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열경화성 고분자 재료가 채워지는 제1 공간 및 제2 공간을 제공하며, 상기 제1 공간을 밀봉하는 제1 캡 및 상기 제2 공간을 밀봉하는 제2 캡을 포함하는 프레임 부재;상기 제1 공간 내에서 상기 고분자 재료 내에 배치되는 제1 FBG 센서;상기 제2 공간 내에서 상기 고분자 재료 내에 배치되는 제2 FBG 센서;상기 제1 공간 내에 설치되는 제1 유전율 센서;상기 제2 공간 내에 설치되는 제2 유전율 센서; 및상기 제1 공간 및 상기 제2 공간에서 상기 고분자 재료가 경화되는 동안 상기 제1 FBG 센서와 상기 제2 FBG 센서를 이용하여 측정한 파장 데이터, 및 상기 제1 유전율 센서 및 상기 제2 유전율 센서를 이용하여 측정한 상기 고분자 재료의 손실 계수를 이용하여 상기 고분자 재료의 물성을 측정하는 컴퓨터 장치; 를 포함하는, 고분자 물성 측정 장치
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제1항에 있어서,상기 프레임 부재에서 상기 제1 공간과 상기 제2 공간 각각은 원통 형상을 갖는 공간인, 고분자 물성 측정 장치
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제2항에 있어서,상기 제1 공간의 높이는 상기 제2 공간의 높이와 같고, 상기 제1 공간의 지름은 상기 제2 공간의 지름보다 작은, 고분자 물성 측정 장치
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제3항에 있어서,상기 고분자 재료에서 측정하고자 하는 물성의 범위에 따라, 상기 제1 공간의 지름과 상기 제2 공간의 지름 사이의 비율이 결정되는, 고분자 물성 측정 장치
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제1항에 있어서,상기 컴퓨터 장치는, 상기 고분자 재료가 경화되는 동안, 시간에 따른 상기 손실 계수의 감소 추세가 최대인 참조 시점을 찾고, 상기 참조 시점 이후의 시구간 동안 상기 파장 데이터를 이용하여 상기 고분자 재료의 물성을 측정하는, 고분자 물성 측정 장치
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제1항에 있어서,상기 프레임 부재에 부착되어 상기 고분자 재료가 경화되는 동안 상기 고분자 재료의 온도를 측정하는 온도 센서; 를 더 포함하며,상기 컴퓨터 장치는, 상기 온도 센서가 측정한 온도로부터 상기 고분자 재료가 경화되는 동안 상기 고분자 재료의 온도 변화로 인한 파장 변화를 나타내는 보정 데이터를 획득하는, 고분자 물성 측정 장치
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제6항에 있어서,상기 컴퓨터 장치는, 상기 고분자 재료가 경화되는 동안 상기 제1 FBG 센서로부터 제1 로우(raw) 파장 데이터를 획득하고 상기 제2 FBG 센서로부터 제2 로우 파장 데이터를 획득하며,상기 제1 로우 파장 데이터와 상기 보정 데이터를 이용하여 상기 제1 공간에서 경화되는 상기 고분자 재료에 대응하는 제1 유효 파장 데이터를 획득하고,상기 제2 로우 파장 데이터와 상기 보정 데이터를 이용하여 상기 제2 공간에서 경화되는 상기 고분자 재료에 대응하는 제2 유효 파장 데이터를 획득하는, 고분자 물성 측정 장치
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제7항에 있어서,상기 컴퓨터 장치는, 상기 제1 로우 파장 데이터에서 상기 보정 데이터를 차감하여 상기 제1 유효 파장 데이터를 획득하고, 상기 제2 로우 파장 데이터에서 상기 보정 데이터를 차감하여 상기 제2 유효 파장 데이터를 획득하는, 고분자 물성 측정 장치
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열경화성 고분자 재료가 채워지는 공간을 제공하며, 상기 공간을 밀봉하는 캡을 포함하는 프레임 부재;상기 공간 내에서 상기 고분자 재료 내에 배치되는 FBG 센서, 상기 고분자 재료의 온도를 측정하는 온도 센서, 및 상기 공간 내에 설치되는 유전율 센서를 포함하는 센서부; 및상기 프레임 부재에 가해지는 열에 의해 상기 고분자 재료가 경화되는 동안, 상기 FBG 센서로부터 획득한 로우 파장 데이터 및 상기 온도 센서로부터 획득한 보정 데이터를 이용하여 상기 고분자 재료의 경화에 의해 상기 FBG 센서에 입사된 빛의 파장 변화를 나타내는 파장 데이터를 생성하고, 상기 유전율 센서로부터 획득한 손실 계수에 의해 추정한 겔화점(gel point) 이후의 시구간 동안 상기 파장 데이터에 기초하여 상기 고분자 재료의 물성을 측정하는 컴퓨터 장치; 를 포함하는, 고분자 물성 측정 장치
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프레임 부재에 열을 가하여, 상기 프레임 부재 내부의 공간에 채워진 고분자 재료의 경화를 시작하는 단계; 상기 고분자 재료와 접촉한 FBG 센서로부터 로우 파장 데이터를 획득하는 단계; 상기 고분자 재료와 접촉한 온도 센서로부터 보정 데이터를 획득하는 단계; 상기 로우 파장 데이터와 상기 보정 데이터를 이용하여 유효 파장 데이터를 획득하는 단계; 상기 고분자 재료와 접촉한 유전율 센서를 이용하여 상기 고분자 재료의 손실 계수를 측정하는 단계; 및상기 유효 파장 데이터 및 상기 손실 계수를 이용하여 상기 고분자 재료의 물성을 측정하는 단계; 를 포함하는, 고분자 물성 측정 방법
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