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유연 기판;상기 유연 기판 상의 회로 소자층;상기 회로 소자층 상의 발광층;상기 유연 기판과 상기 회로 소자층 사이의 제1 봉지 구조체; 및상기 발광층 상의 제2 봉지 구조체를 포함하고,상기 제1 봉지 구조체는 상기 유연 기판의 상면 상에 차례대로 적층되는 제1 무기층, 및 제1 유기층을 포함하고,상기 제1 유기층은 제1 고분자 나노 복합체를 포함하는 유연 유기 발광 소자
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제 1 항에 있어서,상기 제1 고분자 나노 복합체는 제1 고분자 물질 및 상기 제1 고분자 물질 내에 분산된 제1 나노 입자들을 포함하고,상기 제1 나노 입자들은 CdSe, CdS, InP, AgS, CuInS2, GaAs, 실리카 중 적어도 어느 하나를 포함하는 유연 유기 발광 소자
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제 2 항에 있어서,상기 제1 고분자 물질은 아크릴 기반 폴리머(acryl-based polymer), 실리콘 기반 폴리머(silicon-based polymer), 에폭시 기반 폴리머(epoxy-based polymer), 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리카보네이트(PC), 폴리프로필렌(PP), 폴리아크릴산(PAA), 폴리아크릴레이트, 우레탄 아크릴레이트, 폴리에스테르, 폴리에틸렌(PE), 폴리스티렌(PS), 폴리실록산, 폴리실라잔, 중 적어도 어느 하나를 포함하는 유연 유기 발광 소자
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제 1 항에 있어서,상기 발광층과 상기 제2 봉지 구조체 사이에 개재되는 캡핑층을 더 포함하고,상기 제2 봉지 구조체는 상기 캡핑층의 상면 상에 차례대로 적층되는 제2 무기층, 및 제2 유기층을 포함하고,상기 제2 유기층은 제2 고분자 나노 복합체를 포함하는 유연 유기 발광 소자
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제 4 항에 있어서,상기 유연 기판의 상기 상면과 상기 제1 무기층 사이에 개재되는 제1 보호층 및 상기 캡핑층의 상기 상면과 상기 제2 무기층 사이에 개재되는 제2 보호층 중 적어도 어느 하나를 더 포함하고, 상기 제1 및 제2 보호층들은 각각 LiF 또는 AlQ3(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 유연 유기 발광 소자
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제 5 항에 있어서,상기 제1 및 제2 보호층들의 두께는 각각 20nm 내지 40nm이고,상기 제1 및 제2 무기층들의 두께는 각각 20nm 내지 40nm 인 유연 유기 발광 소자
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제 5 항에 있어서,상기 제1 및 제2 무기층들은 각각 산화물, 질화물, 질화산화물 중 적어도 어느 하나를 포함하는 유연 유기 발광 소자
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제 1 항에 있어서,상기 유연 기판은 PET(polyethylene terephthalate), 폴리카보네이트(poly carbonate), PEN(polyethylene naphthalate), 또는 폴리이미드(polyimide) 기판 중 적어도 어느 하나를 포함하는 유연 유기 발광 소자
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제 1 항에 있어서,상기 발광층은 제1 전극, 제2 전극, 및 이들 사이에 개재되는 발광부를 포함하고,상기 제1 전극 및 제2 전극들은 ITO, IZO, 주석 산화물, 그래핀 중 적어도 어느 하나를 포함하고,상기 발광부는 폴리플루오렌(polyfluorene) 유도체, (폴리) 파라페닐렌비닐렌((poly) paraphenylenevinylene) 유도체, 폴리페닐렌(polyphenylene) 유도체, 폴리비닐카바졸(polyvinylcarbazole) 유도체, 폴리티오펜(polythiophene) 유도체, 안트라센(anthracene) 유도체, 부타디엔(butadiene) 유도체, 테트라센(tetracene) 유도체, 디스티릴아릴렌(distyrylarylene) 유도체, 벤자졸(benzazole) 유도체 또는 카바졸(carbazole) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 유연 유기 발광 소자
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유연 기판;상기 유연 기판 상의 회로 소자층;상기 회로 소자층 상의 발광층;상기 유연 기판과 상기 회로 소자층 사이의 제1 봉지 구조체; 및상기 발광층 상의 제2 봉지 구조체를 포함하고,상기 제1 봉지 구조체는 상기 유연 기판의 상면 상에 차례대로 적층되는 제1 보호층, 제1 무기층, 및 제1 유기층을 포함하고,상기 제1 유기층의 두께는 상기 제1 보호층의 두께 및 상기 제1 무기층의 두께보다 더 큰 유연 유기 발광 소자
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제 10 항에 있어서,상기 제1 보호층은 LiF 또는 AlQ3(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium) 중 적어도 어느 하나를 포함하고,상기 제1 보호층은 상기 유연 기판과 접촉하는 유연 유기 발광 소자
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제 10 항에 있어서,상기 발광층과 상기 제2 봉지 구조체 사이에 개재되는 캡핑층을 더 포함하고,상기 제2 봉지 구조체는 상기 캡핑층의 상면 상에 차례로 적층되는 제2 보호층, 제2 무기층, 및 제2 유기층을 포함하고,상기 제2 보호층은 LiF 또는 AlQ3(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium) 중 적어도 어느 하나를 포함하고,상기 제2 보호층은 상기 캡핑층과 접촉하는 유연 유기 발광 소자
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제 10 항에 있어서,상기 제1 유기층은 고분자 나노 복합체를 포함하고,상기 고분자 나노 복합체는 고분자 물질 및 상기 고분자 물질 내에 분산된 나노 입자들을 포함하고,상기 나노 입자들은 CdSe, CdS, InP, AgS, CuInS2, GaAs, 실리카 중 적어도 어느 하나를 포함하고,상기 고분자 물질은 아크릴 기반 폴리머(acryl-based polymer), 실리콘 기반 폴리머(silicon-based polymer), 에폭시 기반 폴리머(epoxy-based polymer), 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리카보네이트(PC), 폴리프로필렌(PP), 폴리아크릴산(PAA), 폴리아크릴레이트, 우레탄 아크릴레이트, 폴리에스테르, 폴리에틸렌(PE), 폴리스티렌(PS), 폴리실록산, 폴리실라잔, 중 적어도 어느 하나를 포함하는 유연 유기 발광 소자
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제 10 항에 있어서,상기 제1 보호층의 두께는 20 nm 내지 40 nm 이고,상기 제1 무기층의 두께는 20nm 내지 40nm 이고,상기 제1 유기층의 두께는 1 μm 내지 3 μm 유연 유기 발광 소자
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