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불활성분위기 하에 석유계 잔사유 증유분을 열처리하여 얻은 하기 조건 (1) 내지 (4)를 만족하는 탄소코팅 전구체로 SiOx(0003c#x≤2)를 포함하는 입자의 표면 상에 비정질 탄소코팅층을 증착하는 단계; 및 상기 증착된 비정질 탄소코팅층을 탄화시키는 단계;를 포함하며, 하기 조건 (1) ~ (4)에서 각 탄화수소화합물의 함량은 상기 탄소코팅 전구체를1H-NMR 스펙트럼 분석한 결과, 검출피크 2
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제1항에 있어서,상기 석유계 잔사유 증유분을 열처리하는 온도 범위는 100 내지 400 ℃인 것인, 실리콘 산화물계 음극활물질의 제조방법
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제2항에 있어서,상온에서부터 상기 석유계 잔사유 증유분을 열처리하는 온도 범위인 100 내지 400 ℃의 온도까지 3 내지 7 ℃/min의 승온속도로 가열하는 것을 포함하는, 실리콘 산화물계 음극활물질의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 조건 (2)에서 검출되는 2환 방향족 탄화수소화합물 및 상기 조건 (3)에서 검출되는 3환 방향족 탄화수소화합물의 함량의 합이 20% 이상인 것인, 실리콘 산화물계 음극활물질의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 증착하는 단계는,물리적 기상 증착법(PVD)을 이용하여 증착하는 것을 포함하는, 실리콘 산화물계 음극활물질의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 탄화시키는 단계는,상기 비정질 탄소코팅층을 증착하는 단계 이후 800 내지 1200 ℃까지 8 내지 12 ℃/min의 승온속도로 가열한 다음, 30 분 이상 열처리하는 것을 포함하는, 실리콘 산화물계 음극활물질의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 석유계 잔사유 증유분은 석유계 잔사유를 피치 개질함으로써 얻은 생성물인 것인, 실리콘 산화물계 음극활물질의 제조방법
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제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 제조방법에 따라 제조된, 실리콘 산화물계 음극활물질
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SiOx (0003c#x≤2)를 포함하는 입자 및 상기 입자의 표면 상에 마련된 비정질 탄소코팅층을 포함하는 실리콘 산화물계 음극활물질에 있어서,514 nm 파장의 레이저를 이용한 라만 스펙트럼 분석에서 ID은 1300 cm-1 내지 1400 cm-1에서 나타나는 최대 피크 강도이며, IG는 1550 cm-1 내지 1650 cm-1에서 나타나는 최대 피크 강도라고 할 때,피크 강도비 ID/IG 값이 0
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제9항에 있어서,Al-Kα X-선원을 이용해 표면 XPS 원소 분석 시 at%로, C: 80% 이상, O: 5 내지 15%, 나머지 Si 및 기타 불가피한 불순물을 포함하는, 실리콘 산화물계 음극활물질
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제9항에 있어서,Al-Kα X-선원을 이용해 표면 XPS C1s 세부 피크 분석 결과, 분할된 피크의 면적률 값이 하기 C(1) 내지 C(4)를 만족하는 것인, 실리콘 산화물계 음극활물질:C(1) : C=C결합 면적률 70 내지 85%;C(2) : C-C결합 면적률 5 내지 25%;C(3) : C-O결합 면적률 0% 초과 5% 이하;C(4) : O-C=O결합 면적률 0% 초과 5% 이하
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제9항에 있어서,상기 비정질 탄소코팅층의 두께가 10 내지 30 nm인, 실리콘 산화물계 음극활물질
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제9항에 있어서,상기 SiOx (0003c#x≤2)를 포함하는 입자의 평균 입경이 1 내지 10 ㎛인, 실리콘 산화물계 음극활물질
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제9항 내지 제13항 중 어느 한 항에 따른 음극활물질을 포함하는, 음극
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제14항에 따른 음극을 포함하는, 전지
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