| 1 |
1
제1스위치와;상기 제1스위치로부터 전송되는 전하를 저장하거나, 저장된 전하를 상기 스위치에 전송하는 캐패시터와;상기 제1스위치와 상기 캐패시터 사이에 전기적으로 연결되며, 상기 제1스위치와 상기 캐패시터 사이의 전하의 전송을 기계적으로 개폐하는 제2스위치;를 포함하는 비휘발성 미케니컬 메모리
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 제1스위치는 MOS(Metal Oxide Silicon) 트랜지스터 또는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor)를 포함하는 반도체 트랜지스터 스위치인 것을 특징으로 하는 비휘발성 미케니컬 메모리
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 제1스위치는 MEMS(Micro Electro Mechanical System) 또는 NEMS(Nano Electro Mechanical System) 스위치를 포함하는 기계적 스위치인 것을 특징으로 하는 비휘발성 미케니컬 메모리
|
| 4 |
4
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 캐패시터는제1전극과;상기 제1전극과 소정의 거리만큼 이격되어 형성된 제2전극과;상기 제1전극과 제2전극의 사이에 형성되어 상기 제1전극과 제2전극을 전기적으로 절연시키는 절연막;을 포함하는 비휘발성 미케니컬 메모리
|
| 5 |
5
제4항에 있어서,상기 제1전극은도전성 반도체 기판 또는 비도전성 기판 위에 형성된 도전성 전극 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 비휘발성 미케니컬 메모리
|
| 6 |
6
제4항에 있어서,상기 절연막은산화막 또는 질화막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 미케니컬 메모리
|
| 7 |
7
제4항에 있어서,상기 제2전극은도전성 플로팅 게이트인 것을 특징으로 하는 비휘발성 미케니컬 메모리
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,상기 플로팅 게이트는구리(Cu), 탄소 나노 튜브(carbon nanotube), 폴리 실리콘(poly silicon) 중의 어느 하나를 포함하는 도전성 물질로 제작되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 미케니컬 메모리
|
| 9 |
9
제1항에 있어서,상기 제2스위치는상기 캐피시터와 소정의 거리만큼 이격된 위치에 형성되며, 상기 제1스위치로부터 인가된 전압에 의한 정전기력에 의해 상기 캐패시터와 접촉하는 이동전극;을 포함하는 비휘발성 미케니컬 메모리
|
| 10 |
10
제9항에 있어서,상기 제2스위치는상기 이동전극과 연결되며, 상기 캐패시터와 접촉한 이동전극을 탄성력에 의하여 원위치로 복귀시키는 탄성체;를 추가로 포함하는 비휘발성 미케니컬 메모리
|
| 11 |
11
제9항에 있어서,상기 제2스위치는 탄성력이 있는 재질로 형성되며, 상기 제1스위치로부터 인가된 전압에 의한 정전기력이 없어진 경우, 탄성력에 의하여 원위치로 복귀하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 미케니컬 메모리
|
| 12 |
12
제9항에 있어서,상기 이동전극은 구리, 탄소 나노 튜브, 폴리 실리콘 중의 어느 하나를 포함하는 도전성 물질로 제작되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 미케니컬 메모리
|
| 13 |
13
제10항에 있어서,상기 탄성체는 구리, 탄소 나노 튜브, 폴리 실리콘 중의 어느 하나를 포함하는 도전성 물질로 제작되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 미케니컬 메모리
|
| 14 |
14
제9항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,상기 이동전극에서 상기 캐패시터와 접촉하는 영역에는 돌출형상을 갖는 하나 또는 둘 이상의 딤플이 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 미케니컬 메모리
|
| 15 |
15
제14항에 있어서,상기 딤플의 높이는 상기 이동전극과 상기 캐패시터 사이의 간격보다 상대적으로 작은 것을 특징으로 하는 비휘발성 미케니컬 메모리
|
