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사각기둥 형상으로 형성되고 일단에서 타단을 향하는 깊이 방향이 가상의 XYZ 좌표계의 Z축 방향을 따라 배치되고 방사선과 반응하는 반도체 소자, 상기 반도체 소자의 일단에 연결된 음극(cathode), 상기 반도체 소자의 타단에 연결된 양극(anode), 및 상기 반도체 소자의 측면에 각각 연결된 4개의 옆전극을 각각 구비하는 다수의 반도체 검출기를 포함하고, 다수의 상기 반도체 검출기가 상기 XYZ 좌표계의 XY 평면 상에 소정의 모자이크 패턴으로 부호화되어 배열되는 검출부;상기 방사선이 상기 검출부에 입사될 때에, 상기 음극, 상기 양극 및 상기 옆전극으로부터 반응 신호를 측정하는 신호측정부; 및상기 신호측정부에서 측정한 상기 반응 신호를 기반으로 상기 방사선을 방출하는 선원의 영상 이미지를 생성하는 영상처리부;를 포함하는 방사선 영상화 장비
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청구항 1에 있어서,다수의 상기 반도체 검출기가 소정의 상기 모자이크 패턴으로 부호화되어 배열되도록, 다수의 상기 반도체 검출기를 고정하는 프레임;을 더 포함하는 방사선 영상화 장비
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청구항 1에 있어서,상기 영상처리부는,입사된 상기 방사선과 반응한 다수의 상기 반도체 검출기 내 반응 위치를 산출하고, 기설정된 상기 반도체 검출기 내 반응 위치별 상기 선원이 위치하는 구형좌표계의 선원면 픽셀 정보와 대비하여, 상기 선원의 위치 정보를 획득하는 비집속식 영상기법,다수의 상기 반도체 검출기 중 어느 하나의 상기 반도체 검출기에 입사된 상기 방사선에 의해 발생하는 산란 반응에 대한 산란 반응 신호, 및 상기 산란 반응에 의해 산란된 상기 방사선에 의해 다른 하나의 상기 반도체 검출기에서 발생하는 흡수 반응에 대한 흡수 반응 신호를 기반으로, 상기 산란 반응 및 상기 흡수 반응이 일어난 다수의 상기 반도체 검출기 내 반응 위치를 산출하고, 상기 선원의 위치 정보를 획득하는 컴프턴 영상기법, 및상기 비집속식 영상기법과 상기 컴프턴 영상기법을 융합하여 상기 선원의 위치 정보를 획득하는 융합 영상기법, 중 어느 하나의 영상기법에 따라 상기 영상 이미지를 생성하되, 상기 XYZ 좌표계의 X축, Y축 및 Z축 방향을 따라 배열되는 다수의 복셀로, 각각의 상기 반도체 소자의 체적영역을 구획하여 복셀화하고,상기 신호측정부에서 측정한 상기 반응 신호에 따라, 각각의 상기 반도체 소자의 상기 복셀에 반응 광자를 분포시켜 상기 복셀을 기반으로 하는 상기 반응 위치를 산출하는 방사선 영상장비
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청구항 3에 있어서,상기 영상처리부는,상기 방사선의 에너지 대역이 250 keV 미만일 때에는, 상기 비집속식 영상기법에 의하고,상기 방사선의 에너지 대역이 600 keV 초과일 때에는, 상기 컴프턴 영상기법에 의하며,상기 방사선의 에너지 대역이 250 ~ 600 keV일 때에는, 상기 융합 영상기법에 의하여, 상기 영상 이미지를 생성하는 방사선 영상장비
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청구항 3에 있어서,상기 양극과 상기 음극으로부터 측정된 반응 신호 크기의 비를 기반으로, 상기 Z축 방향의 상기 반응 위치를 산출하는 방사선 영상장비
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청구항 3에 있어서,상기 옆전극으로부터 측정된 반응 신호 크기를 기반으로, 무게중심법(center of gravity method)을 적용하여, 상기 X축 및 상기 Y축 방향 각각의 상기 반응 위치를 산출하는 방사선 영상장비
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청구항 3에 있어서,상기 융합 영상기법은,MLEM (maximum likelihood expectation maximization) 기반의 하기 [수학식 1]에 따라 상기 영상 이미지를 생성하는 방사선 영상장비
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