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기판 상에 게이트 전극, 상기 게이트 전극과 이격되어 배치된 소스와 드레인 전극, 상기 소스와 드레인 전극을 전기적으로 연결하는 채널층 및 상기 게이트 전극과 상기 채널층을 연결하는 이온겔층이 상기 게이트 전극 및 상기 채널층을 덮도록 배치됨을 포함하고,상기 소스 전극은 제1 디스크(disc) 구조로 형성되고, 상기 드레인 전극은 상기 소스 전극과 제1 간격으로 이격되고 상기 소스 전극의 전부 또는 일부를 감싸도록 상기 제1 디스크보다 큰 지름을 갖는 제2 디스크 구조로 형성되고, 상기 게이트 전극은 상기 드레인 전극과 제2 간격으로 이격되고 상기 드레인 전극의 전부 또는 일부분을 감싸도록 상기 제2 디스크보다 큰 지름을 갖는 제3 디스크 구조로 형성된 구조로 형성된 것을 특징으로 하며,상기 채널층은 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이의 제1 간격의 일 부분에 형성된 것인,동일 평면 상의 대칭형 이온 게이트 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 이온겔층은 제4 디스크 구조로 형성되어 배치되며 상기 게이트 전극, 상기 채널층, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 모두 커버하도록 배치된,동일 평면 상의 대칭형 이온 게이트 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 채널층은 IGZO, ITZO 및 ITO 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는,동일 평면 상의 대칭형 이온 게이트 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 이온겔은 EMIM:TSFI(1-Ethyl-3-methylimidazolium bis(trifluoromethylsulfonyl)imide), PEGDA(poly(ethylene glycol) diacrylate), HOMPP(2-hydroxy-2-methyl- propiophenone) 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는,동일 평면 상의 대칭형 이온 게이트 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 채널층의 높이는 30 ㎛ 내지 100 ㎛이며, 너비는 300 ㎛ 내지 1000 ㎛인 것을 특징으로 하고, 상기 너비는 상기 채널층과 상기 드레인 전극과 채널층이 맞닿은 계면의 길이인 것인,동일 평면 상의 대칭형 이온 게이트 트랜지스터
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기판 상에 스퍼터링을 통해 패턴된 채널층을 형성하는 제1 단계;상기 채널층이 형성된 동일 평면 상에 게이트 전극, 상기 게이트 전극과 이격되어 배치된 소스와 드레인 전극을 증착하여 형성하는 제2 단계; 및상기 게이트 전극, 소스와 드레인 전극 및 채널층이 형성된 평면 상에 형성되며 이들의 일부 또는 전부를 커버하도록 배치되는 이온겔을 포함한 게이트 유전층을 형성하는 제3 단계;를 포함하고,상기 채널층은 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이의 제1 간격의 일 부분에 형성되며,상기 게이트 전극, 소스와 드레인 전극은 패터닝되어 형성되는 것을 특징으로 하며, 상기 패터닝은, 상기 소스 전극은 제1 디스크(disc) 구조로 형성되고, 상기 드레인 전극은 상기 소스 전극과 제1 간격으로 이격되고 상기 소스 전극의 전부 또는 일부를 감싸도록 상기 제1 디스크보다 큰 지름을 갖는 제2 디스크 구조로 형성되고, 상기 게이트 전극은 상기 드레인 전극과 제2 간격으로 이격되고 상기 드레인 전극의 전부 또는 일부분을 감싸도록 상기 제2 디스크보다 큰 지름을 갖는 제3 디스크 구조로 형성된 구조로 형성하는 것인,동일 평면 상의 대칭형 이온 게이트 트랜지스터의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 채널층은 IGZO, ITZO 및 ITO 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는,동일 평면 상의 대칭형 이온 게이트 트랜지스터의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 이온겔은 EMIM:TSFI(1-Ethyl-3-methylimidazolium bis(trifluoromethylsulfonyl)imide), PEGDA(poly(ethylene glycol) diacrylate), HOMPP(2-hydroxy-2-methyl- propiophenone) 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는,동일 평면 상의 대칭형 이온 게이트 트랜지스터의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 채널층의 높이는 30 ㎛ 내지 100 ㎛이며, 너비는 300 ㎛ 내지 1000 ㎛인 것을 특징으로 하고, 상기 너비는 상기 채널층과 상기 드레인 전극과 채널층이 맞닿은 계면의 길이인 것인,동일 평면 상의 대칭형 이온 게이트 트랜지스터의 제조방법
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제1항 내지 제5항의 어느 한 항에 따른 동일 평면 상의 대칭형 이온 게이트 트랜지스터를 포함하는, 이온 센서
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제10항에 있어서,상기 이온 센서는 수은 이온을 감지하는 센서인 것을 특징으로 하는,이온 센서,
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