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텅스텐 산화물(WO3)을 포함하는 전기 변색층;안티몬이 도핑된 주석 산화물(Antimony-doped Tin Oxide, ATO)를 포함하는 이온 저장층; 및상기 전기 변색층과 상기 이온 저장층 사이에 배치되고, 리튬(Li)을 포함하는 제1 베이스 전해질, 은(Ag)을 포함하는 제2 베이스 전해질, 및 용매가 혼합된 전해질을 포함하되, 상기 전기 변색층에 인가되는 전압을 제어하여 상기 전해질 내 리튬 이온 및 은 이온의 이동을 제어함으로써, 가시광선 파장 대에 대한 투과도 및 근적외선 파장 대에 대한 투과도가 선택적으로 제어되는 전기 변색 소자
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제1 항에 있어서, 상기 전기 변색층에 양(+)의 전압이 인가되는 경우 상기 전해질 내 은 이온이 상기 이온 저장층으로 이동됨으로써, 가시광선 파장 대는 차단하고 근적외선 파장 대는 투과하는 가시광선 차단 모드로 구현되는 전기 변색 소자
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제2 항에 있어서, 상기 전기 변색층에 상대적으로 높은 제1 전압이 1차적으로 인가된 후 상대적으로 낮은 제2 전압이 2차적으로 인가됨에 따라, 상기 가시광선 차단 모드가 구현되는 전기 변색 소자
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제3 항에 있어서, 상기 제1 전압을 인가하는 시간이 1초 초과 5초 미만으로 제어됨에 따라, 상기 가시광선 차단 모드가 구현되는 전기 변색 소자
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제3 항에 있어서, 상기 제1 전압은 +4 V 이상의 크기를 갖는 전기 변색 소자
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제1 항에 있어서, 상기 전기 변색층에 음(-)의 전압이 인가되는 경우,상기 전해질 내 리튬 이온은 상기 전기 변색층으로 이동되고 은 이온은 상기 전해질 내 잔존됨으로써 근적외선 파장 대는 차단하고 가시광선 파장 대는 투과하는 근적외선 차단 모드로 구현되거나,상기 전해질 내 리튬 이온 및 은 이온이 모두 상기 전기 변색층으로 이동됨으로써 근적외선 파장 대 및 가시광선 파장 대를 모두 차단하는 전 파장 차단 모드로 구현되는 전기 변색 소자
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제6 항에 있어서, 상기 전 파장 차단 모드로 구현되기 위해 상기 전기 변색층에 인가되는 전압보다 상대적으로 낮은 제3 전압이 상기 전기 변색층에 인가되는 경우, 상기 근적외선 차단 모드로 구현되는 전기 변색 소자
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8
제6 항에 있어서,상기 근적외선 차단 모드로 구현되기 위해 상기 전기 변색층에 인가되는 전압보다 상대적으로 높은 제4 전압이 상기 전기 변색층에 인가되는 경우, 상기 전 파장 차단 모드로 구현되는 전기 변색 소자
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9
제1 항에 있어서,상기 전기 변색층에 전압이 인가되지 않는 경우 상기 전해질 내 리튬 이온 및 은 이온이 이동되지 않음으로써, 가시광선 파장 대 및 근적외선 파장 대를 모두 투과하는 투명 모드로 구현되는 전기 변색 소자
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10
제1 항에 있어서,상기 제1 베이스 전해질의 농도가 250 mM 초과 1000 mM 미만으로 제어되는 전기 변색 소자
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제1 항에 있어서,상기 제1 베이스 전해질은 과염소산 리튬(LiClO4)를 포함하고, 상기 제2 베이스 전해질은 질산 은(AgNO3)을 포함하는 전기 변색 소자
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제1 전극 상에 텅스텐 산화물(WO3)을 포함하는 전기 변색층을 형성하는 단계; 제2 전극 상에 안티몬이 도핑된 주석 산화물(Antimony-doped Tin Oxide, ATO)을 포함하는 이온 저장층을 형성하는 단계; 상기 전기 변색층 및 상기 이온 저장층이 마주보도록 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 접합시키는 단계; 리튬(Li)을 포함하는 제1 베이스 전해질, 은(Ag)을 포함하는 제2 베이스 전해질, 및 용매가 혼합된 전해질을 준비하는 단계; 및 상기 전기 변색층과 상기 이온 저장층 사이에 상기 전해질을 주입하는 단계를 포함하는 전기 변색 소자의 제조 방법
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제12 항에 있어서, 상기 전기 변색층은 텅스텐 산화물(WO3)이 상기 제1 전극 상에 건식 적층되어 형성되고,상기 이온 저장층은 안티몬이 도핑된 주석 산화물(Antimony-doped Tin Oxide, ATO)이 상기 제2 전극 상에 건식 적층되어 형성되는 것을 포함하는 전기 변색 소자의 제조 방법
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제13 항에 있어서, 상기 전기 변색층 및 상기 이온 저장층은, 나노 입자 적층 시스템(Nanoparticle deposition system, NPDS)을 통해 형성되는 것을 포함하는 전기 변색 소자의 제조 방법
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