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반투명 페로브스카이트 광전소자에 있어서,상기 반투명 페로브스카이트 광전소자는 개구부에 의해 분리된 적어도 둘 이상의 페로브스카이트 광전소자 구조체를 포함하고,상기 적어도 둘 이상의 페로브스카이트 광전소자 구조체는,하부전극 상에 형성되는 정공 전달층;상기 정공 전달층 상에 형성되는 페로브스카이트 광활성층;상기 페로브스카이트 광활성층 상에 형성되는 패시베이션층;상기 패시베이션층 상에 형성되는 상기 전자 전달층; 및상기 전자 전달층 상에 형성되는 상부전극;을 포함하며,상기 반투명 페로브스카이트 광전소자는 개구부에 따라 광투과도가 제어되는 것을 특징으로 하는 반투명 페로브스카이트 광전소자
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제1항에 있어서,상기 적어도 둘 이상의 페로브스카이트 광전소자 구조체는 상기 개구부를 통해 병렬로 연결된 것을 특징으로 하는 반투명 페로브스카이트 광전소자
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제1항에 있어서,상기 반투명 페로브스카이트 광전소자의 평균 가시 투과율(Average visible transmittance; AVT)는 5 % 내지 100 %인 것을 특징으로 하는 반투명 페로브스카이트 광전소자
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제1항에 있어서,상기 개구부에 의한 상기 반투명 페로브스카이트 광전소자의 개구율(GFF)은 5 % 내지 100 %인 것을 특징으로 하는 반투명 페로브스카이트 광전소자
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제1항에 있어서,상기 개구부는,상기 하부전극 상에 형성되는 상기 패시베이션층;상기 패시베이션층 상에 형성되는 상기 전자 전달층; 및상기 전자 전달층 상에 형성되는 상기 상부전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반투명 페로브스카이트 광전소자
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제1항에 있어서,상기 개구부의 형상은 라인(line), 원형, 타원형 및 다각형 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반투명 페로브스카이트 광전소자
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제6항에 있어서,상기 개구부의 라인 개수는 1개 내지 100개인 것을 특징으로 하는 반투명 페로브스카이트 광전소자
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제6항에 있어서,상기 제2 개구부의 선 폭은 10 ㎛ 내지 1000 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 반투명 페로브스카이트 광전소자
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제1항에 있어서,상기 개구부는 레이저 패터닝 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 반투명 페로브스카이트 광전소자
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제1항에 있어서,상기 패시베이션층에 따라 상기 반투명 페로브스카이트 광전소자의 저항이 조절되는 것을 특징으로 하는 반투명 페로브스카이트 광전소자
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제1항에 있어서,상기 패시베이션층의 두께는 0
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제1항에 있어서,상기 하부전극 및 상기 상부전극은 인듐 주석 산화물(ITO;Indium Tin Oxide), 불소 도핑된 주석 산화물(FTO;Fluorinedoped tin oxide), 인듐 아연 산화물(Indium Zinc Oxide), 알루미늄 도핑된 아연 산화물(AZO;Aluminium-doped Zinc Oxide), 안티몬 도핑된 주석 산화물(ATO;Antimony-doped Tin Oxide), 갈륨 도핑된 아연 산화물(GZO;Gallium-doped Zinc Oxide), 인듐 아연 주석 산화물(IZTO:Indium Zinc Tin Oxide), 그래핀(Graphene), 탄소 나노튜브(Carbon nanotube), PEDOT:PSS (poly(3,4-ethylenedioxythiophene)poly(styrenesulfonate)), 티타늄 탄화물 및 은 나노와이어 (Silver nanowire) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 반투명 페로브스카이트 광전소자
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반투명 페로브스카이트 광전소자의 제조방법에 있어서,하부전극 상에 정공 전달층을 형성하는 단계;상기 정공 전달층 상에 페로브스카이트 광활성층을 형성하는 단계;상기 정공 전달층 및 상기 페로브스카이트 광활성층을 패터닝하는 단계;상기 하부전극 및 상기 패터닝된 페로브스카이트 광활성층 상에 패시베이션층을 형성하는 단계;상기 패시베이션층 상에 전자 전달층을 형성하는 단계;상기 전자 전달층 상에 상부전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 반투명 페로브스카이트 광전소자는 상기 정공 전달층 및 상기 페로브스카이트 광활성층을 패터닝하는 단계에 의해 개구부에 의해 분리된 적어도 둘 이상의 페로브스카이트 광전소자 구조체를 포함하며,상기 개구부에 따라 상기 반투명 페로브스카이트 광전소자의 광투과도가 제어되는 것을 특징으로 하는 반투명 페로브스카이트 광전소자
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제13항에 있어서,상기 정공 전달층 및 상기 페로브스카이트 광활성층을 패터닝하여 개구를 형성하는 단계는,레이저 패터닝 공정에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 반투명 페로브스카이트 광전소자
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제13항에 있어서,상기 레이저 패터닝 공정의 스크라이빙 속도는 1 mm s-1 내지 5,000 mm s-1 인 것을 특징으로 하는 반투명 페로브스카이트 광전소자
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