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메모리 시스템 및 그 관리 방법
- 기술번호 : KST2015011324
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 메모리 시스템은 복수의 계층의 메모리를 포함하는 하는 것으로, 상위 메모리 계층, 상기 상위 메모리 계층 하위에 배치되고, 비휘발성 메모리로 이루어진 제 1 서브 메모리와 휘발성 메모리로 이루어진 제 2 서브 메모리를 병렬구조로 포함하는 중간 메모리 계층, 및 상기 상위 메모리 계층 및 중간 메모리 계층의 동작을 제어하는 메모리 관리 유닛을 포함하되, 상기 중간 메모리 계층은 상기 상위 메모리 계층에 의하여 참조되는 것이고, 상기 메모리 관리 유닛은 상기 메모리 시스템을 포함하는 사용자 단말의 일반 모드 동작시에 상기 제 2 서브 메모리에 저장된 데이터들 중 소정의 조건에 해당하는 데이터를 상기 제 1 서브 메모리에 미리 저장시킨다. |
|---|---|
| Int. CL | G06F 12/00 (2006.01) |
| CPC | G06F 12/0246(2013.01) G06F 12/0246(2013.01) G06F 12/0246(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020130078473 (2013.07.04) |
| 출원인 | 세종대학교산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1469848-0000 (2014.12.01) |
| 공개번호/일자 | 10-2013-0086329 (2013.08.01) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20141208) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | 10-2011-0087509 (2011.08.31) |
| 관련 출원번호 | 1020110087509;1020140001464 |
| 심사청구여부/일자 | Y (2013.07.04) |
| 심사청구항수 | 26 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 세종대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 광진구 능동로 *** (군 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 박기호 | 대한민국 | 서울 성동구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인엠에이피에스 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 세종대학교산학협력단 | 서울특별시 광진구 능동로 *** (군 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [분할출원]특허출원서 [Divisional Application] Patent Application |
2013.07.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0603845-26 |
| 2 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2013.08.06 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0542717-73 |
| 3 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2013.10.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0897251-88 |
| 4 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2013.11.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-1005524-49 |
| 5 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2013.12.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-1119459-64 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2014.01.06 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0012525-60 |
| 7 | [분할출원]특허출원서 [Divisional Application] Patent Application |
2014.01.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0012697-04 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2014.01.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0012523-79 |
