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직접메탄올 연료전지용 고분자 전해질 복합막의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014051319
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 직접메탄올 연료전지용 고분자 전해질 복합막의 제조 방법은, 직접메탄올 연료전지용 고분자 전해질 막의 한쪽면 또는 양쪽면의 전체 또는 부분에 대하여 표면 처리 과정을 거치는 직접메탄올 연료전지용 복합막 제조 방법으로서, 상기 표면 처리 과정은 플라즈마 처리를 사용하여 고분자 전해질 막의 표면을 처리하는 단계(a); 및 상기 표면 처리 후, 플라즈마 유도 고분자 전해질막의 전체 또는 일부 표면에 그래프팅 반응을 진행시켜 상기 전해질막의 표면에 새로운 고분자 필름을 코팅하는 단계(b)를 포함하여 구성되며, 상기 단계(b)에서, 가교제를 모노머에 대하여 1 내지 5 몰%로 첨가하는 것을 특징으로 한다.본 발명에 의한 직접메탄올 연료전지용 고분자 전해질 복합막의 제조 방법에 있어서, 상기 플라즈마 처리시 플라즈마 조사에 사용되는 기체는 아르곤, 물, 공기, 질소, 산소, 수소, 프레온 기체, 및 메탄, 에탄, 에틸렌, 아세틸렌, 프로판, 부탄을 포함하는 탄화수소 기체로 구성되는 군으로부터 1 이상 선택되는 것을 특징으로 한다.본 발명에 의한 직접메탄올 연료전지용 고분자 전해질 복합막의 제조 방법에 있어서, 상기 고분자 전해질 막은 과불소화술폰산 계통인 나피온 막, 다우 케미칼 막, 플레미온 막, 아씨플렉스 막, 밤 막; 탄화수소 계통인 술폰화된 폴리이미드(PI) 막, 폴리에테르에테르케톤(PEEK) 막, 술폰화된 폴리포스포진 막, 술폰화된 폴리에테르술폰(PES) 막, 술폰화된 폴리벤지미다졸 막; 복합막인 프리미어 막, 폴리테트라플로로에틸렌/폴리비닐리덴플로라이드-헥사플로로프로필렌-그래프팅-폴리스티렌 공중합체(PTFE/PVDF-HFP-g-PS) 막, 나피온-실리카 블렌드 막, 나피온-PVDF 블렌드 막, 나피온-포스포텅스틱산(Nafion-phosphotungstic acid) 막; 또는 이온전도성 고분자 전해질이 30 내지 100%, 바람직하게는 70 내지 97% 포함된 복합 고분자 전해질 막인 것을 특징으로 한다.본 발명에 의한 직접메탄올 연료전지용 고분자 전해질 복합막의 제조 방법에 있어서, 상기 플라즈마는 라디오주파수 플라즈마 장치 또는 마이크로파 플라즈마 장치를 이용하여 생성되며, 플라즈마 생성 출력은 10 와트(W) 내지 500 와트, 바람직하게는 50 와트 내지 200 와트의 세기 범위를 가지는 것을 특징으로 한다. 과불소화술폰산, 고분자 전해질 막, 플라즈마, 표면 처리, 그래프팅 반응, 표면 코팅, 메탄올 투과, 연료 전지, 수소이온전도도
Int. CL B82Y 30/00 (2011.01) H01M 4/88 (2011.01) H01M 8/02 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020030025832 (2003.04.23)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0644859-0000 (2006.11.03)
공개번호/일자 10-2004-0092024 (2004.11.03) 문서열기
공고번호/일자 (20061113) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.04.23)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김덕준 대한민국 서울특별시강남구
2 배병찬 대한민국 서울특별시서초구
3 하흥용 대한민국 서울특별시노원구
4 오인환 대한민국 서울특별시노원구
5 홍성안 대한민국 서울특별시강남구
6 임태훈 대한민국 서울특별시송파구
7 남석우 대한민국 서울특별시동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2003-0144462-19
2 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)
2003.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2003-5081320-62
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2004.09.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2004.10.18 수리 (Accepted) 9-1-2004-0064409-32
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2005.03.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0097099-61
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2005.05.02 수리 (Accepted) 1-1-2005-0229923-40
7 의견서
Written Opinion
2005.06.02 수리 (Accepted) 1-1-2005-0294953-12
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.06.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0294963-79
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2005.10.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0515927-55
10 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.11.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0636959-18
11 의견서
Written Opinion
2005.11.04 수리 (Accepted) 1-1-2005-0636960-65
12 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2006.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0239000-95
