| 1 |
1
PIN 접합을 통해 빛의 입사에 상응하는 광 전류를 발생시키는 실리콘 광 검출기로서, 금속층;상기 금속층 상에 위치하며 고유한 결정질 실리콘으로 이루어진 진성 반도체층;상기 진성 반도체층 상에 위치하며 n-type으로 도핑된 실리콘으로 이루어진 N형 반도체층;상기 진성 반도체층 상에 위치하며 p-type으로 도핑된 실리콘으로 이루어진 P형 반도체층;상기 N형 반도체층 상에 위치하는 음극; 상기 P형 반도체층 상에 위치하는 양극; 및상기 P형 반도체층 상에 위치하는 무반사막을 포함하되, 상기 무반사막은 상기 제1 층 및 제2 층이 상기 이격층과 함께 구조적 이중층을 이루어 메타물질로 형성되고, 상기 P형 반도체층 상에 위치하며 SiO2로 형성되는 제1 층, 상기 제1 층과 소정 거리만큼 이격되어 SiO2로 형성되는 제2 층, 상기 제1 층과 제2 층 사이에 배치되며 TiO2로 형성되는 이격층을 포함하고, 상기 무반사막은 메타물질로 이루어진 구조적 이중층으로 형성되고, 입사된 빛에 대한 전자기파 반응의 비국소성(nonlocality)을 활용하여 상기 입사된 빛의 주파수 및 입사각도에 따라 유효굴절률(effective refractive index)이 변하는 시공간분산(spatiotemporal dispersion)을 구현하는 무반사막 실리콘 광 검출기
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 제1층, 상기 제2층 및 상기 이격층의 총 두께는, 상기 입사된 빛의 파장보다 작은 두께를 가지며, 상기 제2 층은 상기 제1 층 두께의 7배 내지 9배의 두께로 형성되고, 상기 이격층은 제1 층 두께의 3배 내지 3
|
| 3 |
3
제2항에 있어서, 상기 이격층은 상기 입사된 빛의 중심 파장인 750nm의 0
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 제1 층, 상기 제2 층 및 상기 이격층은 스퍼터링 공정을 통해 형성되는 무반사막 실리콘 광 검출기
|
| 5 |
5
SiO2로 형성되는 제1 층; 상기 제1 층과 소정 거리만큼 이격되어 SiO2로 형성되는 제2 층; 및상기 제1 층과 제2 층 사이에 배치되며 TiO2로 형성되는 이격층을 포함하되, 상기 제1 층 및 제2 층은 상기 이격층과 함께 구조적 이중층을 이루어 메타물질로 형성되고, 입사된 빛에 대한 전자기파 반응의 비국소성(nonlocality)을 활용하여 상기 입사된 빛의 주파수 및 입사각도에 따라 유효굴절률(effective refractive index)이 변하는 시공간분산(spatiotemporal dispersion)을 구현하는 무반사막
|
| 6 |
6
제5항에 있어서, 상기 제1층, 상기 제2층 및 상기 이격층의 총 두께는, 상기 입사된 빛의 파장보다 작은 두께를 가지며, 상기 제2 층은 상기 제1 층 두께의 7배 내지 9배의 두께로 형성되고, 상기 이격층은 제1 층 두께의 3배 내지 3
|
| 7 |
7
PIN 접합을 통해 빛의 입사에 상응하는 광 전류를 발생시키는 실리콘 광 검출기 제조 방법으로서, 금속층 상에 고유한 결정질 실리콘으로 이루어진 진성 반도체층을 형성하는 단계; 상기 진성 반도체층 상에 n-type으로 도핑된 실리콘으로 이루어진 N형 반도체층을 형성하는 단계;상기 진성 반도체층 상에 p-type으로 도핑된 실리콘으로 이루어진 P형 반도체층을 형성하는 단계;상기 N형 반도체층 및 P형 반도체층 상에 음극 및 양극을 구성하는 금속패드를 형성하는 단계; 및스퍼터를 이용하여 상기 P형 반도체층 상에 무반사막을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 무반사막은, 상기 P형 반도체층 상에 위치하며 SiO2로 형성되는 제1 층, 상기 제1 층과 소정 거리만큼 이격되어 SiO2로 형성되는 제2 층, 상기 제1 층과 제2 층 사이에 배치되며 TiO2로 형성되는 이격층을 포함하고, 상기 무반사막은 상기 제1 층 및 제2 층이 상기 이격층과 함께 구조적 이중층을 이루어 메타물질로 형성되고, 입사된 빛에 대한 전자기파 반응의 비국소성(nonlocality)을 활용하여 상기 입사된 빛의 주파수 및 입사각도에 따라 유효굴절률(effective refractive index)이 변하는 시공간분산(spatiotemporal dispersion)을 구현하는 무반사막 실리콘 광 검출기 제조 방법
|
