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양자점 파우더, 그 제조방법 및 이를 포함하는 디스플레이 소자

  • 기술번호 : KST2023010469
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 양자점 파우더, 그 제조방법 및 이를 포함하는 디스플레이 소자에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 열, 빛, 산소 및 수분에 대하여 높은 안정성과 고효율을 갖는 양자점 파우더, 그 제조방법 및 이를 포함하는 디스플레이 소자에 관한 것이다.
Int. CL C09K 11/02 (2006.01.01) C09K 11/70 (2006.01.01) C09K 11/88 (2006.01.01) C09K 11/56 (2006.01.01) H10K 59/00 (2023.01.01) H01L 33/50 (2010.01.01) G02B 5/20 (2022.01.01)
CPC C09K 11/025(2013.01) C09K 11/70(2013.01) C09K 11/883(2013.01) C09K 11/565(2013.01) H10K 59/38(2013.01) H01L 33/50(2013.01) G02B 5/20(2013.01)
출원번호/일자 1020220056986 (2022.05.10)
출원인 국민대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0157605 (2023.11.17) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2022.05.10)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 도영락 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이룸리온 대한민국 서울특별시 서초구 사평대로 ***, *층 (반포동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2022.05.10 수리 (Accepted) 1-1-2022-0493069-10
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번호 청구항
1 1
코어, 상기 코어의 표면의 일부 또는 전부를 둘러싸는 내부 쉘(inner shell), 및 상기 내부 쉘의 외부 표면의 일부 또는 전부를 둘러싸는 외부 쉘(outer shell)을 포함하는 다중 쉘 양자점 코어;상기 다중 쉘 양자점 코어를 둘러싸고 있으며, 3가 또는 4가 금속을 포함하는 금속 복합체 또는 금속 산화물을 포함하는 중간층(interlayer);상기 중간층의 외부 표면에 형성되고, 알루미늄(Al) 산화물, 티타늄(Ti) 산화물 또는 이트륨(Y) 산화물을 포함하는 외부층(outer layer); 및상기 외부층의 외부 표면에 형성되고, 고분자또는 금속산화물을 포함하는 보호층(protective layer);을 포함하는 양자점 파우더
2 2
제1항에 있어서,상기 코어는 InP, ZnSeTe, CuGaInS, AgGaInS 및 AgInS 중 선택된 적어도 하나를 포함하고,상기 내부 쉘은 ZnGaP, ZnSeS, GaS 및 ZnSe 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하며,상기 외부 쉘은 GaS 및 ZnS를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 파우더
3 3
제1항에 있어서,상기 금속 복합체는 상기 3가 또는 4가 금속의 알콕시화물(alkoxide), 또는 실란계 고분자인 것을 특징으로 하는 양자점 파우더
4 4
제1항에 있어서,상기 3가 또는 4가 금속은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 실리콘(Si), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr) 및 티타늄(Ti) 중 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 양자점 파우더
5 5
제1항에 있어서,상기 외부층의 금속 산화물은 알루미늄 산화물, 이트륨(Y) 산화물, 가돌리늄(Gd) 산화물, 란타늄(La) 산화물, 하프늄(Hf) 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 및 하프늄 산화물 중에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 파우더
