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인산 피독을 방지하는 내재적 마이크로 기공성 고분자를 포함하는 고온형 고분자전해질 연료전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2023010354
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 인산 피독을 방지하는 내재적 마이크로 기공성 고분자를 포함하는 고온형 고분자전해질 연료전지 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 열적 안정성과 양이온 전도성을 동시에 갖춘 내재적 마이크로 기공성 고분자 개발을 통해 고온형 고분자전해질 연료전지의 전기화학 효율 향상을 그 목적으로 한다.
Int. CL H01M 8/1046 (2016.01.01) H01M 8/1041 (2016.01.01) H01M 4/86 (2006.01.01) H01M 8/10 (2016.01.01)
CPC H01M 8/1046(2013.01) H01M 8/1041(2013.01) H01M 4/8663(2013.01) C08G 61/12(2013.01) C08G 2261/3242(2013.01) H01M 2008/1095(2013.01)
출원번호/일자 1020220057315 (2022.05.10)
출원인 현대자동차주식회사, 기아 주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0157735 (2023.11.17) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 현대자동차주식회사 대한민국 서울특별시 서초구
2 기아 주식회사 대한민국 서울특별시 서초구
3 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 곽다희 경기도 수원시 영통구
2 황지연 서울특별시 송파구
3 최원재 서울특별시 영등포구
4 오송이 경기도 수원시 권선구
5 신성희 인천광역시 계양구
6 박아현 경기도 수원시 장안구
7 장지훈 경기도 수원시 장안구
8 박현명 인천광역시 연수구
9 김경수 서울특별시 광진구
10 송창식 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한라특허법인(유한) 대한민국 서울시 서초구 강남대로 ***(서초동, 남강빌딩 *층)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2022.05.10 수리 (Accepted) 1-1-2022-0495701-15
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전극; 및 전해질막;을 포함하고,상기 전극 및 전해질막 중 적어도 어느 하나가 내재적 마이크로 기공성 고분자(Polymers of Intrinsic Microporosity; PIM)를 포함하는 고온형 고분자전해질 연료전지
2 2
제1항에 있어서,상기 내재적 마이크로 기공성 고분자(Polymers of Intrinsic Microporosity; PIM)는 하기 화학식 1로 표현되는 것인 고온형 고분자전해질 연료전지
3 3
제1항에 있어서,상기 내재적 마이크로 기공성 고분자는 하기 화학식 2로 표현되는 것인 고온형 고분자전해질 연료전지
4 4
제3항에 있어서,상기 내재적 마이크로 기공성 고분자는 Y가 , , 및 로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 것인 고온형 고분자전해질 연료전지
5 5
제1항에 있어서,상기 내재적 마이크로 기공성 고분자는 하기 화학식 3으로 표현되는 것인 고온형 고분자전해질 연료전지
6 6
제1항에 있어서,상기 내재적 마이크로 기공성 고분자는 하기 화학식 4로 표현되는 것인 고온형 고분자전해질 연료전지
7 7
제1항에 있어서,상기 전극은 촉매, 인산기를 포함하는 이오노머, 내재적 마이크로 기공성 고분자를 포함하고, 상기 내재적 마이크로 기공성 고분자는 상기 촉매의 표면에 결합된 것인 고온형 고분자전해질 연료전지
8 8
제1항에 있어서,상기 전극은 촉매 60중량% 내지 70중량%, 이오노머 10중량% 내지 20중량% 및 상기 내재적 마이크로 기공성 고분자를 5중량% 내지 10중량%를 포함하는 것인 고온형 고분자전해질 연료전지
9 9
내재적 마이크로 기공성 고분자를 제조하는 단계;상기 내재적 마이크로 기공성 고분자를 3차 아민과 반응 하는 단계; 및상기 내재적 마이크로다공성 고분자를 포함하는 전극 및 전해질막 중 적어도 어느 하나를 제조하는 단계;를 포함하는 것인 고온형 고분자전해질 연료전지의 제조방법
10 10
제9항에 있어서,상기 내재적 마이크로 기공성 고분자를 제조하는 단계는메틸피롤리돈(N-Methyl-2-Pyrrolidone, NMP)에 테트라하이드록시 헥사메틸스파이로비스인덴(Tetrahydroxy hexamethylspirobisindame), 테트라플루오로프탈로니트릴(2,3,5,6-tetrafluoroterephthalonitrile(TFTPN)) 및 탄산 칼륨(Potassium carbonate, K2CO3)을 투입 및 교반하는 단계; 및상기 제조된 고분자를 N-브로모숙신이미드(N-Bromosuccinimide, NBS)와 반응하는 단계;를 포함하는 것인 고온형 고분자전해질 연료전지의 제조방법
11 11
제9항에 있어서,상기 내재적 마이크로 기공성 고분자(Polymers of Intrinsic Microporosity; PIM)는 하기 화학식 1로 표현되는 것인 고온형 고분자전해질 연료전지의 제조방법
12 12
제9항에 있어서,상기 내재적 마이크로 기공성 고분자는 하기 화학식 2로 표현되는 것인 고온형 고분자전해질 연료전지의 제조방법
13 13
제12항에 있어서,상기 내재적 마이크로 기공성 고분자는 Y가 , , 및 로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 것인 고온형 고분자전해질 연료전지의 제조방법
14 14
제9항에 있어서,상기 내재적 마이크로 기공성 고분자는 하기 화학식 3으로 표현되는 것인 고온형 고분자전해질 연료전지의 제조방법
15 15
제9항에 있어서,상기 내재적 마이크로 기공성 고분자는 하기 화학식 4로 표현되는 것인 고온형 고분자전해질 연료전지의 제조방법
16 16
제9항에 있어서,상기 3차 아민은 피리딘, 이미다졸, 1-메틸이미다졸, 2-메틸이미다졸, 4(5)-메틸이미다졸, 1-비닐이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸이미다졸, 1-알릴이미다졸, 2-메틸-1-비닐이미다졸, 2-프로필이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-이소프로필이미다졸, 4-이미다졸카르복산, 이미다졸-2-카르복산, 이미다졸[1,2,a]피리딘, 벤즈이미다졸, 4-아자벤즈이미다졸, 1-부틸이미다졸, 5-메틸벤즈이미다졸, 2-메틸벤즈이미다졸, 2-페닐이미다졸, 1-페닐이미다졸, 4-페닐이미다졸, 2-에틸벤즈이미다졸 및 5,6-디메틸벤즈이미다졸로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것인 고온형 고분자전해질 연료전지의 제조방법
17 17
제9항에 있어서,상기 내재적 마이크로 기공성 고분자를 3차 아민과 반응 하는 단계는 110℃ 내지 150℃의 온도 범위에서 수행되는 고온형 고분자전해질 연료전지의 제조방법
18 18
제9항에 있어서,상기 할로겐화 반응을 한 고분자를 3차 아민과 반응 하는 단계는 20시간 내지 30시간의 시간 범위에서 수행되는 고온형 고분자전해질 연료전지의 제조방법
19 19
제9항에 있어서,상기 전극은 촉매, 인산기를 포함하는 이오노머, 내재적 마이크로 기공성 고분자를 포함하고, 상기 내재적 마이크로 기공성 고분자는 상기 촉매의 표면에 결합된 것인 고온형 고분자전해질 연료전지의 제조방법
20 20
제9항에 있어서,상기 전극은 촉매 60중량% 내지 70중량%, 이오노머 10중량% 내지 20중량% 및 상기 내재적 마이크로 기공성 고분자 5중량% 내지 10중량%를 포함하는 것인 고온형 고분자전해질 연료전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.