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하프 컷 공정을 이용하여 반도체 웨이퍼의 제1 면에 제1 방향으로 연장되고 제2 방향으로 이격되는 복수의 제1 트렌치를 형성하는 단계;상기 복수의 제1 트렌치가 형성된 상기 반도체 웨이퍼 상에 불투명 수지 물질을 도포하여 상기 복수의 제1 트렌치에 매립되는 불투명 수지층을 형성하는 단계;상기 불투명 수지층이 매립된 상기 복수의 제1 트렌치가 형성된 상기 반도체 웨이퍼의 상기 제1 면에 상기 제2 방향으로 연장되고 상기 제1 방향으로 이격되는 복수의 제2 트렌치를 형성하는 단계;상기 복수의 제2 트렌치에 전극 물질을 증착하여 상기 복수의 제2 트렌치에 매립되는 전극층을 형성하는 단계; 및상기 반도체 웨이퍼를 상기 제1 방향으로 연장되는 제1 스크라이브 라인들과 상기 제2 방향으로 연장되는 제2 스크라이브 라인들을 따라 다이싱하여, 광전도 반도체 스위치를 형성하는 단계를 포함하는 광전도 반도체 스위치의 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 불투명 수지층을 형성하는 단계 전에, 상기 복수의 제1 트렌치가 형성된 상기 반도체 웨이퍼를 습식 식각하는 단계를 더 포함하는 광전도 반도체 스위치의 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 복수의 제2 트렌치는 하프 컷 공정을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 광전도 반도체 스위치의 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 반도체 웨이퍼의 상기 제1 면에 상기 복수의 제1 트렌치 사이에 상기 제1 방향으로 연장되고 상기 제2 방향으로 이격되고 상기 제1 트렌치의 폭보다 큰 폭을 갖는 복수의 제3 트렌치를 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 불투명 수지층은 상기 복수의 제1 트렌치 및 상기 복수의 제3 트렌치에 매립되고,상기 제1 스크라이브 라인들은 상기 복수의 제3 트렌치에 매립된 상기 불투명 수지층 상에 위치하고,상기 제2 스크라이브 라인들은 상기 복수의 제2 트렌치에 매립된 상기 전극층 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 광전도 반도체 스위치의 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 광전도 반도체 스위치는, 반도체 기판; 상기 반도체 기판의 제1 방향의 양 단부 상에 배치되는 한 쌍의 전극; 상기 한 쌍의 전극 사이에서 상기 제1 방향으로 연장되고 제2 방향으로 이격하여 배치되는 핀 구조들; 및 상기 반도체 기판 상에 상기 핀 구조들 사이에 매립되는 상기 불투명 수지층를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전도 반도체 스위치의 제조 방법
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청구항 5에 있어서,상기 핀 구조들은 상기 반도체 기판과 일체인 것을 특징으로 하는 광전도 반도체 스위치의 제조 방법
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청구항 5에 있어서,상기 핀 구조들의 양 단부는 상기 한 쌍의 전극과 각각 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 광전도 반도체 스위치의 제조 방법
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청구항 5에 있어서,상기 핀 구조들의 상면, 상기 한 쌍의 전극의 상면, 및 상기 불투명 수지층의 상면은 동일 레벨인 것을 특징으로 하는 광전도 반도체 스위치의 제조 방법
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청구항 5에 있어서,상기 핀 구조들 각각의 두께는 상기 핀 구조들 사이의 간격보다 얇은 것을 특징으로 하는 광전도 반도체 스위치의 제조 방법
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10
청구항 1에 있어서,상기 반도체 웨이퍼는 갈륨아세나이드(GaAs) 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 광전도 반도체 스위치의 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 불투명 수지층은 700㎚ 내지 1000㎚ 사이의 파장을 갖는 레이저 빔을 차단하는 것을 특징으로 하는 광전도 반도체 스위치의 제조 방법
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