13 의견서
Written Opinion
2006.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2006-0445887-39
14 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.06.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2006-0445885-48
15 등록결정서
Decision to grant
2006.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0606106-34
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1
직접메탄올 연료전지용 고분자 전해질 막의 한쪽면 또는 양쪽면의 전체 또는 부분에 대하여 표면 처리 과정을 거치는 직접메탄올 연료전지용 복합막 제조 방법으로서, 상기 표면 처리 과정은 플라즈마 처리를 사용하여 고분자 전해질 막의 표면을 처리하는 단계(a); 및상기 표면 처리 후, 플라즈마 유도 고분자 전해질막의 전체 또는 일부 표면에 그래프팅 반응을 진행시켜 상기 전해질막의 표면에 새로운 고분자 필름을 코팅하는 단계(b)를 포함하여 구성되며,상기 단계(b)에서, 가교제를 모노머에 대하여 1 내지 5몰%로 첨가하는 것을 특징으로 하는 직접메탄올 연료전지용 고분자 전해질 복합막의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 플라즈마 처리시 플라즈마 조사에 사용되는 기체는 아르곤, 물, 공기, 질소, 산소, 수소, 프레온 기체, 및 메탄, 에탄, 에틸렌, 아세틸렌, 프로판, 부탄을 포함하는 탄화수소 기체로 구성되는 군으로부터 1 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 직접메탄올 연료전지용 고분자 전해질 복합막의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 고분자 전해질 막은 과불소화술폰산 계통인 나피온 막, 다우 케미칼 막, 플레미온 막, 아씨플렉스 막, 밤 막; 탄화수소 계통인 술폰화된 폴리이미드(PI) 막, 폴리에테르에테르케톤(PEEK) 막, 술폰화된 폴리포스포진 막, 술폰화된 폴리에테르술폰(PES) 막, 술폰화된 폴리벤지미다졸 막; 복합막인 프리미어 막, 폴리테트라플로로에틸렌/폴리비닐리덴플로라이드-헥사플로로프로필렌-그래프팅-폴리스티렌 공중합체(PTFE/PVDF-HFP-g-PS) 막, 나피온-실리카 블렌드 막, 나피온-PVDF 블렌드 막, 나피온-포스포텅스틱산(Nafion-phosphotungstic acid) 막; 또는 이온전도성 고분자 전해질이 30 내지 100% 포함된 복합 고분자 전해질 막인 것을 특징으로 하는 직접메탄올 연료전지용 고분자 전해질 복합막의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 플라즈마는 라디오주파수 플라즈마 장치 또는 마이크로파 플라즈마 장치를 이용하여 생성되며, 플라즈마 생성 출력은 10 와트(W) 내지 500 와트의 세기 범위를 가지는 것을 특징으로 하는 직접메탄올 연료전지용 고분자 전해질 복합막의 제조 방법
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서, 상기 그래프팅 반응에 사용되는 모노머는 스티렌, 스티렌-다이비닐벤젠의 혼합물, 아릴 아민, 아크릴산, 펜텐, 에틸렌, 부타디엔, 사이클로헥센, 비닐아세테이트, 테트라플로로에틸렌, 비닐 플로라이드, 및 비닐리덴 플로라이드로 구성되는 군으로부터 1 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 직접메탄올 연료전지용 고분자 전해질 복합막의 제조 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 모노머에 가교제인 다이비닐벤젠, 에틸렌 글리콜 다이메타아크릴레이트, 다이에틸렌글리콜 다이아크릴레이트, N,N-메틸렌 비스아크릴아마이드, 다이 아릴릭 프탈레이트, 또는 1,3-부탄다이올 다이메타아크릴레이트를 함께 사용하는 것을 특징으로 하는 직접메탄올 연료전지용 고분자 전해질 복합막의 제조 방법
8 8
제1항에 있어서,상기 그래프팅 반응에 의한 코팅막의 두께는 수십 나노미터 내지 수백 마이크로미터인 것을 특징으로 하는 직접메탄올 연료전지용 고분자 전해질 복합막의 제조 방법
9 9
제8항에 있어서,상기 그래프팅 반응에 의한 코팅막의 두께는 1 마이크로미터 내지 20 마이크로미터인 것을 특징으로 하는 직접메탄올 연료전지용 고분자 전해질 복합막의 제조 방법
10 10
제1항에 있어서,상기 플라즈마 유도 그래프팅 반응에 의한 표면 코팅 후, 이온전도도 향상을 위한 술폰화 과정을 더 거치는 단계(c)를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 직접메탄올 연료전지용 고분자 전해질 복합막의 제조 방법
11 11
제1항에 있어서,상기 방법은 전극 이외의 부분에서 연료인 메탄올이 투과되는 것을 방지하기 위하여, 연료전지 전극과 직접 접촉하지 않는 전해질막의 외곽부분을 표면처리하여 연료 투과성 및 이온전도도를 감소시키거나 제거하는 것을 특징으로 하는 직접메탄올 연료전지용 고분자 전해질 복합막의 제조 방법
12 12
제1항에 기재된 방법에 의하여 제조되는 것을 특징으로 하는 직접메탄올 연료전지용 고분자 전해질 복합막
13 13
제1항에 기재된 방법에 의하여 제조되는 직접메탄올 연료전지용 고분자 전해질 복합막을 포함하는 것을 특징으로 하는 전해질막-전극 접합체
14 14
제1항에 기재된 방법에 의하여 제조되는 직접메탄올 연료전지용 고분자 전해질 복합막을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 직접메탄올 연료전지
15 14
제1항에 기재된 방법에 의하여 제조되는 직접메탄올 연료전지용 고분자 전해질 복합막을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 직접메탄올 연료전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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