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탄소나노튜브-환원그래핀산화물-실리콘(CNT-RGO-Si) 복합체로서,상기 탄소나노튜브-환원그래핀산화물-실리콘(CNT-RGO-Si) 복합체는 탄소나노튜브-그래핀산화물-실리콘(CNT-GO-Si) 복합체로부터 열처리하여 환원시켜 제조되고,상기 탄소나노튜브-그래핀산화물-실리콘(CNT-GO-Si) 복합체는 탄소나노튜브-그래핀산화물-실리콘(CNT-GO-Si) 현탁액으로부터 에어로졸 분무 공정에 의해 제조되고,상기 탄소나노튜브-그래핀산화물-실리콘(CNT-GO-Si) 현탁액은 탄소나노튜브-그래핀산화물(CNT-GO) 현탁액에 실리콘(Si)을 첨가하여 제조되고,상기 탄소나노튜브-그래핀산화물(CNT-GO) 현탁액은 탄소나노튜브(CNT)와 그래핀산화물(GO)을 혼합처리하여 비드 밀링(beads mill)공정을 통해 제조되고,상기 탄소나노튜브-환원그래핀산화물-실리콘(CNT-RGO-Si) 복합체는 탄소나노튜브-환원그래핀산화물(CNT-RGO)이 실리콘(Si)을 감싸는 구조이고,상기 탄소나노튜브-그래핀산화물-실리콘(CNT-GO-Si) 복합체는 상기 에어로졸 분무공정에 의해 탄소나노튜브-그래핀산화물(CNT-GO)과 실리콘(Si)의 상호간의 자기조립(self-assembly)으로 탄소나노튜브-그래핀산화물(CNT-GO)이 실리콘(Si)을 감싸는 구조이고,상기 비드 밀링(beads mill)공정의 반복 횟수는 1 내지 5회인 것을 특징으로 하는,탄소나노튜브-환원그래핀산화물-실리콘 복합체
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제1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브-환원그래핀산화물은 산 처리 없이 물리적으로 결합된 탄소 이중층 구조인 것을 특징으로 하며,상기 탄소 이중층 구조는 결합력이 우수한 것을 특징으로 하는,탄소나노튜브-환원그래핀산화물-실리콘 복합체
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제1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브-환원그래핀산화물-실리콘 복합체는 구형의 형태인 것을 특징으로 하는,탄소나노튜브-환원그래핀산화물-실리콘 복합체
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제1항에 있어서,상기 탄소나노튜브-환원그래핀산화물-실리콘(CNT-RGO-Si) 복합체의 크기는 0
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제 1항에 있어서,상기 탄소나노튜브-환원그래핀산화물-실리콘(CNT-RGO-Si) 복합체는 리튬이온배터리의 음극소재로 사용하는 것을 특징으로 하는,탄소나노튜브-환원그래핀산화물-실리콘 복합체
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제 6항에 있어서,상기 탄소나노튜브-환원그래핀산화물-실리콘(CNT-RGO-Si) 복합체는 전류밀도 1C에서 충·방전 100사이클 경과시,90 내지 99
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탄소나노튜브-환원그래핀산화물-실리콘(CNT-RGO-Si) 복합체의 제조 방법으로서,(1) 그래핀산화물(GO)과 탄소나노튜브(CNT)로부터 비드 밀링(beads mill)공정을 통해 탄소나노튜브-그래핀산화물(CNT-GO) 현탁액을 형성하는 단계;(2) 상기 탄소나노튜브-그래핀산화물(CNT-GO) 현탁액에 실리콘 입자를 분산시켜 탄소나노튜브-그래핀산화물-실리콘(CNT-GO-Si) 현탁액를 형성하는 단계;(3) 상기 탄소나노튜브-그래핀산화물-실리콘(CNT-GO-Si) 현탁액은 에어로졸 분무 건조 공정을 통해 용매의 증발 및 탄소나노튜브-그래핀산화물과 실리콘간의 자기조립(self-assembly)에 의해 탄소나노튜브-그래핀산화물-실리콘(CNT-GO-Si) 복합체를 제조하는 단계; 및(4) 상기 탄소나노튜브-그래핀산화물-실리콘(CNT-GO-Si) 복합체를 열환원시켜 탄소나노튜브-환원그래핀산화물-실리콘(CNT-RGO-Si) 복합체를 형성하는 단계; 를 포함하고,상기 (1) 단계에서 비드 밀링(beads mill)공정의 반복 횟수는 1 내지 5회 인 것을 특징으로 하는,탄소나노튜브-환원그래핀산화물-실리콘 복합체의 제조 방법