6 6
제1항에 있어서,상기 양자점 파우더는 내부에 복수 개의 상기 다중 쉘 양자점 코어가 분산되어 있는 것을 특징으로 하는 양자점 파우더
7 7
제1항에 있어서,상기 양자점 파우더는 평균 직경이 100 nm 내지 20 ㎛인 것을 특징으로 하는 양자점 파우더
8 8
제1항에 있어서,상기 다중 쉘 양자점 코어는 상기 양자점 파우더 전체에서 0
9 9
제1항에 있어서,상기 보호층의 두께는 0
10 10
제1항에 있어서,상기 보호층의 표면은 친수성 또는 소수성 자기조립 단분자층(self-assembled monolayers)을 포함하는 양자점 파우더
11 11
제1항에 있어서,상기 보호층의 표면은 금속산화물 층을 포함하는 양자점 파우더
12 12
1) 제1항의 다중 쉘 양자점 코어의 표면에 3가 또는 4가 금속 중 하나 이상을 포함하는 금속 복합체 또는 금속 산화물을 포함하는 용액을 코팅하여 상기 다중 쉘 양자점 코어를 둘러싸는 중간층을 형성하는 단계;2) 상기 중간층 표면에 알루미늄 알콕시화물 이트륨 알콕시화물, 가돌리늄 알콕시화합물, 란타늄 알콕시화물, 지르코늄 알콕시화물, 티타늄 알콕시화물, 및 하프늄 알콕시화물 중 선택된 적어도 하나를 포함하는 용액을 코팅하고 가수분해 반응을 수행하여 알루미늄 산화물, 이트륨 산화물, 가돌리늄 산화물, 란타늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 및 하프늄 산화물 중에서 선택된 하나 이상을 포함하는 외부층을 형성하는 단계; 및3) 상기 외부층 표면에 3가 또는 4가 금속을 포함하는 산화물 또는 고분자/무기물 복합막을 코팅하여 보호층을 형성하는 단계;를 포함하는 양자점 파우더의 제조방법
13 13
제12항에 있어서,상기 1) 단계는 수용액 코팅 반응으로,상기 2) 단계는 전기 분무(e-spray)로 수행하는 것을 특징으로 하는 양자점 파우더의 제조방법
14 14
제12항에 있어서,상기 2) 단계에서는 상기 외부층을, 상기 중간층 형성된 다중 쉘 양자점 코어가 상기 외부층 내에 복수 개 분산되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 양자점 파우더의 제조방법
15 15
제12항에 있어서,상기 2) 단계의 알루미늄 알콕시화물, 이트륨 알콕시화물, 가돌리늄 알?시화합물, 란타늄 알콕시화물, 지르코늄 알콕시화물, 티타늄 알콕시화물 및 하프늄 알콕시화물은 상기 1) 단계의 금속 복합체보다 가수분해 속도가 빠른 것, 공기중 습기로만 가수분해가 일어나는 것을 특징으로 하는 양자점 파우더의 제조방법
16 16
제12항에 있어서,상기 2) 단계의 알루미늄 알콕시화물, 이트륨 알콕시화물, 가돌리늄 알?시화합물, 란타늄 알콕시화물, 지르코늄 알콕시화물, 티타늄 알콕시화물, 또는 하프늄 알콕시화물은 전기분무 과정에서 고체 분말화하는 것을 특징으로 하는 양자점 파우더의 제조방법
17 17
제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 양자점 파우더를 포함하는 발광 소재를 포함하는 디스플레이 소자
18 18
제17항에 있어서,상기 발광 소재를 포함하고,코어; 상기 코어의 표면의 일부 또는 전부를 둘러싸는 내부 쉘(inner shell); 및 상기 내부 쉘의 외부 표면의 일부 또는 전부를 둘러싸는 외부 쉘(outer shell);을 포함하는 다중 쉘 양자점 코어를 별도로 더 포함하되,상기 다중 쉘 양자점 코어는 그 표면 상에 별도의 층을 더 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 디스플레이 소자
19 19
제18항에 있어서,상기 디스플레이 소자는 색변환층으로서, 색변환층 기재 및 상기 색변환층 기재 내 분산된 상기 양자점 파우더를 포함하되, 상기 양자점 파우더 외부층 굴절률이 상기 색변환층 기지보다 굴절률이 큰 것을 특징으로 하는 광원 또는 디스플레이 소자
20 20
제17항에 있어서,상기 디스플레이 소자는 OLED 또는 LED 디스플레이 소자인 것을 특징으로 하는 디스플레이 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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1 과학기술정보통신부 국민대학교산학협력단 이공학분야(S/ERC) 하이브리드 디바이스를 이용한 일주기 ICT 연구센터
2 과학기술정보통신부 국민대학교산학협력단 중견연구자지원사업 Dot-LED 소재 및 디스플레이 원천/응용기술 개발