| 9 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2014.02.13 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0105275-45 |
| 10 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2014.04.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0334769-56 |
| 11 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2014.05.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0447314-13 |
| 12 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2014.06.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0553213-19 |
| 13 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2014.07.14 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0658188-49 |
| 14 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2014.07.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0658187-04 |
| 15 | 등록결정서 Decision to grant |
2014.11.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0804568-79 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 복수의 계층의 메모리를 포함하는 메모리 시스템에 있어서,상위 메모리 계층,저장 장치 계층,상기 상위 메모리 계층 및 저장 장치 계층 사이에 배치되고, 비휘발성 메모리로 이루어진 제 1 서브 메모리와 휘발성 메모리로 이루어진 제 2 서브 메모리를 병렬구조로 포함하는 중간 메모리 계층 및상기 상위 메모리 계층, 중간 메모리 계층 및 저장 장치 계층의 동작을 제어하는 메모리 관리 유닛을 포함하되,상기 중간 메모리 계층 및 저장 장치 계층은 상기 상위 메모리 계층에 의하여 참조되는 것이고,상기 메모리 관리 유닛은 상기 메모리 시스템을 포함하는 사용자 단말의 일반 모드 동작시에 상기 제 2 서브 메모리에 저장된 데이터들 중 더티 데이터(dirty data)가 된 이후 경과한 시간이 미리 설정된 임계값을 초과하는 경우 해당 더티 데이터를 휴지 모드 진입 전에 상기 제 1 서브 메모리에 미리 저장시키는 메모리 시스템 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서,상기 제 1 서브 메모리는 캐시 메모리로 동작하는 제 1 비휘발성 메모리 및 메인 메모리로 동작하는 제 2 비휘발성 메모리를 포함하고,상기 제 2 서브 메모리는 캐시 메모리로 동작하는 제 1 휘발성 메모리 및 메인 메모리로 동작하는 제 2 휘발성 메모리를 포함하는 메모리 시스템 |
| 3 |
3 삭제 |
| 4 |
4 삭제 |
| 5 |
5 삭제 |
| 6 |
6 제 1 항에 있어서,상기 메모리 관리 유닛은, 상기 데이터들 중 더티 데이터가 더티 상태가 된 이후 경과한 시점이 제 1 임계값보다 작거나, 상기 제 2 서브 메모리에 포함된 더티 데이터의 개수가 제 2 임계값보다 작은 경우, 상기 제 2 서브 메모리에 저장된 클린 데이터(clean data)를 상기 제 1 서브 메모리에 저장시키는 메모리 시스템 |
| 7 |
7 제 1 항에 있어서,상기 메모리 관리 유닛은, 상기 데이터들 중 상기 상위 메모리 계층으로부터 가장 최근에 액세스된 데이터가 더티 데이터인 경우, 상기 제 2 서브 메모리에 저장된 클린 데이터를 상기 제 1 서브 메모리에 저장시키는 메모리 시스템 |
| 8 |
8 제 1 항, 제 2항, 제 6 항, 및 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 메모리 관리 유닛은,상기 제 2 서브 메모리에 저장된 데이터들 중 소정의 조건에 해당하는 데이터를 상기 제 2 서브 메모리의 미리 설정된 영역에 저장시키고, 상기 미리 설정된 영역에 저장된 데이터의 개수가 임계값을 초과하면 해당 데이터들을 상기 제 1 서브 메모리에 저장시키는 메모리 시스템 |
| 9 |
9 제 1 항에 있어서,상기 메모리 관리 유닛은,상기 사용자 단말의 휴지 모드(Idle mode) 진입에 따라 상기 제 2 서브 메모리에 저장된 잔여 데이터를 상기 제 1 서브 메모리에 저장시킨 후 상기 제 2 서브 메모리의 구동을 중지시키는 메모리 시스템 |
