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하기 화학식 1로 표시되는 화합물의 단독 중합체, 공중합체 또는 이를 하나 이상 포함하는 혼합물이 가교제와 반응을 통하여 가교되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 전극 보호층
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청구항 1에 있어서,상기 가교제는 하기 화학식 2의 화학구조를 가지는 것을 특징으로 하는 전극 보호층:003c#화학식 2003e#상기 화학식 2에서 R은 직쇄 또는 측쇄 형태의 알킬렌기, 직쇄 또는 측쇄 형태의 산소원자를 포함하는 알킬렌기, 또는 아릴렌기 중 어느 하나이다
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청구항 2에 있어서,상기 화학식 2에서 R은 하기 화학식 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전극 보호층:-(CH2)m-,-(CH2)m-O-(CH2)l-,-(CH2)m-O-(CH2)l-,-CH2-O-(CH2)4-O-CH2-여기서, m 및 l은 동일하거나 상이하고 각각 1 내지 6의 정수이고, n은 1 내지 10000 사이의 정수이다
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애노드(anode); 및상기 애노드(anode) 상에 코팅된, 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항의 전극보호층을 포함하는 전극
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청구항 4에 있어서,상기 애노드(anode)는 리튬 이온을 저장 및 방출이 가능한 것을 특징으로 하는 전극
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청구항 4에 있어서,상기 애노드(anode)는 Li, Na, K, Mg, Ca, Zn, Al, Si, Ge, Sn, 또는 이들의 합금을 포함하는 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 전극
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애노드(anode)로서 청구항 4 내지 청구항 6 중 어느 한 항의 전극;전해질; 및캐소드(cathode)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기화학전지
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청구항 7에 있어서,상기 애노드(anode)와 캐소드(cathode) 사이에 분리막을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 전기화학전지
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애노드(anode)를 준비하는 단계;하기 화학식 1로 표시되는 화합물의 단독 중합체, 공중합체 또는 이를 하나 이상 포함하는 혼합물을 제공하는 고분자 제공단계;상기 고분자, 가교제 및 용매를 혼합하는 막형성 조성물 제조단계;상기 애노드(anode) 상에 막형성 조성물로 막을 형성하는 막 형성단계; 및 상기 막을 가교하는 가교중합막 제조단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전극 보호층의 형성방법:003c#화학식 1003e#상기 화학식 1에서 X는 하기 X1 내지 X17로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고, n은 반복단위로 10 내지 500의 정수이다
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청구항 9에 있어서,상기 가교제는 하기 화학식 2의 화학구조를 가지는 것을 특징으로 하는 전극 보호층의 형성방법:003c#화학식 2003e#상기 화학식 2 에서 R은 직쇄 또는 측쇄 형태의 알킬렌기, 직쇄 또는 측쇄 형태의 산소원자를 포함하는 알킬렌기, 또는 아릴렌기 중 어느 하나이다
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청구항 9에 있어서,상기 화학식 2에서 R은 하기 화학식 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전극 보호층의 형성방법:-(CH2)m-,-(CH2)m-O-(CH2)l-,-(CH2)m-O-(CH2)l-,-CH2-O-(CH2)4-O-CH2-여기서, m 및 l은 동일하거나 상이하고 각각 1 내지 6의 정수이고, n은 1 내지 10000 사이의 정수이다
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청구항 9에 있어서,상기 용매는 테트라하이드로퓨란(THF), N-메틸피롤리돈(NMP), 다이메틸 설폭사이드(DMSO), 다이메틸포름아미드(DMF) 및 다이메틸아세트아미드(DMAc)로 이루어진 군에서 선택되는 1 종 이상인 것을 특징으로 하는 전극 보호층의 형성방법
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청구항 9에 있어서,상기 막을 가교하는 가교중합막 제조단계는 하기 반응식 1의 반응을 통하여 이루어지는 것을 특징으로 전극 보호층의 형성방법:003c#반응식 1003e#상기 반응식 1에서 n은 반복단위로 10 내지 500의 정수이고, R은 직쇄 또는 측쇄 형태의 알킬렌기, 직쇄 또는 측쇄 형태의 산소원자를 포함하는 알킬렌기, 또는 아릴렌기 중 어느 하나이다
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