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공정 챔버 내부에서 발생되는 오염입자를 포집하기 위한 포집 플레이트; 상기 포집 플레이트와 대응되는 형상으로 이루어지며, 회로가 패터닝되어 상기 회로에 전압을 인가하여 오염입자를 포집하는 패터닝 회로 플레이트; 상기 회로에 양전압 또는 음전압을 인가하기 위한 전원공급부; 및 상기 포집 플레이트의 무게 변화를 통해 포집된 오염입자량을 측정하기 위한 무게 감지센서;를 포함하는 오염입자 포집장치
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청구항 1에 있어서, 상기 포집 플레이트는 웨이퍼(Wafer) 또는 세라믹 재질의 얇은 판형으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 오염입자 포집장치
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청구항 1에 있어서, 상기 패터닝 회로 플레이트는 상기 포집 플레이트의 하면에 위치하며, 상기 회로는 전압의 균일도를 위해 일정간격을 두고 형성되는 것을 특징으로 하는 오염입자 포집장치
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청구항 1에 있어서, 상기 포집 플레이트 및 패터닝 회로 플레이트는 챔버 내부의 규격이나 설치 위치에 따라 다양한 형태로 적용하도록, 원판형, 도우넛형(Doughnut Type) 또는 바형(Bar Type)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 오염입자 포집장치
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청구항 4에 있어서, 상기 패터닝 회로 플레이트는 플라즈마 공정 시 공정별 또는 시간대별로 발생되는 오염입자를 구분하여 포집하도록 포집 구역이 구분되어 이루어지며, 각 포집 구역별 회로가 패터닝되어 상기 전원공급부에서 각 포집 구역별 회로에 전압을 인가하여 공정별 또는 시간대별 변화에 따른 오염입자의 포집이 가능한 것을 특징으로 하는 오염입자 포집장치
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청구항 5에 있어서, 상기 패터닝 회로 플레이트가 원판형인 경우, 상기 포집 구역은 회로 플레이트의 중심에서부터 동심원 형상으로 구분되어 형성되는 것을 특징으로 하는 오염입자 포집장치
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청구항 5에 있어서, 상기 패터닝 회로 플레이트가 원판형 또는 도우넛형인 경우, 상기 포집 구역은 패터닝 회로 플레이트의 중심에서부터 방사형으로 동일면적을 갖는 복수개의 영역으로 구분되는 것을 특징으로 하는 오염입자 포집장치
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8
청구항 5에 있어서, 상기 패터닝 회로 플레이트가 바형인 경우, 상기 포집 구역은 패터닝 회로 플레이트의 길이방향으로 동일면적을 갖는 복수개의 영역으로 구분되는 것을 특징으로 하는 오염입자 포집장치
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청구항 5에 있어서, 상기 무게 감지센서는 각 포집 구역별 무게 변화를 통해 포집된 오염입자량을 측정할 수 있도록 포집 구역별로 각각 설치되는 것을 특징으로 하는 오염입자 포집장치
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청구항 1에 있어서, 상기 포집 플레이트와 패터닝 회로 플레이트는 챔버 내부의 배기구 주변 또는 챔버의 내벽에 설치되는 것을 특징으로 하는 오염입자 포집장치
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11
청구항 1에 있어서, 상기 포집 플레이트와 패터닝 회로 플레이트는 결합수단에 의해 반영구적으로 결합되는 것을 특징으로 하는 오염입자 포집장치
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청구항 11에 있어서, 상기 결합수단은 세라믹 또는 에폭시를 포함하는 성분으로 이루어지는 접착제로 이루어지거나, 상기 포집 플레이트와 패터닝 회로 플레이트를 물리적으로 결합시키는 클램프로 이루어지는 것을 특징으로 하는 오염입자 포집장치
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공정 챔버 내에서 공정이 시작되어 플라즈마를 형성하는 단계;플라즈마 공정 중 오염입자가 발생하고, 상기 오염입자가 플라즈마 내의 전자에 의해 음전하를 띄게 되는 단계;상기 오염입자를 포집하기 위한 패터닝 회로 플레이트의 회로에 양전압을 인가하는 단계;상기 회로에 인가된 양전압에 의해 패터닝 회로 플레이트의 상면에 결합된 포집 플레이트에 오염입자가 포집되는 단계; 및플라즈마 공정이 종료하여 플라즈마가 소멸하는 단계;를 포함하는 오염입자 포집방법
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청구항 13에 있어서,상기 플라즈마가 소멸하는 단계 이후에, 포집된 오염입자는 공정 챔버에서 꺼내어 ex-situ 방법으로 분석하는 것을 특징으로 하는 오염입자 포집방법
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15
청구항 13에 있어서,상기 패터닝 회로 플레이트는 플라즈마 공정 시 공정별 또는 시간대별로 발생되는 오염입자를 구분하여 포집하도록 포집 구역이 구분되어 각 포집 구역별 회로가 패터닝되며, 상기 패터닝 회로 플레이트의 회로에 양전압을 인가하는 단계에서는, 일부 영역의 포집 구역별 회로에 양전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 오염입자 포집방법
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청구항 15에 있어서,상기 플라즈마가 소멸하는 단계 이후에, 플라즈마 공정 종료 후의 잔류 오염입자가 양전하를 띄게 되면 이를 포집하기 위해 상기 패터닝 회로 플레이트의 회로에 음전압을 인가하는 단계; 및상기 회로에 인가된 음전압에 의해 패터닝 회로 플레이트의 상면에 결합된 포집 플레이트에 잔류 오염입자가 포집되는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 오염입자 포집방법
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청구항 16에 있어서, 상기 패터닝 회로 플레이트의 회로에 음전압을 인가하는 단계에서는, 양전압이 인가되는 포집 구역 외 나머지 포집 구역에 음전압을 인가하여 잔류 오염입자를 포집하는 것을 특징으로 하는 오염입자 포집방법
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