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반도체 기판과 2차원 물질을 이용한 나노미터 크기의 분자 수송 채널

  • 기술번호 : KST2023009550
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은 반도체 기판을 원하는 모양으로 식각하여 패턴을 형성하는 단계; 상기 식각된 패턴 위에 2 차원 물질 직성장하는 단계; 및 상기 직성장된 2 차원 물질을 프리스탠딩(Freestanding)형태로 식각된 패턴 상에 형성하는 단계; 를 포함하는, 분자 수송 채널의 제조 방법에 대한 것이다.
Int. CL B01L 3/00 (2023.01.01)
CPC B01L 3/502(2013.01) B01L 2200/0647(2013.01)
출원번호/일자 1020220046753 (2022.04.15)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0148443 (2023.10.25) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안종열 경기도 수원시 장안구
2 김은혜 경기도 수원시 장안구
3 김현우 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한선희 대한민국 서울시 강남구 논현로 *** 여산빌딩 *층 ***호(온유특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2022.04.15 수리 (Accepted) 1-1-2022-0404649-27
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판을 원하는 모양으로 식각하여 패턴을 형성하는 단계;상기 식각된 패턴 위에 2 차원 물질 직성장하는 단계; 및상기 직성장된 2 차원 물질을 프리스탠딩(Freestanding)형태로 식각된 패턴 상에 형성하는 단계;를 포함하는,분자 수송 채널의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 반도체 기판은 탄화규소(SiC)를 포함하는 것인,분자 수송 채널의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 식각하는 단계는 이온빔 리소그래피(Focused Ion Beam lithography)를 통해 수행되는 것인,분자 수송 채널의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 성균관대학교 방사선이용미래혁신기반기술연구(R&D) 엑스선을 이용한 단분자 수준의 화학 반응 실시간 분석 시스템