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제1 영역 및 상기 제1 영역 상의 제2 영역을 포함하는 반도체 기판;상기 반도체 기판 상의 절연막; 및상기 제1 영역 및 상기 제2 영역과 접촉되는 전극을 포함하고, 상기 제1 영역은 상기 전극과 접촉되는 부분에서, 상기 반도체 기판의 측벽의 기울기가 상대적으로 급격하게 변하는 제1 모서리를 포함하고, 상기 제2 영역은 상기 전극과 접촉되는 부분에서, 상기 반도체 기판의 측벽의 기울기가 상대적으로 급격하게 변하는 제2 모서리를 포함하는 반도체 장치
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제1 항에 있어서, 상기 제1 모서리는 제1 기울기의 제1 측벽과, 상기 제1 기울기와 다른 제2 기울기의 제2 측벽이 연결되는 부분이고,상기 제2 모서리는 제3 기울기의 제3 측벽과, 상기 제3 기울기와 다른 제4 기울기의 제4 측벽이 연결되는 부분인 반도체 장치
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3
제2 항에 있어서, 상기 제1 기울기와 상기 제2 기울기는 부호가 서로 다르고,상기 제3 기울기와 상기 제4 기울기는 부호가 서로 다른 반도체 장치
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제2 항에 있어서, 상기 제1 기울기는 상기 제2 기울기보다 작고, 상기 제3 기울기는 상기 제4 기울기보다 작은 반도체 장치
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제1 항에 있어서, 상기 반도체 기판은 상대적으로 고농도로 도핑된 영역을 포함하는 반도체 장치
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제1 항에 있어서, 상기 전극은 스캘럽(scallop) 형상인 반도체 장치
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제1 항에 있어서, 상기 전극은 계단형의 역 피라미드 형상인 반도체 장치
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반도체 기판 상에 절연막을 형성하고, 상기 절연막 및 상기 반도체 기판의 적어도 일부를 식각하여 제1 컨택홀을 형성하고, 상기 절연막 및 상기 반도체 기판 상에 스페이서를 형성하고, 상기 스페이서 및 상기 반도체 기판의 적어도 일부를 식각하여 제2 컨택홀을 형성하는 것을 포함하되, 상기 반도체 기판은 상기 반도체 기판의 측벽의 기울기가 상대적으로 급격하게 변하는 제1 모서리와, 상기 제1 모서리와 다르고 상기 반도체 기판의 측벽의 기울기가 상대적으로 급격하게 변하는 제2 모서리를 포함하는 반도체 장치 제조 방법
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