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서로 대향하여 배치되는 제1 전극 및 제2 전극;상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되고, 안티몬이 도핑된 주석 산화물(Antimony-doped Tin Oxide, ATO)을 포함하는 전기 변색층; 및 상기 제2 전극과 상기 전기 변색층 사이에 배치되고, 은(Ag)을 포함하는 제1 베이스 전해질, 브로민(Br)을 포함하는 제2 베이스 전해질, 및 용매가 혼합된 전해질을 포함하되, 상기 전기 변색층에 인가되는 전압을 제어하여 상기 전해질 내 은 이온의 이동을 제어함으로써, 입사 광을 투과하는 투명 모드, 입사 광을 차단하는 블랙 모드, 및 입사 광을 반사하는 미러 모드 중 어느 하나의 모드가 선택적으로 구현되는 스마트 미러 소자
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제1 항에 있어서, 상기 전기 변색층에 음(-)의 전압이 인가되는 경우 상기 전해질 내 은 이온이 상기 전기 변색층으로 이동됨으로써, 상기 블랙 모드로 구현되는 스마트 미러 소자
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제1 항에 있어서, 상기 전기 변색층에 양(+)의 전압이 인가되는 경우 상기 전해질 내 은 이온이 상기 제2 전극으로 이동됨으로써, 상기 미러 모드로 구현되는 스마트 미러 소자
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제1 항에 있어서, 상기 전기 변색층에 전압이 인가되지 않는 경우 상기 전해질 내 은 이온이 이동되지 않음으로써, 상기 투명 모드로 구현되는 스마트 미러 소자
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5
제1 항에 있어서, 상기 전기 변색층의 표면 조도에 따라, 상기 스마트 미러 소자의 전기화학적 특성 및 입사 광에 대한 투과도가 선택적으로 제어되는 것을 포함하는 스마트 미러 소자
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제5 항에 있어서, 상기 전기 변색층의 표면 조도가 85 nm 이상의 Ra 값을 갖는 경우, 상기 스마트 미러 소자의 전기화학적 특성이 향상되는 것을 포함하는 스마트 미러 소자
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제5 항에 있어서, 상기 전기 변색층의 표면 조도가 20 nm 이하의 Ra 값을 갖는 경우, 상기 스마트 미러 소자의 입사 광에 대한 투과도가 향상되는 것을 포함하는 스마트 미러 소자
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8
제1 항에 있어서,상기 블랙 모드 및 상기 미러 모드 중 어느 하나의 모드로 구현되는 경우, 300 nm ~ 1200 nm 파장 대의 입사 광에 대한 투과도가 0%인 스마트 미러 소자
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제1 항에 있어서,상기 전기 변색층은 400 nm 내지 500 nm의 두께를 갖는 스마트 미러 소자
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제1 전극을 준비하는 단계;상기 제1 전극 상에 안티몬이 도핑된 주석 산화물(Antimony-doped Tin Oxide, ATO)을 포함하는 전기 변색층을 형성하는 단계; 상기 전기 변색층이 사이에 배치되도록, 상기 전기 변색층이 형성된 상기 제1 전극과 제2 전극을 접합시키는 단계; 은(Ag)을 포함하는 제1 베이스 전해질, 브로민(Br)을 포함하는 제2 베이스 전해질, 및 용매가 혼합된 전해질을 준비하는 단계; 및 상기 제2 전극과 상기 전기 변색층 사이에 상기 전해질을 주입하는 단계를 포함하는 스마트 미러 소자의 제조 방법
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제10 항에 있어서, 상기 전기 변색층은, 상기 안티몬이 도핑된 주석 산화물(ATO)을 상기 제1 전극 상에 분사하는 건식 적층 방법으로 형성되는 것을 포함하는 스마트 미러 소자의 제조 방법
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제11 항에 있어서, 상기 안티몬이 도핑된 주석 산화물(ATO)의 크기에 따라 상기 안티몬이 도핑된 주석 산화물(ATO)이 상기 제1 전극 상에 분사되는 압력이 제어되는 것을 포함하는 스마트 미러 소자의 제조 방법
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제12 항에 있어서, 상기 안티몬이 도핑된 주석 산화물(ATO)이 마이크로(μm) 크기를 갖는 경우 상기 제1 전극 상에 상대적으로 낮은 압력으로 분사되고, 상기 안티몬이 도핑된 주석 산화물(ATO)이 나노(nm) 크기를 갖는 경우 상기 제1 전극 상에 상대적으로 높은 압력으로 분사되는 것을 포함하는 스마트 미러 소자의 제조 방법
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제13 항에 있어서, 상기 안티몬이 도핑된 주석 산화물(ATO)이 나노(nm) 크기를 갖는 경우 상기 제1 전극을 열처리하며 상기 안티몬이 도핑된 주석 산화물(ATO)을 분사하는 것을 포함하는 스마트 미러 소자의 제조 방법
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