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페로브스카이트 광전소자 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2024000347
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 페로브스카이트 광전소자 및 이의 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 하부 전극 상에 형성된 전자 전달층; 상기 전자 전달층 상에 형성된 페로브스카이트 광활성층; 상기 페로브스카이트 광활성층 상에 형성된 유무기 복합 정공 전달층; 및 상기 유무기 복합 정공 전달층 상에 형성된 상부 전극;을 포함하고, 상기 유무기 복합 정공 전달층은 무기 정공 전달체 및 유기 바인더를 포함하는 것을 특징것을 특징으로 한다.
Int. CL H10K 30/00 (2023.01.01) H10K 30/80 (2023.01.01)
CPC H10K 30/10(2013.01) H10K 30/30(2013.01) H10K 30/81(2013.01)
출원번호/일자 1020220076862 (2022.06.23)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2024-0000198 (2024.01.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2022.06.23)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임상혁 경기도 화성
2 허진혁 서울특별시 성북구
3 이성환 서울특별시 성동구
4 기민정 충청남도 태안군
5 이형준 경기도 용인시 수지구
6 박진경 서울특별시 종로구
7 홍석영 경기도 안양시 동안구
8 김봉우 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김연권 대한민국 서울 송파구 송파대로 *** (문정동, 송파 테라타워*) B동 ****호(시안특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2022.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2022-0657884-17
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2023.07.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
하부 전극 상에 형성된 전자 전달층;상기 전자 전달층 상에 형성된 페로브스카이트 광활성층;상기 페로브스카이트 광활성층 상에 형성된 유무기 복합 정공 전달층; 및상기 유무기 복합 정공 전달층 상에 형성된 상부 전극;을 포함하고,상기 유무기 복합 정공 전달층은 무기 정공 전달체 및 유기 바인더를 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전소자
2 2
제1항에 있어서,상기 유무기 복합 정공 전달층은 상기 유기 바인더가 상기 무기 정공 전달체들을 연결하여 패킹 효과(packing effects)를 갖는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전소자
3 3
제1항에 있어서,상기 유무기 복합 정공 전달층 내에 포함되는 상기 유기 바인더의 농도에 따라 상기 유무기 복합 정공 전달층의 모폴로지(morphology)가 조절되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전소자
4 4
제3항에 있어서,상기 유무기 복합 정공 전달층 내에 포함되는 상기 유기 바인더의 농도는 0
5 5
제1항에 있어서,상기 무기 정공 전달체는 산화물 반도체, 황화물 반도체, 할로겐화물 반도체 및 시안화물 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전소자
6 6
제1항에 있어서,상기 유기 바인더는 PTAA(poly(triarylamine)), spiro-MeOTAD(2,2',7'-tetrakis-(N,N-di-p-methoxyphenyl-amine)-9,9'spirobifluorene), P3HT(poly[3-hexylthiophene]), MDMO-PPV(poly[2-methoxy-5-(3',7'-dimethyloctyloxyl)]-1,4-phenylene vinylene), MEH-PPV(poly[2-methoxy-5-(2''-ethylhexyloxy)-p-phenylene vinylene]), P3OT(poly(3-octylthiophene)), P3DT(poly(3-decylthiophene)), P3DDT(poly(3-dodecylthiophene)), PPV(poly(p-phenylene vinylene)), TFB(poly(9,9'-dioctylfluorene-co-N-(4-butylphenyl)diphenylamine)), PCPDTBT(poly[2,1,3-benzothiadiazole-4,7-diyl[4,4-bis(2-ethylhexyl-4H-cyclopenta[2,1-b:3,4-b']dithiophene-2,6-diyl)]]), Si-PCPDTBT(poly[(4,4′-bis(2-ethylhexyl)dithieno[3,2-b:2′,3′-d]silole)-2,6-diyl-alt-(2,1,3-benzothiadiazole)-4,7-diyl]), PBDTTPD(poly((4,8-diethylhexyloxyl)benzo([1,2-b:4,5-b']dithiophene)-2,6-diyl)-alt-((5-octylthieno[3,4-c]pyrrole-4,6-dione)-1,3-diyl)), PFDTBT(poly[2,7-(9-(2-ethylhexyl)-9-hexyl-fluorene)-alt-5,5-(4',7,-di-2-thienyl-2',1',3'-benzothiadiazole)]), PFO-DBT(poly[2,7-
7 7
제1항에 있어서,상기 페로브스카이트 광활성층은 하기 화학식 1로 표시되는 페로브스카이트 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전소자
8 8
제1항에 있어서,상기 상부 전극은 카본블랙, 카본나노튜브, 그래핀, 맥신 및 그래파이트 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전소자
9 9
하부 전극 상에 전자 전달층을 형성하는 단계;상기 전자 전달층 상에 페로브스카이트 광활성층을 형성하는 단계;상기 페로브스카이트 광활성층 상에 유무기 복합 정공 전달층을 형성하는 단계; 및상기 유무기 복합 정공 전달층 상에 상부 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 유무기 복합 정공 전달층은 무기 정공 전달체 및 유기 바인더를 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전소자의 제조방법
10 10
제9항에 있어서,상기 전자 전달층, 상기 페로브스카이트 광활성층, 상기 유무기 복합 정공 전달층 및 상기 상부 전극은 스프레이 코팅으로 형성되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전소자의 제조방법
11 11
제9항에 있어서,상기 유무기 복합 정공 전달층은 상기 유기 바인더가 상기 무기 정공 전달체들을 연결하여 패킹 효과(packing effects)를 갖는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전소자의 제조방법
12 12
제9항에 있어서,상기 유무기 복합 정공 전달층 내에 포함되는 상기 유기 바인더의 농도에 따라 상기 유무기 복합 정공 전달층의 모폴로지(morphology)가 조절되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전소자의 제조방법
13 13
제12항에 있어서,상기 유무기 복합 정공 전달층 내에 포함되는 상기 유기 바인더의 농도는 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.