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건식 적층 박막의 표면 조도 차이를 이용한 스마트 미러 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2023009592
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 스마트 미러 소자가 제공된다. 상기 스마트 미러 소자는, 서로 대향하여 배치되는 제1 전극 및 제2 전극, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되고, 안티몬이 도핑된 주석 산화물(Antimony-doped Tin Oxide, ATO)을 포함하는 전기 변색층, 및 상기 제2 전극과 상기 전기 변색층 사이에 배치되고, 은(Ag)을 포함하는 제1 베이스 전해질, 브로민(Br)을 포함하는 제2 베이스 전해질, 및 용매가 혼합된 전해질을 포함하되, 상기 전기 변색층에 인가되는 전압을 제어하여 상기 전해질 내 은 이온의 이동을 제어함으로써, 입사 광을 투과하는 투명 모드, 입사 광을 차단하는 블랙 모드, 및 입사 광을 반사하는 미러 모드 중 어느 하나의 모드가 선택적으로 구현될 수 있다.
Int. CL G02F 1/153 (2019.01.01) G02F 1/1523 (2019.01.01) G02F 1/163 (2019.01.01) C09K 9/00 (2020.01.01) G02B 5/08 (2006.01.01)
CPC G02F 1/1533(2013.01) G02F 1/1523(2013.01) G02F 1/1525(2013.01) G02F 1/163(2013.01) C09K 9/00(2013.01) G02B 5/0808(2013.01) G02F 2201/44(2013.01)
출원번호/일자 1020230050513 (2023.04.18)
출원인 한양대학교 에리카산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0148785 (2023.10.25) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020220047686   |   2022.04.18
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2023.04.18)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 대한민국 경기도 안산시 상록구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이선영 경기도 안산시 상록구
2 김지선 경기도 안산시 상록구
3 손민희 경기도 안산시 상록구
4 신동원 경기도 안산시 상록구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)
2 최내윤 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** 월드메르디앙*차 **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2023.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2023-0434175-70
2 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2023.09.06 수리 (Accepted) 4-1-2023-5233653-65
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번호 청구항
1 1
서로 대향하여 배치되는 제1 전극 및 제2 전극;상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되고, 안티몬이 도핑된 주석 산화물(Antimony-doped Tin Oxide, ATO)을 포함하는 전기 변색층; 및 상기 제2 전극과 상기 전기 변색층 사이에 배치되고, 은(Ag)을 포함하는 제1 베이스 전해질, 브로민(Br)을 포함하는 제2 베이스 전해질, 및 용매가 혼합된 전해질을 포함하되, 상기 전기 변색층에 인가되는 전압을 제어하여 상기 전해질 내 은 이온의 이동을 제어함으로써, 입사 광을 투과하는 투명 모드, 입사 광을 차단하는 블랙 모드, 및 입사 광을 반사하는 미러 모드 중 어느 하나의 모드가 선택적으로 구현되는 스마트 미러 소자
2 2
제1 항에 있어서, 상기 전기 변색층에 음(-)의 전압이 인가되는 경우 상기 전해질 내 은 이온이 상기 전기 변색층으로 이동됨으로써, 상기 블랙 모드로 구현되는 스마트 미러 소자
3 3
제1 항에 있어서, 상기 전기 변색층에 양(+)의 전압이 인가되는 경우 상기 전해질 내 은 이온이 상기 제2 전극으로 이동됨으로써, 상기 미러 모드로 구현되는 스마트 미러 소자
4 4
제1 항에 있어서, 상기 전기 변색층에 전압이 인가되지 않는 경우 상기 전해질 내 은 이온이 이동되지 않음으로써, 상기 투명 모드로 구현되는 스마트 미러 소자
5 5
제1 항에 있어서, 상기 전기 변색층의 표면 조도에 따라, 상기 스마트 미러 소자의 전기화학적 특성 및 입사 광에 대한 투과도가 선택적으로 제어되는 것을 포함하는 스마트 미러 소자
6 6
제5 항에 있어서, 상기 전기 변색층의 표면 조도가 85 nm 이상의 Ra 값을 갖는 경우, 상기 스마트 미러 소자의 전기화학적 특성이 향상되는 것을 포함하는 스마트 미러 소자
7 7
제5 항에 있어서, 상기 전기 변색층의 표면 조도가 20 nm 이하의 Ra 값을 갖는 경우, 상기 스마트 미러 소자의 입사 광에 대한 투과도가 향상되는 것을 포함하는 스마트 미러 소자
8 8
제1 항에 있어서,상기 블랙 모드 및 상기 미러 모드 중 어느 하나의 모드로 구현되는 경우, 300 nm ~ 1200 nm 파장 대의 입사 광에 대한 투과도가 0%인 스마트 미러 소자
9 9
제1 항에 있어서,상기 전기 변색층은 400 nm 내지 500 nm의 두께를 갖는 스마트 미러 소자
10 10
제1 전극을 준비하는 단계;상기 제1 전극 상에 안티몬이 도핑된 주석 산화물(Antimony-doped Tin Oxide, ATO)을 포함하는 전기 변색층을 형성하는 단계; 상기 전기 변색층이 사이에 배치되도록, 상기 전기 변색층이 형성된 상기 제1 전극과 제2 전극을 접합시키는 단계; 은(Ag)을 포함하는 제1 베이스 전해질, 브로민(Br)을 포함하는 제2 베이스 전해질, 및 용매가 혼합된 전해질을 준비하는 단계; 및 상기 제2 전극과 상기 전기 변색층 사이에 상기 전해질을 주입하는 단계를 포함하는 스마트 미러 소자의 제조 방법
11 11
제10 항에 있어서, 상기 전기 변색층은, 상기 안티몬이 도핑된 주석 산화물(ATO)을 상기 제1 전극 상에 분사하는 건식 적층 방법으로 형성되는 것을 포함하는 스마트 미러 소자의 제조 방법
12 12
제11 항에 있어서, 상기 안티몬이 도핑된 주석 산화물(ATO)의 크기에 따라 상기 안티몬이 도핑된 주석 산화물(ATO)이 상기 제1 전극 상에 분사되는 압력이 제어되는 것을 포함하는 스마트 미러 소자의 제조 방법
13 13
제12 항에 있어서, 상기 안티몬이 도핑된 주석 산화물(ATO)이 마이크로(μm) 크기를 갖는 경우 상기 제1 전극 상에 상대적으로 낮은 압력으로 분사되고, 상기 안티몬이 도핑된 주석 산화물(ATO)이 나노(nm) 크기를 갖는 경우 상기 제1 전극 상에 상대적으로 높은 압력으로 분사되는 것을 포함하는 스마트 미러 소자의 제조 방법
14 14
제13 항에 있어서, 상기 안티몬이 도핑된 주석 산화물(ATO)이 나노(nm) 크기를 갖는 경우 상기 제1 전극을 열처리하며 상기 안티몬이 도핑된 주석 산화물(ATO)을 분사하는 것을 포함하는 스마트 미러 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.