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아일랜드 구조를 포함하는 아일랜드 일체형 기판; 및상기 아일랜드 구조 내에 형성되는 금속 산화물 트랜지스터부;를 포함하고,여기서 상기 금속 산화물 트랜지스터부는,소스 및 드레인 전극;상기 소스 및 드레인 전극 상에 형성되는 채널층;상기 채널층 상에 형성되는 절연막;상기 절연막 상에 형성되는 게이트 전극;을 포함하고,상기 아일랜드 구조는, 게이트 전극 방향에 위치한 윗변의 길이가, 기판 방향에 위치한 아랫변의 길이보다 긴,신축성 트랜지스터 소자
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제1항에 있어서,상기 아일랜드 구조는, 상기 윗변 및 상기 아랫변은 평행하며 상기 윗변 및 상기 아랫변의 말단을 잇는 양 측변의 길이가 동일한,신축성 트랜지스터 소자
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제1항에 있어서,상기 아일랜드 구조의 윗변 및 아랫변의 길이 차이는 8㎛ 내지 13㎛인,신축성 트랜지스터 소자
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제1항에 있어서,상기 아일랜드 구조의 상기 윗변 및 상기 아랫변의 말단을 잇는 측변과, 상기 기판의 사이 각도는 30° 내지 40°인,신축성 트랜지스터 소자
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제1항에 있어서,상기 아일랜드 일체형 기판은 폴리디메틸실록산(PDMS), 폴리이미드(PI), 파릴렌(Parylene) 및 폴리에스테르(Polyester) 중에서 선택되는 하나 이상을 포함하는,신축성 트랜지스터 소자
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제1항에 있어서,상기 채널층은 인듐-갈륨-아연 산화물(IGZO), 인듐-주석-아연 산화물(ITZO), 인듐―주석 산화물(ITO), 및 인듐 산화물(InO) 중에서 선택되는 하나 이상을 포함하고,상기 소스 및 드레인 전극은 인듐-아연 산화물(IZO), 인듐-주석 산화물(ITO), 몰리브덴(Mo) 및 알루미늄(Al) 중에서 선택되는 하나 이상을 포함하고,상기 절연막은 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 하프늄(HfO), 및 이산화 규소(SiO2) 중에서 선택되는 하나 이상을 포함하고,상기 게이트 전극은 크롬(Cr), 금(Au), 몰리브덴(Mo), 및 구리(Cu) 중에서 선택되는 하나 이상을 포함하는,신축성 트랜지스터 소자
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7
캐리어판을 준비하는 단계;상기 캐리어판 상에 게이트 전극을 증착하고 패터닝하는 단계;상기 게이트 전극 상에 절연막을 증착하고 패터닝하는 단계;상기 절연막 상에 채널층을 증착하고 패터닝하는 단계;상기 채널층 상에 소스 및 드레인 전극을 증착하고 패터닝하여 전극부를 형성하는 단계;상기 캐리어판 상에 네거티브 포토레지스트를 코팅하고 상기 전극부와 일정 거리 이격된 언더컷 형태로 패터닝하는 단계;상기 네거티브 포토레지스트 및 상기 전극부 상에 기판 재료를 코팅하는 단계;상기 캐리어판을 제거하는 단계; 및상기 네거티브 포토레지스트를 제거하는 단계;를 포함하고,여기서, 상기 패터닝은 포토리소그래피를 이용하는,신축성 트랜지스터 소자 제조 방법
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8
제7항에 있어서,상기 네거티브 포토레지스트의 언더컷 깊이는 4㎛ 내지 6
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9
제7항에 있어서,상기 네거티브 포토레지스트의 언더컷 및 상기 캐리어판 사이의 각도는 30° 내지 40°인,신축성 트랜지스터 소자
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10
제7항에 있어서,상기 기판 재료는 폴리디메틸실록산(PDMS), 폴리이미드(PI), 파릴렌(Parylene) 및 폴리에스테르(Polyester) 중에서 선택되는 하나 이상을 포함하는,신축성 트랜지스터 소자 제조 방법
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11
제7항에 있어서,상기 채널층은 인듐-갈륨-아연 산화물(IGZO), 인듐-주석-아연 산화물(ITZO), 인듐―주석 산화물(ITO), 및 인듐 산화물(InO) 중에서 선택되는 하나 이상을 포함하고,상기 소스 및 드레인 전극은 인듐-아연 산화물(IZO), 인듐-주석 산화물(ITO), 몰리브덴(Mo) 및 알루미늄(Al) 중에서 선택되는 하나 이상을 포함하고,상기 절연막은 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 하프늄(HfO), 및 이산화 규소(SiO2) 중에서 선택되는 하나 이상을 포함하고,상기 게이트 전극은 크롬(Cr), 금(Au), 몰리브덴(Mo), 및 구리(Cu) 중에서 선택되는 하나 이상을 포함하는,신축성 트랜지스터 소자 제조 방법
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제7항 내지 제11항 중 어느 한 항의 제조 방법에 의해 만들어진,신축성 트랜지스터 소자
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