37/345(2013.01) H01J 2237/002(2013.01)
출원번호/일자 1020220046495 (2022.04.14)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0147450 (2023.10.23) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김호섭 경상남도 김해시
2 오상수 경상남도 김해시 율하*로 **,

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2022.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2022-0401985-38
2 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2023.03.27 수리 (Accepted) 4-1-2023-5074556-04
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번호 청구항
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챔버와 전원공급부 및 가스시스템이 마련되며, 상기 챔버 내부에 구비되어 박막이 증착되는 기판과, 상기 기판에 증착되는 박막 형성 물질인 타겟 및 상기 타겟 주변에 자기장을 발생시켜 플라즈마 감금 영역을 형성하기 위한 자기장 형성수단이 포함되는 스퍼터링 장치에 있어서, 상기 자기장 형성수단은,상기 기판에 대응되는 복수개의 자석이 배치되되, 폭 방향으로 하나 이상의 동일 극성 자석이 배열되고 길이방향으로 서로 다른 극성의 자석이 번갈아 배열되거나, 길이 방향으로 하나 이상의 동일 극성 자석이 배열되고, 폭 방향으로 서로 다른 극성의 자석이 번갈아 배열되어 타겟에 형성되는 플라즈마 감금 영역이 폭방향 또는 길이방향으로 선형 병렬라인이 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 대면적 박막 스퍼터링 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 자기장 형성수단은,폭 방향으로 동일 극성을 가지는 M개의 자석이 배열되고, 길이방향으로 N 개의 자석이 서로 다른 극성을 가지도록 배열되거나, 폭 방향으로 서로 다른 극성을 가지는 M 개의 자석이 배열되고, 길이방향으로 N 개의 자석이 서로 동일 극성을 가지도록 배열되는 것을 특징으로 하는 대면적 박막 스퍼터링 장치
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 자기장 형성수단은,폭방향으로 배열되는 M 개의 자석이 서로 다른 극성을 가지며, 자석간 이격거리가 폭의 중앙 부분으로 갈수록 넓고 가장자리로 갈수록 좁아지도록 배열되는 것을 특징으로 하는 대면적 박막 스퍼터링 장치
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제 2 항에 있어서, 상기 자기장 형성수단은,복수개의 자석이 수용되는 마그넷 하우징을 더 포함하고, 상기 마그넷 하우징에는 배열된 자석 사이로 냉각수를 순환 유동 시키기 위한 냉각채널이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 대면적 박막 스퍼터링 장치
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제 2 항에 있어서,상기 타겟 일측에는 타겟을 선형왕복운동 시키기 위한 선형액추에이터가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 대면적 박막 스퍼터링 장치
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제 2 항에 있어서,상기 기판은 롤-투-롤 방식으로 공급되며, 상기 기판의 일측에는 전도 냉각을 위한 냉각블럭이 더 구비되고, 상기 타겟은 타겟공급롤과 타겟회수롤에 의해 롤-투-롤 방식으로 공급되는 것을 특징으로 하는 대면적 박막 스퍼터링 장치
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박막 형성을 위한 기판이 공정 챔버 내에 배치되는 기판 공급단계;상기 공정 챔버 내에서 상기 기판에 증착될 박막 형성 물질을 공급하기 위한 타겟이 상기 기판의 일측에 배치되는 타겟 공급단계;상기 공정 챔버 내부로 불활성 가스를 공급하여 이온화 가스가 형성되는 이온화 가스 형성단계;상기 타겟 일측에 구비되는 자기장 형성수단을 이용하여 상기 타겟 주변에 플라즈마 감금 영역을 형성하면서 이온화 가스에 포함된 입자가 타겟과 충돌하여 발생되는 산란입자가 상기 기판에 증착되는 증착단계;를 포함하며,상기 증착단계에서는,상기 기판의 폭과 길이방향에 대응되도록 복수개의 자석이 배치되되, 폭 방향으로 하나 이상의 동일 극성 자석이 배열되고 길이방향으로 서로 다른 극성의 자석이 번갈아 배열되거나, 길이 방향으로 하나 이상의 동일 극성 자석이 배열되고, 폭 방향으로 서로 다른 극성의 자석이 번갈아 배열되어 타겟에 형성되는 플라즈마 감금 영역이 폭방향 또는 길이방향으로 선형 병렬라인이 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 대면적 박막 스퍼터링 장치
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제 7 항에 있어서, 상기 타겟공급단계에서는평판 형상의 타겟이 선형액추에이터에 의해 상기 자기장 형성수단의 상측에서 선형왕복운동 하도록 공급되거나, 롤 형태로 권취된 타겟이 타겟공급롤과 타겟회수롤에 의해 롤-투-롤 방식으로 공급되는 것을 특징으로 하는 대면적 박막 증착방법
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제 7 항에 있어서, 상기 증착단계에는,현재 배열된 자기장 형성수단의 자석 배치에 의해 증착된 박막의 폭방향 두께 분포를 측정하기 위한 두께분포 측정과정과,상기 두께분포 측정과정에서 측정된 박막의 두께 분포가 설정범위를 벗어날 경우 자기장 형성수단의 자석 배열을 조정하는 자석배열 조정과정이 더 포함되며,상기 자석배열 조정과정에서는,박막의 폭방향 두께 분포에 대응하여 폭방향으로 배열된 M 개의 자석의 배치 거리를 조정하되, 두꺼운 증착두께에 대응되는 영역은 배치 거리가 넓게 조정되고, 얇은 증착두께에 대응되는 영역은 배치 거리가 좁게 조정되는 것을 특징으로 하는 대면적 박막 증착방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국전기연구원 국가과학기술연구회연구운영비지원(R&D)(주요사업비) 구리 대비 10배 전도성을 가진 도체 개발을 위한 선행 연구