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성장 기판 상에 질화물계 박막 구조물을 형성하는 박막 구조물 형성 단계;상기 질화물계 박막 구조물 상에 캐리어 기판을 본딩하는 캐리어 기판 본딩 단계; 및습식 에칭을 통해 상기 질화물계 박막 구조물로부터 상기 성장 기판을 분리시키는 박리 공정 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 박리 공정 단계는,상기 성장 기판과 상기 질화물계 박막 구조물 사이에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 성장 기판의 후면 일부를 딥 에칭 프로세스에 의해 에칭하여, 상기 버퍼층의 일부가 노출되도록 복수의 트렌치들을 형성하는 단계;상기 트렌치 내에 에칭용 보호층을 형성하는 단계; 및에칭액으로 습식에칭을 수행하여 상기 성장 기판을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 트렌치와 상기 버퍼층의 경계면에는 상기 딥 에칭 프로세스에 의해 손상된 영역이 존재하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 에칭용 보호층은 SiO2 층 또는 SiNx 층으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 에칭액은 농도가 30~50%인 수산화칼륨(KOH) 계열의 에칭액인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 성장 기판은 [110] 결정방향을 가지는 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 박리 공정 단계에서 상기 성장 기판이 분리된 상기 질화물계 박막 구조물을 이종 기판 위에 전사하는 단계를 더 포함하고,상기 이종 기판은 다이아몬드 기판, CMOS 기판, 사파이어 기판, 실리콘카바이드(SiC) 기판 및 유연기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 질화물계 박막 구조물은 3족 질화물계 에피층 또는 3족 질화물계 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 3족 질화물계 에피층은 GaN 에피층, InGaN/GaN LED 에피층, AlGaN/GaN HEMT 에피층 및 GaN/AlScN 에피층 중 어느 하나를 포함하고,상기 3족 질화물계 반도체층은 InGaN/GaN LED 디바이스 또는 AlGaN/GaN HEMT 디바이스를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 InGaN/GaN LED 디바이스는 n-GaN 층; GaN/InGaN MQW 구조체; 및 p-GaN 층이 순차적으로 적층된 구조이고,상기 AlGaN/GaN HEMT 디바이스는 GaN 층; 상기 GaN 층 상에 형성되는 AlN 중간층; 상기 AlN 중간층 상에 형성되는 AlGaN 배리어층; 및 상기 AlGaN 배리어층 상에 형성되는 GaN 캡층을 포함하는 구조인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 제조방법
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