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기판;상기 기판 상에 위치되어 이차원 반도체 나노시트로 구성된 이차원 반도체 나노시트층;및상기 이차원 반도체 나노시트층 상에 위치되어 복수의 금속 나노플라워 촉매로 구성된 금속 나노플라워층을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 나노플라워 촉매가 균일하게 형성된 대면적 반도체 기판
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제1항에 있어서,상기 이차원 반도체 나노시트는 그래핀, MoS2, MoSe2, WS2 또는 PtSe2 로 구성되는 것을 특징으로 하는 금속 나노플라워 촉매가 균일하게 형성된 대면적 반도체 기판
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제1항에 있어서,상기 금속 나노플라워층은 상기 이차원 반도체 나노시트층 상의 전면적에 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 나노플라워 촉매가 균일하게 형성된 대면적 반도체 기판
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제1항에 있어서,상기 이차원 반도체 나노시트층 상에 형성된 복수의 금속 나노플라워는 단위면적당 입자 밀도가 1
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제1항에 있어서,상기 금속 나노플라워의 직경은 100nm 내지 300nm 인 것을 특징으로 하는 금속 나노플라워 촉매가 균일하게 형성된 대면적 반도체 기판
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기판 상에 이차원 반도체 나노시트 필름을 전사하여 이차원 반도체 나노시트층을 형성하는 단계;상기 이차원 반도체 나노시트층 상에 플라즈마를 조사하여 상기 이차원 반도체 나노시트층 표면에 미세 결함을 형성하는 단계;상기 미세 결함을 가지는 이차원 반도체 나노시트층이 형성된 기판을 촉매 금속 이온이 용해된 전해질에 투입하는 단계;및상기 전해질에 투입된 상기 기판의 이차원 반도체 나노시트층 상에 금속 나노플라워층이 형성되도록 전기 화학 반응을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 나노플라워 촉매가 균일하게 형성된 대면적 반도체 기판 제조방법
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제6항에 있어서,상기 이차원 반도체 나노시트는 그래핀, MoS2, MoSe2, WS2 또는 PtSe2 로 구성되는 것을 특징으로 하는 금속 나노플라워 촉매가 균일하게 형성된 대면적 반도체 기판 제조방법
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제1항에 있어서,상기 이차원 반도체 나노시트층 표면에 미세 결함을 형성하는 단계에서,상기 플라즈마 조사는 비활성 가스 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 금속 나노플라워 촉매가 균일하게 형성된 대면적 반도체 기판 제조방법
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제1항에 있어서,상기 이차원 반도체 나노시트층 표면에 미세 결함을 형성하는 단계에서,상기 플라즈마 방전은 15W 내지 45W 전압에서 수행되는 것을 특징으로 하는 금속 나노플라워 촉매가 균일하게 형성된 대면적 반도체 기판 제조방법
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제1항에 있어서,상기 이차원 반도체 나노시트층 표면에 미세 결함을 형성하는 단계에서,상기 플라즈마 조사는 3분 내지 5분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 금속 나노플라워 촉매가 균일하게 형성된 대면적 반도체 기판 제조방법
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제1항에 있어서,상기 전해질에 투입하는 단계에서,상기 촉매 금속은 백금(Pt), 코발트(Co), 철(Fe), 또는 금(Au) 인 것을 특징으로 하는 금속 나노플라워 촉매가 균일하게 형성된 대면적 반도체 기판 제조방법
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제1항에 있어서,상기 전기 화학 반응을 수행하는 단계에서,상기 전기 화학 반응은 0
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