| 1 |
1
(a) 이산화 티타늄(TiO2)을 포함하는 담체와, 상기 담체 상에 담지되고 바나듐 산화물(V2O5)과 텅스텐 산화물(W03)을 포함하는 활성 물질을 포함하는 촉매(V2O5- W03/TiO2)를 제조하는 단계;(b) 상기 촉매를 실리카를 포함하는 실리카 용액에 분산시켜 슬러리를 제조하는 단계; 및(c) 상기 슬러리를 기재 상에 코팅하여 촉매 성형체를 제조하는 단계;를 포함하는 촉매 성형체의 제조방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 실리카 용액이 상기 실리카를 0
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 실리카 용액이 상기 실리카를 1 내지 30 wt% 포함하는 것을 특징으로 하는 촉매 성형체의 제조방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 실리카 용액이 물을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 촉매 성형체의 제조방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 실리카가 콜로이달 실리카, 실리카 졸 및 실리카 마이셀로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 촉매 성형체의 제조방법
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 기재가 글라스 파이버, 글라스 울 및 구리 와이어 메쉬로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 촉매 성형체의 제조방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 단계 (a)가(a-1) 바나듐 전구체, 제1 용매 및 제1 유기산을 포함하는 제1 용액을 제조하는 단계;(a-2) 텅스텐 전구체, 제2 용매 및 제2 유기산을 포함하는 제2 용액을 제조하는 단계;(a-3) 이산화 티타늄(TiO2) 및 제3 용매를 포함하는 제3 용액을 제조하는 단계; 및(a-4) 상기 제1 내지 제3 용액을 혼합하고 교반하고 건조하여, 이산화 티타늄(TiO2)을 포함하는 담체와, 상기 담체 상에 담지되고 바나듐 산화물(V2O5) 및 텅스텐 산화물(W03)을 포함하는 활성 물질을 포함하는 촉매를 제조하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 촉매 성형체의 제조방법
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 단계 (a)가(a') 이산화 티타늄(TiO2)을 포함하는 담체와, 상기 담체 상에 담지되고 바나듐 산화물(V2O5)과 텅스텐 산화물(W03)을 포함하는 활성 물질을 포함하는 촉매(V2O5- W03/TiO2)와, 상기 촉매의 표면의 전부 또는 일부 상에 형성되고 질산염(nitrate, NO3-)를 포함하는 표면처리층을 포함하는 촉매(Nitrated V2O5-W03/TiO2)를 제조하는 단계;인 것을 특징으로 하는 촉매 성형체의 제조방법
|
| 9 |
9
제8항에 있어서, 상기 단계 (a')가(a'-1) 바나듐 전구체, 제1 용매 및 제1 유기산을 포함하는 제1 용액을 제조하는 단계;(a'-2) 텅스텐 전구체, 제2 용매 및 제2 유기산을 포함하는 제2 용액을 제조하는 단계;(a'-3) 질산염 전구체 및 제3 용매를 포함하는 제3 용액을 제조하는 단계;(a'-4) 이산화 티타늄(TiO2) 및 제4 용매를 포함하는 제4 용액을 제조하는 단계; 및(a'-5) 상기 제1 내지 제4 용액을 혼합하고 교반하고 건조하여, 이산화 티타늄(TiO2)을 포함하는 담체와, 상기 담체 상에 담지되고 바나듐 산화물(V2O5)과 텅스텐 산화물(W03)을 포함하는 활성 물질을 포함하는 촉매(V2O5- W03/TiO2)와, 상기 촉매의 표면의 전부 또는 일부 상에 형성되고 질산염(nitrate, NO3-)를 포함하는 표면처리층을 포함하는 촉매(Nitrated V2O5-W03/TiO2)를 제조하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 촉매 성형체의 제조방법
|
| 10 |
10
제7항 또는 제9항에 있어서, 상기 바나듐 전구체가 암모늄메타바나데이트(ammonium meta vanadate, AMV), 바나듐옥시트리클로라이드(VOCl3), 바나듐 옥사이드(V2O5), 바나딜 설페이트(VOSO4·xH2O), 바나딜 옥살레이트(VOC2O4·xH2O) 및 바나딜 아세틸아세토네이트(VO(acac)2)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 촉매 성형체의 제조방법
|
| 11 |
11
제7항 또는 제9항에 있어서,상기 텅스텐 전구체가 암모늄메타텅스테이트(Ammonium metatungstate, AMT), 암모늄파라텅스테이트(ammonium para tungstate, APT), 암모늄텅스테이트(H8N2O4W), 암모늄황화텅스테이트(H8N2S4W), 산화텅스텐(WO3) 및 소듐 텅스테이트(Na2WO4)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 촉매 성형체의 제조방법
|
| 12 |
12
제7항 또는 제9항에 있어서,상기 제1 유기산 및 제2 유기산이 각각 옥살산(oxalic acid), 말론산(malonic acid), 숙신산(succinic acid), 글루타르산(glutaric acid), 아디프산(adipic acid), 피멜산(pimelic acid), 수베르산(suberic acid), 아젤라산(azelaic acid), 및 세바식산(sebacic acid)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 촉매 성형체의 제조방법
|
| 13 |
13
제9항에 있어서, 상기 질산염 전구체가 암모늄나이트레이트(NH4NO3), 2-(메틸나이트로아미노)에틸나이트레이트(C3H7N3O5), 메틸N-메틸안트라닐레이트(C9H11NO2), 프로필나이트레이트(C3H7NO3) 및 부틸나이트레이트(C4H9NO3)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 촉매 성형체의 제조방법
|
| 14 |
14
제7항 또는 제9항에 있어서, 상기 제1 내지 제4 용매가 각각 물, 에탄올, IPA 및 메탄올로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 촉매 성형체의 제조방법
|
| 15 |
15
제1항에 있어서,단계 (c)는,(c-1) 상기 슬러리를 기재 상에 코팅하는 단계;(c-2) 상기 기재 상에 코팅된 상기 슬러리를 건조 및 소결하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 촉매 성형체의 제조방법
|
| 16 |
16
제15항에 있어서,상기 소결이 300 내지 700℃ 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 촉매 성형체의 제조방법
|
| 17 |
17
제15항에 있어서,상기 소결이 1 내지 10 시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 촉매 성형체의 제조방법
|
| 18 |
18
제1항에 있어서,상기 촉매 성형체가상기 기재;상기 기재 상에 형성되는 상기 촉매(V2O5-W03/TiO2); 및 상기 촉매의 표면의 전부 또는 일부 상에 형성되고, 실리카(silica)를 포함하는 코팅층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 하는 촉매 성형체의 제조방법
|
| 19 |
19
제8항에 있어서,상기 촉매 성형체가상기 기재;상기 기재 상에 형성되는 상기 촉매(V2O5-W03/TiO2); 상기 촉매의 표면의 전부 또는 일부 상에 형성되고 질산염(nitrate, NO3-)를 포함하는 표면처리층을 포함하는 촉매(Nitrated V2O5-W03/TiO2); 및 상기 표면처리층을 포함하는 촉매(Nitrated V2O5-W03/TiO2)의 표면의 전부 또는 일부 상에 형성되고, 실리카(silica)를 포함하는 코팅층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 하는 촉매 성형체의 제조방법
|
| 20 |
20
제1항에 있어서,상기 촉매 성형체가 플레이트(plate) 형상인 것을 특징으로 하는 촉매 성형체의 제조방법
|
