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반도체 메모리 장치의 비트라인 센스앰프 및 비트라인 센싱방법

  • 기술번호 : KST2024000243
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 개시된 일 실시예에 따른 비트라인 센스앰프는 비트라인으로부터 입력 단자를 통하여 입력 신호를 입력받고 제1 신호를 제1 노드로 출력하는 차동 증폭기; 상기 제1 신호를 입력 받고 상기 제1 신호가 변환된 제2 신호를 제2 노드로 출력하는 센싱 인버터; 상기 제2 노드와 상기 차동 증폭기의 포지티브(Positive) 입력을 연결하는 제1 스위치; 상기 제1 노드와 상기 차동 증폭기의 포지티브 입력을 연결하는 제2 스위치;및 상기 제2 노드와 상기 차동 증폭기의 네거티브(Negative) 입력을 연결하는 제3 스위치를 포함하되, 상기 제1 스위치가 닫히는 경우, 상기 입력 신호는 차동 증폭기의 네거티브 단자로 입력되고, 상기 제2 신호는 상기 차동 증폭기의 포지티브 단자로 입력되고, 상기 입력 신호 및 상기 제2 신호에 기초하여 상기 제1 신호에 대한 오프셋 보정 동작을 수행한다.
Int. CL G11C 7/06 (2021.01.01) G11C 7/12 (2006.01.01) H03F 3/45 (2006.01.01)
CPC G11C 7/065(2013.01) G11C 7/12(2013.01) H03F 3/45968(2013.01)
출원번호/일자 1020220067698 (2022.06.02)
출원인 삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0167612 (2023.12.11) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박채환 경기도 수원시 영통구
2 권기원 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2022.06.02 수리 (Accepted) 1-1-2022-0581629-76
2 보정요구서
Request for Amendment
2022.06.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2022-0085742-19
3 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2022.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2022-0684484-80
4 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2023.12.14 수리 (Accepted) 4-1-2023-5331701-35
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번호 청구항
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비트라인으로부터 입력 단자를 통하여 입력 신호를 입력받고 제1 신호를 제1 노드로 출력하는 차동 증폭기;상기 제1 신호를 입력 받고 상기 제1 신호가 변환된 제2 신호를 제2 노드로 출력하는 센싱 인버터;상기 제2 노드와 상기 차동 증폭기의 포지티브(Positive) 입력을 연결하는 제1 스위치;상기 제1 노드와 상기 차동 증폭기의 포지티브 입력을 연결하는 제2 스위치; 및 상기 제2 노드와 상기 차동 증폭기의 네거티브(Negative) 입력을 연결하는 제3 스위치를 포함하되,상기 제1 스위치가 닫히는 경우, 상기 입력 신호는 차동 증폭기의 네거티브 단자로 입력되고, 상기 제2 신호는 상기 차동 증폭기의 포지티브 단자로 입력되고, 상기 입력 신호 및 상기 제2 신호에 기초하여 상기 제1 신호에 대한 오프셋 보정 동작을 수행하는 비트라인 센스앰프
2 2
제1 항에 있어서, 상기 제3 스위치가 닫히는 경우 상기 제2 신호는 상기 차동 증폭기의 네거티브 단자로 입력되고, 상기 차동 증폭기는 상기 입력 신호 및 상기 제2 신호에 기초하여 상기 제1 신호에 대한 제1 피드백(feedback) 동작을 수행하는 비트라인 센스앰프
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제1 항에 있어서,상기 제1 스위치, 상기 제2 스위치 및 상기 제3 스위치가 모두 오픈 되는 경우,상기 입력신호에 기초하여 비트라인 센싱동작을 시작하는 비트라인 센스앰프
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제3 항에 있어서,상기 제2 스위치가 닫히면, 상기 제1 신호를 상기 차동 증폭기의 포지티브입력으로 하고 상기 차동 증폭기의 출력에 기초하여 비트라인 센싱동작을 수행을 하는 비트라인 센스앰프
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제3 항에 있어서,상기 제2 스위치가 닫히면,상기 제1 신호에 대한 제2 피드백(feedback) 동작을 수행하는 비트라인 센스앰프
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제4 항에 있어서,상기 제3 스위치가 닫히면 메모리 셀에 대한 복원 동작을 수행하는 비트라인 센스앰프
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센싱 인버터의 출력과 차동 증폭기의 포지티브(Positive) 입력을 연결하는 제1 스위치, 상기 차동 증폭기의 출력과 상기 차동 증폭기의 포지티브 입력을 연결하는 제2 스위치 및 상기 센싱 인버터의 출력과 상기 차동 증폭기의 네거티브(Negative) 입력을 연결하는 제3 스위치를 포함하는 비트라인 센스앰프에 의하여 수행되는 비트라인 센싱방법에 있어서,비트라인으로부터 입력 단자를 통하여 상기 차동 증폭기에 입력 신호가 입력되고 제1 신호가 제1 노드로 출력되는 단계; 및상기 제1 신호가 입력 되면, 센싱 인버터에 의하여 상기 제1 신호가 변환된 제2 신호가 제2 노드로 출력되는 단계를 포함하되,상기 제1 스위치가 닫히는 경우, 상기 입력 신호는 차동 증폭기의 네거티브 단자로 입력되고, 상기 제2 신호는 상기 차동 증폭기의 포지티브 단자로 입력되고, 상기 입력 신호 및 상기 제2 신호에 기초하여 상기 제1 신호에 대한 오프셋 보정 동작이 수행되는 비트라인 센싱방법
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비트라인으로부터 입력 단자를 통하여 입력 신호를 입력받고 제1 신호를 제1 노드로 출력하는 차동 증폭기;상기 제1 신호를 입력 받고 상기 제1 신호가 변환된 제2 신호를 제2 노드로 출력하는 센싱 인버터;상기 제2 노드와 상기 차동 증폭기의 포지티브(Positive) 입력을 연결하는 제1 스위치;상기 제1 노드와 상기 차동 증폭기의 포지티브 입력을 연결하는 제2 스위치;상기 제2 노드와 상기 차동 증폭기의 네거티브(Negative) 입력을 연결하는 제3 스위치; 및상기 입력 단자를 복수의 비트라인들에 연결하는 스위칭부를 포함하되,상기 제1 스위치가 닫히는 경우, 상기 입력 신호는 차동 증폭기의 네거티브 단자로 입력되고, 상기 제2 신호는 상기 차동 증폭기의 포지티브 단자로 입력되고, 상기 입력 신호 및 상기 제2 신호에 기초하여 상기 제1 신호에 대한 오프셋 보정 동작을 수행하는 비트라인 센스앰프
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제8 항에 있어서, 상기 스위칭부는,더미 라인(Dummy line)들을 포함하지 않는 제1 메모리 블록에 연결되는 제1 스위칭 블록 및 더미 라인들을 포함하는 제2 메모리 블록에 연결되는 제2 스위칭 블록을 포함하는 비트라인 센스앰프
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제9 항에 있어서, 상기 제1 스위칭 블록은,복수의 비트라인 중 적어도 하나를 선택할 수 있는 선택 스위치들을 포함하고, 상기 선택 스위치들 중 어느 하나가 닫히는 경우, 비트라인 센싱동작을 수행하는 비트라인 센스앰프
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.