맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

이차전지 음극 소재용 다공성 구조의 Si/SiC/C 복합 소재의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2023009726
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이차전지 음극 소재용 Si/SiC/C 복합 소재의 제조 방법에 관한 것으로, 테트라에틸 오르쏘실리케이트(TEOS) 및 SiC의 탄소 공급원을 TEOS 1ml 기준으로 SiC의 탄소 공급원 0.03 내지 0.35 g 로 혼합하여 구형의 SiC의 탄소 공급원/SiO2 복합 소재를 제조하는 제1단계; SiC의 탄소 공급원/SiO2 복합 소재를 금속 열 환원하여 다공성 구조의 Si/SiC 복합 소재를 제조하는 제2단계; Si/SiC 복합 소재에 폴리도파민을 코팅하여 Si/SiC/PDA 복합 소재를 제조하는 제3단계; 및 Si/SiC/PDA 복합 소재를 열 소성하는 제4단계;를 포함하며, 본 발명에 따라 제조된 복합 소재는 높은 용량 및 우수한 사이클 안정성을 나타내어 이차전지 음극 소재로 유용하게 활용될 수 있다.
Int. CL H01M 4/587 (2010.01.01) H01M 4/38 (2006.01.01) H01M 4/36 (2006.01.01) C01B 32/956 (2017.01.01) H01M 4/02 (2006.01.01)
CPC H01M 4/587(2013.01) H01M 4/386(2013.01) H01M 4/366(2013.01) C01B 32/956(2013.01) H01M 2004/027(2013.01)
출원번호/일자 1020220048001 (2022.04.19)
출원인 충북대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0148967 (2023.10.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2022.04.19)
심사청구항수 8

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 서원구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이종대 충청북도 청주시 흥덕구
2 김은비 충청북도 청주시 서원구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2022.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2022-0416824-47
2 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2023.08.31 수리 (Accepted) 4-1-2023-5228611-30
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2023.09.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
테트라에틸 오르쏘실리케이트(TEOS) 및 SiC의 탄소 공급원을 TEOS 1ml 기준으로 SiC의 탄소 공급원 0
2 2
제1항에 있어서,상기 SiC의 탄소 공급원은 세틸 트리메틸암모늄 브로마이드(cetyltrimethylammonium bromide; CTAB), 미리스틸 트리메틸암모늄 브로마이드(myristyl trimethylammonium bromide; TTAB), 및 도데실 트리메틸암모늄 브로마이드(dodecyltrimethylammonium bromide; DTAB) 로 이루어지는 군에서 선택되는 이차전지 음극 소재용 다공성 구조의 Si/SiC/C 복합 소재의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 제 1 단계는 SiC의 탄소 공급원에 NH3 를 첨가하여 교반한 다음, TEOS 를 첨가하여 혼합하는 단계를 포함하는 이차전지 음극 소재용 다공성 구조의 Si/SiC/C 복합 소재의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 제1단계로 제조된 SiC의 탄소 공급원/SiO2 복합 소재의 크기는 80 nm 내지 300 nm 인 이차전지 음극 소재용 다공성 구조의 Si/SiC/C 복합 소재의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서,제2단계는 SiC의 탄소 공급원/SiO2 복합 소재; 마그네슘; 및 염화 나트륨, 염화 칼슘, 염화 칼륨, 염화마그네슘 또는 브롬화나트륨으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 열 제어제;를 혼합하고 600 내지 900℃의 온도에서 4 내지 10 시간동안 열처리하는 단계를 포함하는 이차전지 음극 소재용 다공성 구조의 Si/SiC/C 복합 소재의 제조 방법
6 6
제5항에 있어서,상기 제2단계에서 상기 SiC의 탄소 공급원/SiO2 복합 소재와 마그네슘은 1:0
7 7
제1항에 있어서,제3단계는 Si/SiC 복합 소재에 도파민 하이드로클로라이드를 Si/SiC 복합 소재의 중량 대비 1 내지 3배로 첨가하여 폴리도파민을 코팅하는 단계를 포함하는 이차전지 음극 소재용 다공성 구조의 Si/SiC/C 복합 소재의 제조 방법
8 8
제1항에 있어서,제4단계는 Si/SiC/도파민 복합 소재를 600 내지 1000℃ 온도에서 1 내지 6시간동안 열 소성하는 단계를 포함하는 이차전지 음극 소재용 다공성 구조의 Si/SiC/C 복합 소재의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 (주)유니코정밀화학 탄소산업기반조성(R＆D) 석유계 기반 인조흑연 음극재 제조기술 개발