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열전 재료 및 그 형성 방법

  • 기술번호 : KST2024000077
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 열전 재료 및 그 형성 방법이 제공된다. 상기 열전 재료는 하기 화학식 1을 갖는다. [화학식 1] [(Bi2)m(Bi2Ch3)n](1-y)/l[A2Qx]y (상기 화학식 1에서 Ch = Te 또는 Se, A = Li, Na, K, Rb, 또는 Cs, Q = S, Se, 또는 Te, x = 1 ~ 6, 0≤y≤0.4) 상기 열전 재료의 형성 방법은, Bi, Te, Se, 및 A2Qx(A = Li, Na, K, Rb, 또는 Cs, Q = S, Se, 또는 Te, x = 1 ~ 6)를 포함하는 반응물을 밀봉한 후 가열하여 용융시켜 반응시키는 단계, 상기 반응의 결과물을 냉각시켜 잉곳을 형성하는 단계, 및 상기 잉곳을 분말로 분쇄한 후 소결하는 단계를 포함한다.
Int. CL H10N 10/85 (2023.01.01) H10N 10/85 (2023.01.01) H10N 10/01 (2023.01.01) H10N 10/10 (2023.01.01)
CPC H10N 10/853(2013.01) H10N 10/852(2013.01) H10N 10/01(2013.01) H10N 10/10(2013.01)
출원번호/일자 1020220073167 (2022.06.16)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0172690 (2023.12.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2022.06.16)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정인 서울특별시 관악구
2 이형석 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 강문호 대한민국 서울특별시 서초구 사평대로 ** (반포동) 우주빌딩 *층(다민특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2022.06.16 수리 (Accepted) 1-1-2022-0626925-75
2 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2022.08.11 수리 (Accepted) 4-1-2022-5189083-38
3 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2022.10.07 수리 (Accepted) 4-1-2022-5235636-01
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2023.06.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2023.08.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2023-0153641-02
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2023.08.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2023-0775967-13
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2023.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2023-1176139-85
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2023.10.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2023-1176134-57
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번호 청구항
1 1
하기 화학식 1을 갖는 열전 재료
2 2
제 1 항에 있어서,상기 열전 재료는 다결정성을 갖는 것을 특징으로 하는 열전 재료
3 3
제 1 항에 있어서,상기 열전 재료는 n형 반도체인 것을 특징으로 하는 열전 재료
4 4
제 1 항에 있어서,상기 열전 재료는 Bi, Te, Se, 및 A2Qx(A = Li, Na, K, Rb, 또는 Cs, Q = S, Se, 또는 Te, x = 1 ~ 6)를 포함하는 반응물에 대하여 고상합성 반응을 수행하는 것에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 열전 재료
5 5
제 1 항에 있어서,상기 A는 상기 열전 재료의 Bi-Te계 화합물의 층간 자리, 틈새 자리, 및 이온 자리 중 적어도 하나에 위치하는 것을 특징으로 하는 열전 재료
6 6
Bi, Te, Se, 및 A2Qx(A = Li, Na, K, Rb, 또는 Cs, Q = S, Se, 또는 Te, x = 1 ~ 6)를 포함하는 반응물을 밀봉한 후 가열하여 용융시켜 반응시키는 단계;상기 반응의 결과물을 냉각시켜 잉곳을 형성하는 단계; 및상기 잉곳을 분말로 분쇄한 후 소결하는 단계를 포함하는 열전 재료의 형성 방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 열전 재료는 하기 화학식 1을 갖는 것을 특징으로 하는 열전 재료의 형성 방법
8 8
제 6 항에 있어서,상기 열전 재료는 다결정성을 갖는 것을 특징으로 하는 열전 재료의 형성 방법
9 9
제 6 항에 있어서,상기 반응물은 600 ~ 700℃의 온도에서 22 ~ 26시간 가열되는 것을 특징으로 하는 열전 재료
10 10
제 6 항에 있어서,상기 소결은 방전플라즈마소결법을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 열전 재료
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.