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고분자 사슬의 양쪽 또는 한쪽 말단에 설포닐 아자이드기 또는 설포닐 플루오라이드기를 포함하는, 고분자 화합물
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제 1 항에 있어서,상기 고분자는 폴리에스터계 고분자, 폴리에틸렌옥사이드계 고분자, 폴리비닐계 고분자 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 고분자 화합물
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제 2 항에 있어서,상기 폴리에스터계 고분자는 하기 화학식 1로 표시되는 것을 포함하는 것인, 고분자 화합물:[화학식 1](상기 화학식 1 에서,n 은 10 내지 1000 이고,X1 및 X2 는 각각 독립적으로 설포닐 아자이드, 설포닐 플루오라이드, 벤젠설포닐 아자이드, 벤젠설포닐 플루오라이드, 아자이드, 수소 또는 할로겐이고,X1 및 X2 중 적어도 하나는 설포닐 아자이드, 설포닐 플루오라이드, 벤젠설포닐 아자이드 또는 벤젠설포닐 플루오라이드임)
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제 3 항에 있어서,상기 고분자 화합물은 하기 화합물 중 어느 하나를 포함하는 것인, 고분자 화합물:; (상기 화합물에서, n은 10 내지 1000 임)
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제 2 항에 있어서,상기 폴리에틸렌옥사이드계 고분자는 하기 화학식 2로 표시되는 것을 포함하는 것인, 고분자 화합물:[화학식 2](상기 화학식 2 에서,n 은 10 내지 1000 이고,X3 및 X4 는 각각 독립적으로 설포닐 아자이드, 설포닐 플루오라이드, 벤젠설포닐 아자이드, 벤젠설포닐 플루오라이드, 아자이드, 수소 또는 할로겐이고,X3 및 X4 중 적어도 하나는 설포닐 아자이드, 설포닐 플루오라이드, 벤젠설포닐 아자이드 또는 벤젠설포닐 플루오라이드임)
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제 5 항에 있어서,상기 고분자 화합물은 하기 화합물 중 어느 하나를 포함하는 것인, 고분자 화합물:; ;; (상기 화합물에서, n은 10 내지 1000 임)
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제 2 항에 있어서,상기 폴리비닐계 고분자는 하기 화학식 3 또는 4로 표시되는 것을 포함하는 것인, 고분자 화합물:[화학식 3][화학식 4](상기 화학식 3 내지 4 에서,n 은 10 내지 1000 이고,X5 내지 X8 은 각각 독립적으로 설포닐 아자이드, 설포닐 플루오라이드, 벤젠설포닐 아자이드, 벤젠설포닐 플루오라이드, 아자이드, 수소 또는 할로겐이고,X5 및 X6 중 적어도 하나는 설포닐 아자이드, 설포닐 플루오라이드, 벤젠설포닐 아자이드 또는 벤젠설포닐 플루오라이드이고,X7 및 X8 중 적어도 하나는 설포닐 아자이드, 설포닐 플루오라이드, 벤젠설포닐 아자이드 또는 벤젠설포닐 플루오라이드이고,R1 내지 R4 는 각각 독립적으로 수소, 에스테르, 치환될 수 있는 선형 또는 분지형의 C1-C12 알킬, 치환될 수 있는 C3-C12 사이클로알킬, 또는 치환될 수 있는 C6-C18 아릴이고,상기 치환은, 산소, 질소, 황, 선형 또는 분지형의 C1-C6 의 알킬, C6-C20 의 아릴, 할로겐, 알콕시, 트리메틸실릴, 에테르 또는 이들의 조합에 의해 치환되는 것임)
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제 7 항에 있어서,상기 고분자 화합물은 하기 화합물 중 어느 하나를 포함하는 것인, 고분자 화합물:; ; ; ; (상기 화합물에서, n은 10 내지 1000 임)
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다이설파이드 결합을 포함하는 단량체를 중합하여 고분자의 사슬 양쪽 또는 한쪽 말단에 하기 화학식 5 로 표시되는 설포닐 할라이드를 함유하는 중간체를 제조하는 단계; 및상기 설포닐 할라이드를 설포닐 아자이드 또는 설포닐 플루오라이드로 치환하는 단계;를 포함하는,고분자 화합물의 제조 방법:[화학식 5](상기 화학식 5 에서, X9는 Cl, Br 또는 I 임)
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제 9 항에 있어서,상기 중합은 산화 할로겐화 (oxidative halogenation) 반응에 의해 수행되는 것인,고분자 화합물의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 치환하는 단계는 상기 중간체의 양쪽 또는 한쪽 말단에 존재하는 상기 설포닐 할라이드가 무기 화합물과 반응하여 수행되는 것인,고분자 화합물의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 무기 화합물은 아자이드화 나트륨(NaN3), 이불화 칼륨(KHF2) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인,고분자 화합물의 제조 방법
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