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게이트 전극;상기 게이트 전극과 중첩되도록 형성되는 채널층;상기 게이트 전극과 상기 채널층 사이에 형성되는 절연층; 및상기 채널층의 양측 단부들에 접속하여 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고,상기 절연층은,제1 반응 가스를 사용하여 형성되는 제1 절연층; 및제2 반응 가스를 사용하여 형성되는 제2 절연층을 포함하는, 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 절연층은 HfOx 절연층이고,상기 제1 반응 가스는 를 포함하고,상기 제2 반응 가스는 를 포함하는, 박막 트랜지스터
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제2항에 있어서,상기 제1 절연층은,상기 게이트 전극 상에 형성되고, 상기 제2 절연층은,상기 제1 절연층 상에 형성되는, 박막 트랜지스터
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제3항에 있어서,상기 제2 절연층의 두께는,상기 제1 절연층의 두께와 다른, 박막 트랜지스터
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제4항에 있어서,상기 제2 절연층의 두께는,상기 제1 절연층의 두께보다 더 얇은, 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 채널층, 상기 소스 전극, 및 상기 드레인 전극 상에 형성되는 보호층(passivation layer)을 더 포함하는, 박막 트랜지스터
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7
기판위에 형성되는 채널층;상기 채널층과 중첩되도록 형성되는 게이트 전극;상기 채널층과 상기 게이트 전극 사이에 형성되는 절연층; 및상기 절연층과 중첩되지 않도록 상기 채널층 상에 형성되는 소스 전극 및 드레인을 포함하고,상기 절연층은,제1 반응 가스를 사용하여 형성되는 제1 절연층; 및제2 반응 가스를 사용하여 형성되는 제2 절연층을 포함하는, 박막 트랜지스터
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8
제7항에 있어서,상기 절연층은 HfOx 절연층이고,상기 제1 반응 가스는 를 포함하고,상기 제2 반응 가스는 를 포함하는, 박막 트랜지스터
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제8항에 있어서,상기 제1 절연층은,상기 채널층 상에 형성되고, 상기 제2 절연층은,상기 제1 절연층 상에 형성되는, 박막 트랜지스터
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10
제9항에 있어서,상기 제1 절연층의 두께는,상기 제2 절연층의 두께와 다른, 박막 트랜지스터
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제10항에 있어서,상기 제1 절연층의 두께는,상기 제2 절연층의 두께보다 더 얇은, 박막 트랜지스터
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제7항에 있어서,상기 기판과 상기 채널층 사이에 형성되는 버퍼층을 더 포함하는, 박막 트랜지스터
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기판 상에 게이트 전극을 형성하는 동작;상기 게이트 전극 상에 반응 가스를 사용하여 제1 절연층 및 제2 절연층을 포함하는 HfOx 절연층을 형성하는 동작;상기 HfOx 절연층 상에 채널층을 형성하는 동작;상기 채널층의 양측 단부들에 접속하는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 동작을 포함하는, 박막 트랜지스터 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 HfOx 절연층을 형성하는 동작은,를 포함하는 제1 반응 가스를 사용하여 상기 제1 절연층을 형성하는 동작; 및를 포함하는 제2 반응 가스를 사용하여 상기 제2 절연층을 형성하는 동작을 포함하는, 박막 트랜지스터 제조 방법
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제14항에 있어서,상기 제2 반응 가스를 사용하여 형성되는 제2 절연층의 두께는,상기 제1 반응 가스를 사용하여 형성되는 제1 절연층의 두께와 다른, 박막 트랜지스터 제조 방법
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제15항에 있어서,상기 제2 반응 가스를 사용하여 형성되는 제2 절연층의 두께는,상기 제1 반응 가스를 사용하여 형성되는 제1 절연층의 두께보다 더 얇은, 박막 트랜지스터 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 채널층, 상기 소스 전극, 및 상기 드레인 전극 상에 보호층을 형성하는 동작을 더 포함하는, 박막 트랜지스터 제조 방법
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