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2차원 상전이 물질 기반 소자에 있어서, 상부 전극; 하부 전극; 및 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극 사이에 개재된 채, 전압이 인가됨에 응답하여 반도체 구조상 및 준금속성 구조상 사이에서 상변화를 발생시키는 상변화층을 포함하는 2차원 상전이 물질 기반 소자
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제1항에 있어서,상기 상변화층은, 상기 반도체 구조상 및 상기 준금속성 구조상 각각에서 상이한 전류 값을 갖는 전기적 스위칭과 상기 반도체 구조상 및 상기 준금속성 구조상 각각에서 상이한 광 반사율을 갖는 광 변조를 동시에 수행하는 것을 특징으로 하는 2차원 상전이 물질 기반 소자
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제2항에 있어서, 상기 상변화층은, 문턱 전압 이상의 값을 갖는 제1 전압이 인가됨에 응답하여 상기 반도체 구조상으로부터 상기 준금속성 구조상으로 상변화를 발생시켜 턴 온되고, 상기 제1 전압과 반대 방향의 제2 전압이 인가됨에 응답하여 상기 준금속성 구조상으로부터 상기 반도체 구조상으로 상변화를 발생시켜 턴 오프되는 것을 특징으로 하는 2차원 상전이 물질 기반 소자
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제2항에 있어서, 상기 상변화층은, 가시광 파장 대역의 광 신호에 대해 상기 광 변조를 수행하는 것을 특징으로 하는 2차원 상전이 물질 기반 소자
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제4항에 있어서,상기 상부 전극은, 상기 광 신호를 투과시키기 위해 기 설정된 값 이상의 투명도를 갖는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 2차원 상전이 물질 기반 소자
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제2항에 있어서, 상기 2차원 상전이 물질 기반 소자는, 상기 상변화층이 상기 전기적 스위칭을 수행함에 따라 상기 반도체 구조상에 대응하는 저항 상태 및 상기 준금속성 구조상에 대응하는 저항 상태로 데이터들을 나타내는 메모리로 사용되는 것을 특징으로 하는 2차원 상전이 물질 기반 소자
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제2항에 있어서, 상기 2차원 상전이 물질 기반 소자는, 상기 상변화층이 상기 광 변조를 수행함에 따라 광 변조기로 사용되는 것을 특징으로 하는 2차원 상전이 물질 기반 소자
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8
제6항 또는 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 2차원 상전이 물질 기반 소자는, 상기 메모리 및 상기 광 변조기로 동시에 사용되는 것을 특징으로 하는 2차원 상전이 물질 기반 소자
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제1항에 있어서, 상기 상변화층은, 이텔루륨화 몰리브덴(MoTe2)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 2차원 상전이 물질 기반 소자
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제1항에 있어서,상기 하부 전극은, 광 반사 특성이 기 설정된 값 이상인 물질 또는 상기 상변화층으로의 메탈 이온 침투를 발생시키지 않는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 2차원 상전이 물질 기반 소자
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2차원 상전이 물질 기반 소자에 있어서, 상부 전극; 하부 전극; 및 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극 사이에 개재된 채, 전압이 인가됨에 응답하여 반도체 구조상 및 준금속성 구조상 사이에서 상변화를 발생시킴으로써, 상기 반도체 구조상에서의 전류 값과 상기 준금속성 구조상에서의 전류 값이 상이한 전기적 스위칭 및 상기 반도체 구조상에서의 광 반사율과 상기 준금속성 구조상에서의 광 반사율이 상이한 광 변조를 동시에 수행하는 상변화층을 포함하는 2차원 상전이 물질 기반 소자
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메모리 및 광 변조기로 동시에 사용되는 소자를 구성하도록 상부 전극 및 하부 전극 사이에 개재되는 상변화층에 있어서,상기 상변화층은, 전압이 인가됨에 응답하여 반도체 구조상 및 준금속성 구조상 사이에서 상변화를 발생시키는 상변화층
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13
제12항에 있어서,상기 상변화층은, 상기 반도체 구조상 및 상기 준금속성 구조상 각각에서 상이한 전류 값을 갖는 전기적 스위칭과 상기 반도체 구조상 및 상기 준금속성 구조상 각각에서 상이한 광 반사율을 갖는 광 변조를 동시에 수행하는 것을 특징으로 하는 상변화층
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제13항에 있어서, 상기 상변화층은, 문턱 전압 이상의 값을 갖는 제1 전압이 인가됨에 응답하여 상기 반도체 구조상으로부터 상기 준금속성 구조상으로 상변화를 발생시켜 턴 온되고, 상기 제1 전압과 반대 방향의 제2 전압이 인가됨에 응답하여 상기 준금속성 구조상으로부터 상기 반도체 구조상으로 상변화를 발생시켜 턴 오프되는 것을 특징으로 하는 상변화층
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제13항에 있어서, 상기 상변화층은, 가시광 파장 대역의 광 신호에 대해 상기 광 변조를 수행하는 것을 특징으로 하는 상변화층
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제15항에 있어서,상기 상변화층은, 상기 상부 전극이 상기 광 신호를 투과시키기 위해 기 설정된 값 이상의 투명도를 갖는 물질로 형성됨에 따라, 상기 광 신호를 수광하는 것을 특징으로 하는 상변화층
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제13항에 있어서,상기 소자는, 상기 상변화층이 상기 전기적 스위칭 및 상기 광 변조를 동시에 수행함으로써 상기 메모리 및 상기 광 변조기로 동시에 사용되는 것을 특징으로 하는 상변화층
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제12항에 있어서, 상기 상변화층은, 이텔루륨화 몰리브덴(MoTe2)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 상변화층
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제12항에 있어서,상기 상변화층은, 광 반사 특성이 기 설정된 값 이상인 물질로 형성되는 가운데, 상기 하부 전극으로부터의 메탈 이온 침투가 발생되지 않는 것을 특징으로 하는 상변화층
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