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실리콘 하부 셀;상기 실리콘 하부 셀 상에 배치되는 페로브스카이트 상부 셀; 및상기 실리콘 하부 셀 및 상기 페로브스카이트 상부 셀 사이에 개재되는 III-V 족 화합물 반도체 중간 셀을 포함하고,상기 실리콘 하부 셀 및 상기 III-V 족 화합물 반도체 중간 셀 사이에는 III-V 족 화합물 반도체 버퍼층이 제공되고,상기 III-V 족 화합물 반도체 버퍼층은 상기 실리콘 하부 셀의 상면과 접촉하는 태양 전지
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제1항에 있어서,상기 실리콘 하부 셀의 상면의 결정 방향과, III-V 족 화합물 반도체 버퍼층의 결정방향은 동일한 태양 전지
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제1항에 있어서, 상기 III-V 족 화합물 반도체 버퍼층은 단결정 층인 태양 전지
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제1항에 있어서, 상기 III-V 족 화합물 반도체 버퍼층은 에피택셜 층인 태양 전지
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제1항에 있어서,상기 III-V 족 화합물 반도체 버퍼층은 0 초과 3μm 의 두께를 가지는 태양 전지
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제1항에 있어서,상기 III-V 족 화합물 반도체 버퍼층은 GaAs 및 InAlGaAs 중 어느 하나를 포함하는 태양 전지
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제1항에 있어서,상기 실리콘 하부 셀은 그 하부에 복수개의 피라미드 형태를 가지는 텍스쳐(texture) 구조를 가지고,상기 텍스쳐 구조를 덮는 비정질 실리콘 층; 및상기 비정질 실리콘 층을 덮는 투명 금속 산화물 층을 더 포함하는 태양 전지
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제1항에 있어서,상기 III-V 족 화합물 반도체 버퍼층 및 상기 III-V 족 화합물 반도체 중간 셀 사이에 개재되는 II-V 족 화합물 반도체 터널 정션(tunnel junction) 층을 더 포함하는 태양 전지
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제8항에 있어서,상기 III-V 족 화합물 반도체 터널 정션 층은 GaAs, AlGaAs, 및 AlGaAsP 중 어느 하나를 포함하는 태양 전지
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제1항에 있어서,상기 III-V 족 화합물 반도체 중간 셀 및 상기 페로브스카이트 상부 셀 사이에 개재되는 III-V 족 화합물 반도체 터널 정션 층 및 투명 금속 산화물 층을 포함하고,상기 투명 금속 산화물 층은 상기 III-V 족 화합물 반도체 터널 정션 층을 사이에 두고 상기 III-V 족 화합물 반도체 중간 셀과 이격하는 태양 전지
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제1항에 있어서,상기 실리콘 하부 셀, 상기 III-V 족 화합물 반도체 중간 셀, 및 상기 페로브스카이트 상부 셀은 각각 제1 에너지 밴드 갭, 제2 에너지 밴드 갭 및 제3 에너지 밴드 갭을 가지고,상기 제3 에너지 밴드 갭은 상기 제2 에너지 밴드 갭보다 크고,상기 제2 에너지 밴드 갭은 상기 제1 에너지 밴드 갭보다 큰 태양 전지
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제11항에 있어서,상기 제1 에너지 밴드 갭은 1
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실리콘 하부 셀을 형성하는 것;상기 실리콘 하부 셀 상에 III-V 족 화합물 반도체 버퍼층을 에피텍셜하게 형성하는 것;상기 III-V 족 화합물 반도체 버퍼층 상에 III-V 족 화합물 반도체 중간 셀을 형성하는 것; 및상기 III-V 족 화합물 반도체 중간 셀 상에 페로브스카이트 상부 셀을 형성하는 것을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 III-V 족 화합물 반도체 중간 셀 및 상기 페로브스카이트 상부 셀의 사이에 개재되는 상에 III-V 족 화합물 반도체 터널 정션 층을 형성하는 것; 및상기 III-V 족 화합물 반도체 터널 정션 층의 상면을 평탄화시키는 것을 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 III-V 족 화합물 반도체 버퍼층 및 상기 III-V 족 화합물 반도체 중간 셀 사이에 III-V 족 화합물 반도체 터널 정션 층을 형성하는 것을 더 포함하고,상기 III-V 족 화합물 반도체 터널 정션 층을 형성하는 것은 상기 III-V 족 화합물 반도체 버퍼층 상에 에피텍셜하게 성장시키는 것을 포함하고,상기 III-V 족 화합물 반도체 중간 셀을 형성하는 것은 상기 III-V 족 화합물 반도체 터널 정션 층 상에 에피텍셜하게 성장시키는 것을 포함하는 태양전지의 제조 방법
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