| 1 |
1
어드레스 경로를 통해 전송되고 메모리의 로우 어드레스(Row Address) 또는 컬럼 어드레스(Column Address)로 변환되는 메모리 어드레스의 모니터링 방법에 있어서,
메모리 명령에 따라 메모리의 데이터 단자에 상기 어드레스 경로를 연결할 지 결정하는 경로 결정 신호를 생성하는 단계; 및
상기 경로 결정 신호에 따라 상기 메모리의 데이터 단자에 상기 어드레스 경로가 연결되면, 상기 메모리의 데이터 단자를 통해 상기 메모리 어드레스가 모니터링되도록 상기 메모리의 데이터 단자에 상기 메모리 명령에 상응하는 메모리 어드레스를 전송하는 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 어드레스의 모니터링 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,
상기 경로 결정 신호는 상기 메모리로 상기 메모리 명령에 상응하는 메모리 데이터가 송신되거나 상기 메모리로부터 상기 메모리 데이터가 수신되기 전에 상기 어드레스 경로가 상기 메모리의 데이터 단자에 연결되도록 결정하는 것을 특징으로 하는 메모리 어드레스의 모니터링 방법
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,
상기 경로 결정 신호는 상기 메모리 데이터가 송신되거나 수신되기 1 메모리 클락 전에 1 클락 메모리 주기 동안 상기 메모리의 데이터 단자가 상기 어드레스 경로에 연결되도록 결정하는 것을 특징으로 하는 메모리 어드레스의 모니터링 방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,
상기 경로 결정 신호는 상기 메모리의 데이터 단자에 데이터 경로 및 상기 어드레스 경로 중 어느 하나를 연결할 지 결정하는 것을 특징으로 하는 메모리 어드레스의 모니터링 방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,
상기 메모리 명령은 쓰기 데이터 전송 명령, 쓰기 명령, 및 CL(Cas Latency)에 따른 읽기 명령 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 메모리 어드레스의 모니터링 방법
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,
상기 경로 결정 신호는 상기 CL에 따라 상기 어드레스 경로가 상기 메모리의 데이터 단자에 연결되는 시간 구간을 결정하는 것을 특징으로 하는 메모리의 어드레스의 모니터링 방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,
쓰기 메모리 데이터가 데이터 경로를 통해 전송되거나 상기 메모리의 데이터 단자로부터 읽기 메모리 데이터가 수신되고 상기 어드레스 경로와 상기 메모리의 데이터 단자가 연결된 경우, 상기 연결을 끊고 상기 데이터 경로를 상기 메모리의 데이터 단자에 연결하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 어드레스의 모니터링 방법
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,
상기 경로 결정 신호는 nWE 신호가 하이(High) 전압 레벨인 시간 구간에서 상기 메모리의 DQ신호 시퀀스 중 1번째 DQ신호가 상기 메모리 어드레스가 되도록 상기 어드레스 경로에 대한 연결 여부를 결정하는 것을 특징으로 하는 메모리 어드레스의 모니터링 방법
|
| 9 |
9
어드레스 경로를 통해 전송되고 메모리의 로우 어드레스 또는 컬럼 어드레스로 변환되는 메모리 어드레스의 모니터링 장치에 있어서,
메모리 명령에 따라 메모리의 데이터 단자에 상기 어드레스 경로를 연결할 지 결정하는 경로 결정 신호를 생성하는 경로 결정 신호 생성부; 및
상기 경로 결정 신호에 따라 상기 메모리의 데이터 단자에 상기 어드레스 경로를 연결하고, 상기 메모리의 데이터 단자를 통해 상기 메모리 어드레스가 모니터링되도록 상기 메모리의 데이터 단자에 상기 메모리 명령에 상응하는 메모리 어드레스를 전송하는 경로 변환부;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 어드레스의 모니터링 장치
|
| 10 |
10
제9항에 있어서,
상기 경로 결정 신호 생성부는 상기 메모리로 상기 메모리 명령에 상응하는 메모리 데이터가 송신되거나 상기 메모리로부터 상기 메모리 데이터가 수신되기 전에 상기 어드레스 경로가 상기 메모리의 데이터 단자에 연결되게 하는 상기 경로 결정 신호를 생성하는 것을 특징으로 하는 메모리 어드레스의 모니터링 장치
|
| 11 |
11
제10항에 있어서,
상기 경로 결정 신호 생성부는 상기 메모리 데이터가 송신되거나 수신되기 1 메모리 클락 전에 1 클락 메모리 주기 동안 상기 메모리의 데이터 단자가 상기 어드레스 경로에 연결되게 하는 상기 경로 결정 신호를 생성하는 것을 특징으로 하는 메모리 어드레스의 모니터링 장치
|
| 12 |
12
제9항에 있어서,
상기 경로 결정 신호는 상기 메모리의 데이터 단자에 데이터 경로 및 상기 어드레스 경로 중 어느 하나를 연결할 지 결정하는 것을 특징으로 하는 메모리 어드레스의 모니터링 장치
|
| 13 |
13
제9항에 있어서,
상기 메모리 명령은 쓰기 데이터 전송 명령, 쓰기 명령, 및 CL에 따른 읽기 명령 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 메모리 어드레스의 모니터링 장치
|
| 14 |
14
제13항에 있어서,
상기 경로 결정 신호 생성부는 상기 CL에 따라 상기 어드레스 경로가 상기 메모리의 데이터 단자에 연결되는 시간 구간을 결정하는 상기 경로 생성 신호를 생성하는 것을 특징으로 하는 메모리의 어드레스의 모니터링 장치
|
| 15 |
15
제9항에 있어서,
상기 경로 변환부는 쓰기 메모리 데이터가 데이터 경로를 통해 전송되거나 상기 메모리의 데이터 단자로부터 읽기 메모리 데이터가 수신되고 상기 어드레스 경로와 상기 메모리의 데이터 단자가 연결된 경우, 상기 연결을 끊고 상기 데이터 경로를 상기 메모리의 데이터 단자에 연결하는 것을 특징으로 하는 메모리 어드레스의 모니터링 장치
|
| 16 |
16
제9항에 있어서,
상기 경로 결정 신호 생성부는 nWE 신호가 하이 전압 레벨인 시간 구간에서 상기 메모리의 DQ신호 시퀀스 중 1번째 DQ신호가 상기 메모리 어드레스가 되도록 상기 어드레스 경로에 대한 연결 여부를 결정하는 상기 경로 결정 신호를 생성하는 것을 특징으로 하는 메모리 어드레스의 모니터링 장치
|
