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상부 전극;하부 전극; 및상기 상부 전극과 상기 하부 전극 사이에 형성되며, 화학식 Hf0
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제1항에 있어서,상기 M은 지르코늄(Zr)인 것을 특징으로 하는, W 전극을 활용한 커패시터
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제1항에 있어서,상기 상부 전극 및 상기 하부 전극은 텅스텐(W)인 것을 특징으로 하는, W 전극을 활용한 커패시터
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제1항에 있어서,상기 텅스텐(W)의 산화물인 산화텅스텐(WO3)에서 환원 반응이 일어나 강유전체 박막에 산소를 공급하는 것을 특징으로 하는, W 전극을 활용한 커패시터
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제3항에 있어서,상기 강유전체 박막의 두께에 변화가 없음을 특징으로 하는, W 전극을 활용한 커패시터
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기판 상에 하부 전극을 증착하는 단계;상기 하부 전극 상에 화학식 Hf0
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제6항에 있어서,상기 열처리하는 단계 중 상기 강유전체 박막 내의 산소 공공이 감소하는 것을 특징으로 하는, W 전극을 활용한 커패시터의 제조 방법
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8
제6항에 있어서,상기 하부 전극 상에 강유전체 박막을 증착하는 단계는 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition, ALD)에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는, W 전극을 활용한 커패시터의 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 원자층 증착법은 Hf와 M의 전구체를 1회의 ALD 사이클(cycle)씩 번갈아 가며 증착하되, 상기 1회의 ALD 사이클 당 증착 두께(GPC)는 0
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제6항에 있어서,상기 M은 지르코늄(Zr)인 것을 특징으로 하는, W 전극을 활용한 커패시터의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 상부 전극 및 상기 하부 전극은 텅스텐(W)인 것을 특징으로 하는, W 전극을 활용한 커패시터의 제조 방법
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