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제 8항에 있어서,상기 (1) 그래핀 산화물(GO)과 탄소나노튜브(CNT)로부터 비드 밀링(beads mill)공정을 통해 탄소나노튜브-그래핀 산화물 현탁액을 형성하는 단계에서,상기 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브, 이중벽 탄소나노튜브 및 다중벽 탄소나노튜브 중에서 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는,탄소나노튜브-환원그래핀산화물-실리콘 복합체의 제조 방법
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제 8항에 있어서,상기 (1) 그래핀산화물(GO)과 탄소나노튜브(CNT)로부터 비드 밀링(beads milling)공정을 통해 탄소나노튜브-그래핀산화물(CNT-GO) 현탁액을 형성하는 단계에서,상기 탄소나노튜브-그래핀산화물(CNT-GO) 현탁액의 그래핀산화물의 농도는 0
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제 8항에 있어서,상기 (1) 그래핀산화물(GO)과 탄소나노튜브(CNT)로부터 비드 밀링(beads mill)공정을 통해 탄소나노튜브-그래핀산화물(CNT-GO) 현탁액을 형성하는 단계에서,상기 비드 밀링 공정에 사용되는 장비는 비즈 밀(beads mill), 어트리션 밀(attritor mill), 유성형 밀(planetary mill), 진동 밀(vibratory mill), 수직 밀(vertical mill) 수평 밀 (horizontal mill) 및 볼 밀(ball mill) 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 장비를 사용하는 것을 특징으로 하는,탄소나노튜브-환원그래핀산화물-실리콘 복합체의 제조 방법
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제 8항에 있어서,상기 (1) 그래핀산화물(GO)과 탄소나노튜브(CNT)로부터 비드 밀링(beads mill)공정을 통해 탄소나노튜브-그래핀산화물(CNT-GO) 현탁액을 형성하는 단계에서,상기 비드 밀링 공정을 반복할 수 있으며,상기 비드 밀링 공정의 교반 속도는 2000 rpm 내지 4000 rpm인 것을 특징으로 하는,탄소나노튜브-환원그래핀산화물-실리콘 복합체의 제조 방법
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제 8항에 있어서,상기 (2) 탄소나노튜브-그래핀산화물(CNT-GO) 현탁액에 실리콘 입자를 분산시켜 탄소나노튜브-그래핀산화물-실리콘(CNT-GO-Si) 현탁액을 형성하는 단계에서,상기 실리콘 입자의 크기는 0
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제 8항에 있어서,상기 (3) 탄소나노튜브-그래핀산화물-실리콘(CNT-GO-Si) 현탁액은 에어로졸 분무 건조 공정을 통해 용매의 증발 및 탄소나노튜브-그래핀산화물과 실리콘간의 자기조립(self-assembly)에 의해 탄소나노튜브-그래핀산화물-실리콘(CNT-GO-Si) 복합체를 제조하는 단계에서,상기 에어로졸 분무 건조 공정의 온도는 180 ℃ 내지 250 ℃인 것을 특징으로 하는,탄소나노튜브-환원그래핀산화물-실리콘 복합체의 제조 방법
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제 8항에 있어서,상기 (3) 탄소나노튜브-그래핀산화물-실리콘(CNT-GO-Si) 현탁액은 에어로졸 분무 건조 공정을 통해 용매의 증발 및 탄소나노튜브-그래핀산화물과 실리콘간의 자기조립(self-assembly)에 의해 탄소나노튜브-그래핀산화물-실리콘(CNT-GO-Si) 복합체를 제조하는 단계에서,상기 탄소나노튜브-그래핀산화물-실리콘(CNT-GO-Si) 현탁액 내의 탄소나노튜브-그래핀산화물(CNT-GO)의 농도는 0
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제 8항에 있어서,상기 (4) 탄소나노튜브-그래핀산화물-실리콘(CNT-GO-Si) 복합체를 열환원시켜 탄소나노튜브-환원그래핀산화물-실리콘(CNT-RGO-Si) 복합체를 형성하는 단계에서,상기 열환원 반응은 아르곤 또는 질소 분위기하에서 수행되며,상기 열환원 반응 온도는 700 ℃ 내지 1200 ℃인 것을 특징으로 하는,탄소나노튜브-환원그래핀산화물-실리콘 복합체의 제조 방법
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제 8항 내지 제 16항 중 어느 한 항에 있어서,상기 탄소나노튜브-환원그래핀산화물-실리콘 복합체의 제조 방법은 화학약품 처리하는 단계를 포함하지 않는 것을 특징으로 하는,탄소나노튜브-환원그래핀산화물-실리콘 복합체의 제조 방법
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