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기판;상기 기판 상에 형성되는 하부전극;상기 하부전극 상에 형성되는 절연체층;상기 절연체층 상에 형성되는 상부전극;상기 절연체층 및 상기 상부전극을 관통하는 정렬홀; 및상기 정렬홀에 수직 정렬되는 LED 로드를 포함하고,상기 하부전극 및 상기 상부전극은 상기 정렬홀 내부에 유전영동력을 발생시키는 유전영동 전극 쌍이고,상기 LED 로드는,상기 유전영동력에 의해 상기 정렬홀에 수직 정렬되는 것을 특징으로 하는,LED 로드 수직 정렬 구조체
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제1항에 있어서,상기 LED 로드는,유체 내에서 상기 유전영동력, 중력, 부력, 및 전기 삼투압 중 적어도 하나의 힘에 의해 이동되는 것을 특징으로 하는,LED 로드 수직 정렬 구조체
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제1항에 있어서,상기 LED 로드의 직경, 상기 정렬홀의 크기, 유전영동 전압, 및 유전영동 주파수에 따라 상기 정렬홀에 수직 정렬되는 상기 LED 로드의 개수가 조절되는 것을 특징으로 하는,LED 로드 수직 정렬 구조체
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제1항에 있어서,상기 LED 로드와 상기 절연체층 사이, 및 상기 LED 로드와 상기 상부전극 사이에 형성되고, 상기 LED 로드를 고정하고, 상기 LED 로드를 보호하는 충진재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는,LED 로드 수직 정렬 구조체
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제1항에 있어서,상기 상부전극 및 상기 LED 로드 상부에 형성되고, 상기 LED 로드에서 방출된 광원이 외부로 출력될 수 있도록 투명성을 가지는 투명전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는,LED 로드 수직 정렬 구조체
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제1항에 있어서,상기 LED 로드는,R-Pixel LED 로드, G-Pixel LED 로드, 및 B-Pixel LED 로드를 포함하고,상기 R-Pixel LED 로드는 상기 기판 상의 R-Pixel 영역에 수직 정렬되고,상기 G-Pixel LED 로드는 상기 기판 상의 G-Pixel 영역에 수직 정렬되고,상기 B-Pixel LED 로드는 상기 기판 상의 B-Pixel 영역에 수직 정렬되는 것을 특징으로 하는,LED 로드 수직 정렬 구조체
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제6항에 있어서,상기 R-Pixel LED 로드, 상기 G-Pixel LED 로드, 및 상기 B-Pixel LED 로드는 유전율, 직경, 질량, 반응속도, 및 반응률이 서로 상이한 것을 특징으로 하는,LED 로드 수직 정렬 구조체
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제6항에 있어서,상기 LED 로드는,유전율, 직경, 질량, 반응속도, 및 반응률에 기초하여 상기 유전영동력이 제어됨에 따라, 상기 R-Pixel 영역, 상기 R-Pixel 영역, 및 상기 R-Pixel 영역 중 어느 하나의 영역에 선택적으로 수직 정렬되는 것을 특징으로 하는,LED 로드 수직 정렬 구조체
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기판 상에 하부전극을 형성하는 단계;상기 하부전극 상에 절연체층을 형성하는 단계;상기 절연체층 상에 상부전극을 형성하는 단계;상기 절연체층 및 상기 상부전극을 관통하는 정렬홀을 형성하는 단계; 및상기 정렬홀에 LED 로드를 수직 정렬하는 단계를 포함하고,상기 하부전극 및 상기 상부전극은 상기 정렬홀 내부에 유전영동력을 발생시키는 유전영동 전극 쌍이고,상기 정렬홀에 LED 로드를 수직 정렬하는 단계는,상기 유전영동력을 이용하여 상기 정렬홀에 상기 LED 로드를 수직 정렬하는 것을 특징으로 하는,LED 로드 수직 정렬 구조체의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 정렬홀에 LED 로드를 수직 정렬하는 단계는,유체 내에서 상기 유전영동력, 중력, 부력, 및 전기 삼투압 중 적어도 하나의 힘을 이용하여 상기 LED 로드를 이동시키는 단계; 및상기 LED 로드의 직경, 상기 정렬홀의 크기, 유전영동 전압, 및 유전영동 주파수에 따라 상기 정렬홀에 수직 정렬되는 상기 LED 로드의 개수를 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는,LED 로드 수직 정렬 구조체의 제조 방법
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