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실리콘(Si)을 증착시켜 실리콘(Si)-산소(O)-니켈(Ni) 혼합층인 사이닉스층(200)이 형성된 실리콘이 코팅된 산화방지용 니켈
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제 1항에 있어서,상기 실리콘이 코팅된 니켈은,상기 실리콘(Si)이 증착되지 않은 니켈과 유사한 전기저항을 가지는 것을 특징으로 하는 실리콘이 코팅된 산화방지용 니켈
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제 1항에 있어서,상기 실리콘이 코팅된 니켈은,단결정 박막, 다결정 박막, 호일 또는 덩어리인 것을 특징으로 하는 실리콘이 코팅된 산화방지용 니켈
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제 3항에 있어서,상기 실리콘이 코팅된 니켈이 단결정 박막인 경우,300 내지 500 ℃로 20 내지 50 분 동안 열을 가하여도 산화가 방지되는 것을 특징으로 하는 실리콘이 코팅된 산화방지용 니켈
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제 3항에 있어서,상기 실리콘이 코팅된 니켈이 다결정 박막, 호일 또는 덩어리인 경우,200 ℃ 내지 400 ℃로 열을 가하여도 산화가 방지되는 것을 특징으로 하는 실리콘이 코팅된 산화방지용 니켈
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제 1항에 있어서,상기 실리콘이 코팅된 니켈은,면저항이 6
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제 1항에 있어서,상기 실리콘이 코팅된 니켈은,니켈층(100);상기 니켈층(100) 상단에 실리콘(Si)-산소(O)-니켈(Ni)이 혼합되어 형성된 사이닉스층(200);상기 사이닉스층(200) 상단에 형성된 제 1 실리콘(Si)-산소(O) 혼합층(300); 및상기 제 1 실리콘(Si)-산소(O) 혼합층(300) 상단에 형성된 제 2 실리콘(Si)-산소(O) 혼합층(400);으로 구성되는 것을 특징으로 하는 실리콘이 코팅된 산화방지용 니켈
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제 7항에 있어서,상기 사이닉스층(200)은,두께가 0
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제 7항에 있어서,상기 제 1 실리콘(Si)-산소(O) 혼합층(300) 및 상기 제 2 실리콘(Si)-산소(O) 혼합층(400)을 포함하는 실리콘(Si)-산소(O) 혼합층은, 두께가 5 내지 30 nm인 것을 특징으로 하는 실리콘이 코팅된 산화방지용 니켈
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니켈(Ni)에 실리콘(Si)을 스퍼터링(sputtering) 단일 공정으로 증착시키는 실리콘이 코팅된 산화방지용 니켈 제조방법
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제 10항에 있어서,상기 스퍼터링(sputtering)은,아르곤 분위기 하에서 수행하는 것을 특징으로 하는 실리콘이 코팅된 산화방지용 니켈 제조방법
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제 10항에 있어서,상기 스퍼터링(sputtering)은,상온 내지 350 ℃에서 1 내지 5 분 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 실리콘이 코팅된 산화방지용 니켈 제조방법
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