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하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 R형 또는 S형의 카이랄 공액 고분자:[화학식 1][화학식 2]상기 화학식 1 및 화학식 2에서, n은 1 내지 1500의 정수이고,m은 0 내지 10의 정수이고,R 및 R'는 전지형 또는 사슬형이며, 각각 독립적으로, -H, -CnH2nOH, -CnH(2n+1), -C(CnH(2n+1))(CnH(2n+1)), -COCnH(2n+1), -COCnH2nC(CnH(2n+1))(CnH(2n+1)), -COCnH2nOH 또는 -CnH2nCOOCH3이고, 여기서 n은 0 내지 30의 정수이며, A1 및 A2는 각각 독립적으로, 또는이고, 여기서 상기 p는 각각 0 내지 10의 정수이며, 상기 R1, R2, R3, R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소, C1-30 알킬기 또는 C1-30 알콕시기이고,B는 또는 이고, 여기서 X는 수소 또는 플루오린이고, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13 및 R14는 각각 독립적으로, 수소, C1-30 알킬기 또는 C1-30 알콕시기이다
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2
제1항에 있어서, 상기 A1 및 A2는 각각 독립적으로, 인, 카이랄 공액 고분자
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3
제1항에 있어서, 상기 B는 인, 카이랄 공액 고분자
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4
제1항에 있어서, 상기 카이랄 공액 고분자는 아래 화학식 3 또는 화학식 4로 표시되는 화합물인, 카이랄 공액 고분자:[화학식 3][화학식 4]여기서, n은 1 내지 1500의 정수이다
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5
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 카이랄 공액 고분자를 포함하는 전자 소자
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6
제5항에 있어서, 상기 소자는 원편광 감응성 소자인, 전자 소자
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7
제6항에 있어서, 상기 원편광 감응성 소자의 구동 파장 영역은 근적외선 영역을 포함하는, 전자 소자
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8
제5항에 있어서, 상기 전자 소자는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor)인, 전자 소자
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9
제8항에 있어서, 상기 카이랄 공액 고분자는 전하수송층에 포함되는, 전자 소자
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10
제5항에 있어서, 상기 전자 소자는 반도체 장치, 광학센서, 광컴퓨팅 장치, 광통신 장치, 암호화 장치, 바이오센서 또는 스핀트로닉스 장치에 포함되는 것인, 전자소자
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11
제5항의 전자소자의 제조방법으로, 상기 카이랄 공액 고분자를 유기용매에 용해시키는 단계;상기 용해된 용액을 기판에 코팅하는 단계; 및상기 기판을 열처리하여 단일층 박막의 전자소자를 제조하는 단계;를 포함하는, 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 유기 용매는 클로로벤젠, 디클로로벤젠, 트리클로로벤젠, 1-클로로나프탈렌, 클로로포름, 테트라하이드로퓨란, 톨루엔 및 디메틸폼아마이드 중 하나 이상을 포함하는, 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 코팅 단계는 스핀코팅(Spin-coating), 블레이드(Blade) 코팅, 바(Bar) 코팅, 드롭캐스팅(Drop-casting) 또는 잉크젯 프린팅(Inkjet Printing)에 의해 코팅하는 것인, 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 스핀 코팅 단계의 스핀 코팅 속도는 500 내지 2500rpm인, 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 열처리 단계는 25 내지 300℃의 온도에서 1분 내지 90분간 열처리하는 것을 포함하는, 제조방법
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