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기판 상에 ABX3(이 때 A는 1개 이상의 유기 양이온 또는 무기 양이온, B는 Sn을 적어도 포함하고, X는 할로겐이다)를 함유하는 페로브스카이트층을 제조하는 방법으로서,상기 기판 상에 페로브스카이트 전구체 함유 막을 성막하고,상기 페로브스카이트 전구체 함유 막에 불소계 반 용매 단독; 또는 상기 불소계 반 용매와 비 불소계 반 용매의 혼합물을 적하하고 어닐링하는 단계를 포함하는 것인, 페로브스카이트층을 제조하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 불소계 반 용매는 플루오로벤젠, 1,2-디플루오로벤젠, 1,3-디플루오로벤젠, 1,4-디플루오로벤젠, 1,3,5-트리플루오로벤젠, 1,2,4-트리플루오로벤젠, 헥사플루오로벤젠 중 1종 이상을 포함하는 것인, 페로브스카이트층을 제조하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 비 불소계 반 용매는 에스테르류, 에테르류, 비할로겐화 방향족 탄화수소류, 할로겐화 방향족 탄화수소류(이 때, 할로겐은 불소를 제외함) 중 1종 이상을 포함하는 것인, 페로브스카이트층을 제조하는 방법
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제3항에 있어서, 상기 비 불소계 반 용매는 에틸 아세테이트, 디에틸 에테르, 클로로벤젠, 톨루엔 중 1종 이상을 포함하는 것인, 페로브스카이트층을 제조하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 혼합물 중 상기 불소계 반 용매 : 상기 비 불소계 반 용매의 중량비는 1 : 0
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제1항에 있어서, 상기 ABX3은 APbySn1-yX3(0003c#y003c#1, y는 실수)인 것인, 페로브스카이트층을 제조하는 방법
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제6항에 있어서, 상기 ABX3은 APbySn1-yIxF3-X(0003c#y003c#1, 0003c#x≤3, x, y는 각각 실수), APbySn1-yIxCl3-X(0003c#y003c#1, 0003c#x≤3, x, y는 각각 실수) 또는 APbySn1-yIxBr3-X(0003c#y003c#1, 0003c#x≤3, x, y는 각각 실수)인 것인, 페로브스카이트층을 제조하는 방법
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제1항 내지 제7항의 방법으로 제조된 페로브스카이트층을 포함하는 광전 변환 소자
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제1항 내지 제7항의 방법으로 제조된 페로브스카이트층을 포함하는 태양 전지
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