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하기 화학식 1 내지 화학식 4로 표시되는 화합물을 포함하는 열방성 액정 폴리에스터 형성용 조성물:[화학식 1][화학식 2][화학식 3][화학식 4]상기 화학식 3에서,x는 각각 독립적으로 1 내지 6의 정수이다
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2
제1항에 있어서,상기 x는 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수인, 열방성 액정 폴리에스터 형성용 조성물
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제1항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 4-하이드록시벤조산을 포함하는, 열방성 액정 폴리에스터 형성용 조성물
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4
제1항에 있어서,상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 6-하이드록시-2-나프토산을 포함하는, 열방성 액정 폴리에스터 형성용 조성물
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5
제1항에 있어서,상기 화학식 3으로 표시되는 화합물은 1,4-사이클로헥세인다이메탄올을 포함하는, 열방성 액정 폴리에스터 형성용 조성물
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6
제1항에 있어서,상기 화학식 4로 표시되는 화합물은 테레프탈산 또는 아이소프탈산을 포함하는, 열방성 액정 폴리에스터 형성용 조성물
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7
제1항에 있어서,상기 화학식 1 내지 화학식 4로 표시되는 화합물 총 몰수를 기준으로 할 때, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 60 몰% 내지 90 몰%로 포함되는, 열방성 액정 폴리에스터 형성용 조성물
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8
제1항에 있어서,상기 화학식 1 내지 화학식 4로 표시되는 화합물 총 몰수를 기준으로 할 때, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 5 몰% 내지 30 몰%로 포함되는, 열방성 액정 폴리에스터 형성용 조성물
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9
제1항에 있어서,상기 화학식 1 내지 화학식 4로 표시되는 화합물 총 몰수를 기준으로 할 때, 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 4로 표시되는 화합물은 각각 0
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10
하기 화학식 1로부터 유래된 단위, 하기 화학식 2로부터 유래된 단위, 하기 화학식 3으로부터 유래된 단위, 및 하기 화학식 4로부터 유래된 단위를 포함하는 열방성 액정 폴리에스터를 포함하는 수지 조성물:[화학식 1][화학식 2][화학식 3][화학식 4]상기 화학식 3에서,x는 각각 독립적으로 1 내지 6의 정수이다
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11
제10항에 있어서,상기 열방성 액정 폴리에스터는 시차 주사 열량계(Differential Scanning Calorimetry, DSC)를 이용하여 측정한 유리전이온도가 75 ℃ 이상인, 수지 조성물
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12
제10항에 있어서,상기 열방성 액정 폴리에스터는 열 중량 분석기(Thermogravimetric Analyzer, TGA)에 의해 측정되는 열 분해 개시 온도가 400 ℃ 내지 600 ℃인, 수지 조성물
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13
제10항에 있어서,상기 열방성 액정 폴리에스터는 평행한 레오미터를 이용하여 온도 300 ℃ 및 각 속도 0
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제10항에 있어서,상기 열방성 액정 폴리에스터는 하기 화학식 5 또는 화학식 6으로 표시되는 화합물을 포함하는, 수지 조성물:[화학식 5][화학식 6]상기 화학식 5에서,x1+y1+z1=1일 때, x1은 0
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하기 화학식 1 내지 화학식 4로 표시되는 화합물을 반응시키는 단계를 포함하는 열방성 액정 폴리에스터의 제조방법:[화학식 1][화학식 2][화학식 3][화학식 4]상기 화학식 3에서,x는 각각 독립적으로 1 내지 6의 정수이다
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제10항 내지 제14항에서 선택되는 어느 한 항에 따른 수지 조성물로부터 형성되는 성형품
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