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조혈모세포 또는 전구세포를 탈핵 혈액 세포로 배양하는 단계; 및상기 배양 중인 혈액 세포를 저온 처리하여 유핵 세포를 사멸시키는 단계를 포함하는,탈핵 혈액 세포 중 포함된 유핵 세포의 사멸 유도 방법
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제1항에 있어서,상기 조혈모세포 또는 전구세포는 골수, 제대혈 또는 말초혈액에서 분리되거나, 성체줄기세포, 적혈구 전구세포주, 혈소판 전구세포주, 배아줄기세포 또는 iPS 세포로부터 유래한 것인,유핵 세포의 사멸 유도 방법
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제1항에 있어서,상기 전구세포는 적혈구 전구세포를 포함하고,상기 적혈구 전구세포는 버스트 형성 단위 적혈구(burst forming unit erythroid, BFU-E), 콜로니 형성 단위 적혈구(colony forming unit erythroid, CFU-E), 전적아세포(proerythroblast), 호염기성 적아세포 (basophilic erythroblast), 다염성 적아세포(polychromatic erythroblast), 및 정염성 적아세포(orthochromatic erythroblast)로 이루어진 군에서 선택된 것인, 유핵 세포의 사멸 유도 방법
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제1항에 있어서,상기 탈핵된 혈액 세포는 탈핵 적혈구 세포 또는 탈핵 혈소판 세포를 포함하는 것인,유핵 세포의 사멸 유도 방법
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제4항에 있어서,상기 탈핵 적혈구 세포는 망상 적혈구(reticulocyte) 및 적혈구(erythrocyte)로 이루어진 군에서 선택된 것인,유핵 세포의 사멸 유도 방법
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제1항에 있어서,상기 유핵 세포는 증식에 관련된 유전자를 과발현시킨 적혈구 전구세포 또는 혈소판 전구 세포인,유핵 세포의 사멸 유도 방법
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제6항에 있어서,상기 증식에 관련된 유전자는 HPV16 E6/E7인,유핵 세포의 사멸 유도 방법
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제1항에 있어서,상기 저온 처리 단계는 3일 내지 10일 동안 냉장보관 하는 것인,유핵 세포의 사멸 유도 방법
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제1항에 있어서,상기 저온 처리 단계는 0℃ 이상 15℃ 이하에서 이루어지는 것인,유핵 세포의 사멸 유도 방법
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제1항에 있어서,상기 저온 처리 단계는 0℃ 이상 5℃ 이하에서 이루어지는 것인,유핵 세포의 사멸 유도 방법
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제1항에 있어서,백혈구 제거 필터에 배양 중인 혈액 세포를 통과시키는 단계를 더 포함하는,유핵 세포의 사멸 유도 방법
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제1항에 있어서,배양 중인 혈액 세포에 방사선을 조사하는 단계를 더 포함하는,유핵 세포의 사멸 유도 방법
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제1항에 있어서,뉴클레아제를 처리하는 단계를 더 포함하는,유핵 세포의 사멸 유도 방법
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제1항에 있어서,상기 저온 처리된 세포에서 유핵 세포의 사멸율이 97% 이상인 것인,유핵 세포의 사멸 유도 방법
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