| 10 |
10 제 1 항에 있어서,상기 메모리 관리 유닛은,상기 사용자 단말의 온도가 임계값을 초과하면 상기 제 2 서브 메모리에 저장된 잔여 데이터를 상기 제 1 서브 메모리에 저장시킨 후 상기 제 2 서브 메모리의 구동을 중지시키는 메모리 시스템 |
| 11 |
11 제 1 항에 있어서,상기 제 1 서브 메모리는 MRAM, PRAM 및 FRAM 중 하나 이상의 메모리로 이루어진 것인 메모리 시스템 |
| 12 |
12 복수의 계층의 메모리를 포함하는 메모리 시스템에 있어서,상위 메모리 계층,저장 장치 계층,상기 상위 메모리 계층 및 저장 장치 계층 사이에 배치되고, 비휘발성 메모리로 이루어진 제 1 서브 메모리와 휘발성 메모리로 이루어진 제 2 서브 메모리를 병렬구조로 포함하는 중간 메모리 계층 및상기 상위 메모리 계층에 저장된 데이터 중 가장 최근에 참조가 발생한 이후 경과한 시간을 기준으로 상기 제 2 서브 메모리에 저장된 데이터를 휴지 모드 진입 전에 상기 제 1 서브 메모리로 이송시키는 메모리 관리 유닛을 포함하되,상기 메모리 관리 유닛은 상기 가장 최근에 참조가 발생한 이후 경과한 시간이 임계값을 초과한 더티 데이터를 상기 제 1 서브 메모리에 이송시키는 것인 메모리 시스템 |
| 13 |
13 제 12 항에 있어서,상기 메모리 관리 유닛은,상기 메모리 시스템을 포함하는 사용자 단말의 휴지 모드(Idle mode) 진입에 따라 상기 제 2 서브 메모리에 저장된 잔여 데이터를 상기 제 1 서브 메모리에 저장시킨 후 상기 제 2 서브 메모리의 구동을 중지시키는 메모리 시스템 |
| 14 |
14 제 12 항에 있어서,상기 메모리 관리 유닛은,상기 메모리 시스템을 포함하는 사용자 단말의 온도가 임계값을 초과하면 상기 제 2 서브 메모리에 저장된 잔여 데이터를 상기 제 1 서브 메모리에 저장시킨 후 상기 제 2 서브 메모리의 구동을 중지시키는 메모리 시스템 |
| 15 |
15 상위 메모리 계층, 중간 메모리 계층 및 저장 장치 계층을 포함하고, 상기 중간 메모리 계층은 상기 상위 메모리 계층 및 저장 장치 계층 사이에 배치되고, 비휘발성 메모리로 이루어진 제 1 서브 메모리와 휘발성 메모리로 이루어진 제 2 서브 메모리를 병렬구조로 포함하는 메모리 시스템의 메모리 관리 방법에 있어서,(a) 상기 제 2 서브 메모리에 저장된 데이터들 중 미리 설정된 조건에 해당하는 데이터를 상기 제 1 서브 메모리에 저장시키는 단계,(b) 상기 메모리 시스템을 포함하는 사용자 단말의 동작 상태에 따라 상기 제 2 서브 메모리에 저장된 잔여 데이터를 상기 제 1 서브 메모리에 저장시키는 단계 및(c) 상기 잔여 데이터의 저장이 완료되면, 상기 제 2 서브 메모리의 구동을 중지시키는 단계를 포함하되,상기 (a) 단계는더티 데이터(dirty data)가 된 이후 경과한 시간이 미리 설정된 임계값을 초과하는 경우 해당 더티 데이터를 휴지 모드 진입 전에 상기 제 1 서브 메모리에 미리 저장시키는 메모리 관리 방법 |
| 16 |
16 삭제 |
| 17 |
17 삭제 |
| 18 |
18 제 15 항에 있어서,상기 (a) 단계는,상기 미리 설정된 조건에 해당하는 더티 데이터의 발생시에, 상기 제 2 서브 메모리의 미리 설정된 영역에 해당 더티 데이터들을 저장시키는 단계 및 상기 미리 설정된 영역에 저장된 더티 데이터의 개수가 임계값을 초과하거나, 상기 사용자 단말의 휴지 모드 진입에 따라 상기 미리 설정된 영역에 저장된 더티 데이터들을 상기 제 1 서브 메모리에 저장시키는 단계를 포함하는 메모리 관리 방법 |
| 19 |
19 제 15 항에 있어서,상기 (b) 단계는,상기 사용자 단말의 휴지 모드 진입에 따라 상기 제 2 서브 메모리에 저장된 잔여 데이터를 상기 제 1 서브 메모리에 저장시키는 것인 메모리 관리 방법 |
| 20 |
20 제 15 항에 있어서,상기 (b) 단계는,상기 사용자 단말의 온도를 감지하는 단계 및상기 사용자 단말의 온도가 임계값을 초과하면 상기 제 2 서브 메모리에 저장된 잔여 데이터를 상기 제 1 서브 메모리에 저장시키는 단계를 포함하는 메모리 관리 방법 |
| 21 |
21 복수의 계층의 메모리의 동작을 제어하는 메모리 시스템에 있어서,상기 메모리 시스템은 상위 메모리 계층 및 중간 메모리 계층의 동작을 제어하되,상기 중간 메모리 계층은 상기 상위 메모리 계층에 의하여 참조되는 것으로, 상기 상위 메모리 계층의 하위에 배치되고, 비휘발성 메모리로 이루어진 제 1 서브 메모리와 휘발성 메모리로 이루어진 제 2 서브 메모리를 병렬구조로 포함하는 것이고,상기 메모리 시스템은 상기 메모리 시스템을 포함하는 사용자 단말의 일반 모드 동작시에 상기 제 2 서브 메모리에 저장된 데이터들 중 더티 데이터(dirty data)가 된 이후 경과한 시간이 미리 설정된 임계값을 초과하는 경우 해당 더티 데이터를 휴지 모드 진입 전에 상기 제 1 서브 메모리에 미리 저장시키는 메모리 시스템 |
| 22 |
