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초고집적 반도체 테스트 부품의 고온 신뢰성 향상을 위한 제조방법

  • 기술번호 : KST2024000160
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 단시간의 간단한 공정으로 내구성 및 고온신뢰성이 향상된 반도체 검사용 콘택트 핑거를 얻을 수 있는 UV경화공정을 이용한 반도체 검사용 콘택트 핑거의 절연 코팅 방법이 제안된다. 본 발명에 따른 반도체 검사용 콘택트 핑거의 절연 코팅 방법은 중앙부에 절곡부가 형성되는 콘택트 핑거(contact finger)를 UV 경화성 코팅용액이 담긴 코팅용액용기에 부분 침지하여 딥코팅(Dip coating)함으로써 콘택트 핑거의 중앙부와 일단부에 UV 경화성 코팅부를 형성하는 코팅부 형성단계; 콘택트 핑거의 중앙부에 UV를 조사하는 UV 조사단계; 및 콘택트 핑거의 일단부를 코팅제거액에 침지하여 일단부에 형성된 코팅부를 제거하는 코팅제거단계;를 포함한다.
Int. CL G01R 1/067 (2006.01.01) G01R 3/00 (2006.01.01) G01R 31/28 (2006.01.01)
CPC G01R 1/06761(2013.01) G01R 3/00(2013.01) G01R 31/2863(2013.01) G01R 31/2874(2013.01)
출원번호/일자 1020220077630 (2022.06.24)
출원인 한국전자기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2024-0000877 (2024.01.03) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2022.10.05)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이철승 경기도 성남시 분당구
2 이경일 경기도 성남시 분당구
3 전영무 경기도 용인시 기흥구
4 유영주 서울특별시 은평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남충우 대한민국 서울 강남구 언주로 ***, *층(역삼동, 광진빌딩)(알렉스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2022.06.24 수리 (Accepted) 1-1-2022-0663684-78
2 [심사청구]심사청구서·우선심사신청서
2022.10.05 수리 (Accepted) 1-1-2022-1044859-98
3 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2023.03.14 수리 (Accepted) 4-1-2023-5062703-94
4 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2023.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2023-5067768-12
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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중앙부에 절곡부가 형성되는 콘택트 핑거(contact finger)를 UV 경화성 코팅용액이 담긴 코팅용액용기에 부분 침지하여 딥코팅(Dip coating)함으로써 콘택트 핑거의 중앙부와 일단부에 UV 경화성 코팅부를 형성하는 코팅부 형성단계; 콘택트 핑거의 중앙부에 UV를 조사하는 UV 조사단계; 및콘택트 핑거의 일단부를 코팅제거액에 침지하여 일단부에 형성된 코팅부를 제거하는 코팅제거단계;를 포함하는 반도체 검사용 콘택트 핑거의 절연 코팅 방법
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청구항 1에 있어서, UV 경화성 코팅용액은 용매, 광개시제, 및 UV경화가능한 폴리실라잔(polysilazane), 실세스퀴옥산(Silsesquioxane) 및 실란(Silane) 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 검사용 콘택트 핑거의 절연 코팅 방법
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청구항 1에 있어서, UV 조사단계는, UV조사파장이 254nm 내지 400nm인 것을 특징으로 하는 반도체 검사용 콘택트 핑거의 절연 코팅 방법
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청구항 1에 있어서, 코팅부 형성단계 전에, 콘택트 핑거의 세척 및 표면개질 전처리단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 검사용 콘택트 핑거의 절연 코팅 방법
5 5
청구항 1에 있어서, 코팅부 형성단계 후에, 콘택트 핑거의 예비어닐링 단계;를 더 포함하는 특징으로 하는 반도체 검사용 콘택트 핑거의 절연 코팅 방법
6 6
청구항 1에 있어서, 코팅제거액은 아세톤인 것을 특징으로 하는 반도체 검사용 콘택트 핑거의 절연 코팅 방법
7 7
청구항 1에 있어서, 코팅제거단계 후에, 잔존 코팅제거액을 제거하기 위하여 콘택트 핑거를 상온에서 건조시키는 건조단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 검사용 콘택트 핑거의 절연 코팅 방법
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청구항 1에 따른 반도체 검사용 콘택트 핑거의 절연 코팅 방법에 따라 유연한 절연층 코팅이 형성된 반도체 검사용 콘택트 핑거
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.