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상부 전극;하부 전극; 및상기 상부 전극과 상기 하부 전극 사이에 형성되며, 화학식 Hf1-xMxO2 로 표시되는 유전체 박막을 포함하며,상기 상부 전극 또는 상기 하부 전극은 몰리브데넘(Mo)이며, 상기 화학식에서 0
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제1항에 있어서,상기 하부 전극 상에 상기 유전체 박막을 증착하는 과정에서, 상기 하부 전극과 상기 유전체 박막 사이에 몰리브데넘 산화물(MoO2)이 더 형성되는 것을 특징으로 하는, Mo 전극을 활용한 커패시터
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 M은 지르코늄(Zr)인 것을 특징으로 하는, Mo 전극을 활용한 커패시터
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 상부 전극 및 상기 하부 전극은 몰리브데넘(Mo)인 것을 특징으로 하는, Mo 전극을 활용한 커패시터
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 화학식에서 0
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제2항에 있어서,상기 몰리브데넘 산화물(MoO2)이 상기 유전체 박막이 성장할 때 산소를 공급하여 유전체 박막의 결정립(grain)의 크기를 증가시키는 것을 특징으로 하는, Mo 전극을 활용한 커패시터
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7
기판 상에 하부 전극을 증착하는 단계;상기 하부 전극 상에 화학식 Hf1-xMxO2 로 표시되는 유전체 박막을 증착하는 단계;상기 유전체 박막 상에 상부 전극을 증착하는 단계; 및상기 결과물을 금속화 후 어닐링(PMA)하는 단계를 포함하며,상기 상부 전극 또는 상기 하부 전극은 몰리브데넘(Mo)이며, 상기 화학식에서 0
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제7항에 있어서,상기 하부 전극 상에 화학식 Hf1-xMxO2 로 표시되는 유전체 박막을 증착하는 단계에서, 상기 하부 전극과 상기 유전체 박막 사이에 몰리브데넘 산화물(MoO2)이 더 형성되는 것을 특징으로 하는, Mo 전극을 활용한 커패시터의 제조 방법
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제7항 또는 제8항에 있어서,상기 기판 상에 하부 전극을 증착하는 단계 이전에, 상기 기판의 표면에 대하여 플라즈마 처리 또는 세정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, Mo 전극을 활용한 커패시터의 제조 방법
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제7항 또는 제8항에 있어서,상기 하부 전극 상에 강유전체 박막을 증착하는 단계는 원자층 증착 공정(ALD)으로 수행되는 것을 특징으로 하는, Mo 전극을 활용한 커패시터
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제7항 또는 제8항에 있어서,상기 M은 지르코늄(Zr)인 것을 특징으로 하는, Mo 전극을 활용한 커패시터의 제조 방법
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제7항 또는 제8항에 있어서,상기 상부 전극 및 상기 하부 전극은 몰리브데넘(Mo)인 것을 특징으로 하는, Mo 전극을 활용한 커패시터의 제조 방법
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제7항 또는 제8항에 있어서,상기 화학식에서 0
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제8항에 있어서,상기 몰리브데넘 산화물(MoO2)이 유전체 박막이 성장할 때 산소를 공급하여 상기 유전체 박막의 결정립(grain)의 크기를 증가시키는 것을 특징으로 하는, Mo 전극을 활용한 커패시터
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