22 복수의 계층의 메모리를 포함하는 메모리 시스템에 있어서,상위 메모리 계층,저장 장치 계층,상기 상위 메모리 계층 및 저장 장치 계층 사이에 배치되고, 비휘발성 메모리로 이루어진 제 1 서브 메모리와 휘발성 메모리로 이루어진 제 2 서브 메모리를 병렬구조로 포함하는 중간 메모리 계층 및상기 상위 메모리 계층, 중간 메모리 계층 및 저장 장치 계층의 동작을 제어하는 메모리 관리 유닛을 포함하되,상기 중간 메모리 계층 및 저장 장치 계층은 상기 상위 메모리 계층에 의하여 참조되는 것이고,상기 메모리 관리 유닛은 상기 메모리 시스템을 포함하는 사용자 단말의 일반 모드 동작시에 상기 제 2 서브 메모리에 저장된 데이터들 중 소정의 조건에 해당하는 데이터를 휴지 모드 진입 전에 상기 제 1 서브 메모리에 미리 저장시키되,상기 제 2 서브 메모리에서 더티 데이터를 교체 후보 블록으로 하는 데이터 교체 이벤트가 발생한 경우, 상기 더티 데이터가 더티 상태가 된 이후부터 상기 데이터 교체 이벤트가 발생한 시점까지 경과한 시간이 미리 설정된 임계값을 초과하면 해당 더티 데이터를 휴지 모드 진입 전에 상기 제 1 서브 메모리에 미리 저장시키는 메모리 시스템 |
| 23 |
23 제 22 항에 있어서,상기 제 1 서브 메모리는 캐시 메모리로 동작하는 제 1 비휘발성 메모리 및 메인 메모리로 동작하는 제 2 비휘발성 메모리를 포함하고,상기 제 2 서브 메모리는 캐시 메모리로 동작하는 제 1 휘발성 메모리 및 메인 메모리로 동작하는 제 2 휘발성 메모리를 포함하는 메모리 시스템 |
| 24 |
24 삭제 |
| 25 |
25 제 22 항 또는 제 23 항에 있어서,상기 메모리 관리 유닛은,상기 제 2 서브 메모리에 저장된 데이터들 중 소정의 조건에 해당하는 데이터를 상기 제 2 서브 메모리의 미리 설정된 영역에 저장시키고, 상기 미리 설정된 영역에 저장된 데이터의 개수가 임계값을 초과하면 해당 데이터들을 상기 제 1 서브 메모리에 저장시키는 메모리 시스템 |
| 26 |
26 제 22 항에 있어서,상기 메모리 관리 유닛은,상기 사용자 단말의 휴지 모드(Idle mode) 진입에 따라 상기 제 2 서브 메모리에 저장된 잔여 데이터를 상기 제 1 서브 메모리에 저장시킨 후 상기 제 2 서브 메모리의 구동을 중지시키는 메모리 시스템 |
| 27 |
27 제 22 항에 있어서,상기 메모리 관리 유닛은,상기 사용자 단말의 온도가 임계값을 초과하면 상기 제 2 서브 메모리에 저장된 잔여 데이터를 상기 제 1 서브 메모리에 저장시킨 후 상기 제 2 서브 메모리의 구동을 중지시키는 메모리 시스템 |
| 28 |
28 제 22 항에 있어서,상기 제 1 서브 메모리는 MRAM, PRAM 및 FRAM 중 하나 이상의 메모리로 이루어진 것인 메모리 시스템 |
| 29 |
29 상위 메모리 계층, 중간 메모리 계층 및 저장 장치 계층을 포함하고, 상기 중간 메모리 계층은 상기 상위 메모리 계층 및 저장 장치 계층 사이에 배치되고, 비휘발성 메모리로 이루어진 제 1 서브 메모리와 휘발성 메모리로 이루어진 제 2 서브 메모리를 병렬구조로 포함하는 메모리 시스템의 메모리 관리 방법에 있어서,(a) 상기 제 2 서브 메모리에 저장된 데이터들 중 미리 설정된 조건에 해당하는 데이터를 상기 제 1 서브 메모리에 저장시키는 단계,(b) 상기 메모리 시스템을 포함하는 사용자 단말의 동작 상태에 따라 상기 제 2 서브 메모리에 저장된 잔여 데이터를 상기 제 1 서브 메모리에 저장시키는 단계 및(c) 상기 잔여 데이터의 저장이 완료되면, 상기 제 2 서브 메모리의 구동을 중지시키는 단계를 포함하되,상기 (a) 단계는, 더티 데이터를 교체 후보 블록으로 하는 데이터 교체 이벤트가 발생한 경우, 상기 더티 데이터가 더티 상태가 된 이후부터 상기 데이터 교체 이벤트가 발생한 시점까지 경과한 시간이 미리 설정된 임계값을 초과하면 해당 더티 데이터를 휴지 모드 진입 전에 상기 제 1 서브 메모리에 미리 저장시키는 메모리 관리 방법 |
| 30 |
30 제 29 항에 있어서,상기 (a) 단계는,상기 미리 설정된 조건에 해당하는 더티 데이터의 발생시에, 상기 제 2 서브 메모리의 미리 설정된 영역에 해당 더티 데이터들을 저장시키는 단계 및 상기 미리 설정된 영역에 저장된 더티 데이터의 개수가 임계값을 초과하거나, 상기 사용자 단말의 휴지 모드 진입에 따라 상기 미리 설정된 영역에 저장된 더티 데이터들을 상기 제 1 서브 메모리에 저장시키는 단계를 포함하는 메모리 관리 방법 |
| 31 |
31 제 29 항에 있어서,상기 (b) 단계는,상기 사용자 단말의 휴지 모드 진입에 따라 상기 제 2 서브 메모리에 저장된 잔여 데이터를 상기 제 1 서브 메모리에 저장시키는 것인 메모리 관리 방법 |
| 32 |
32 제 29 항에 있어서,상기 (b) 단계는,상기 사용자 단말의 온도를 감지하는 단계 및상기 사용자 단말의 온도가 임계값을 초과하면 상기 제 2 서브 메모리에 저장된 잔여 데이터를 상기 제 1 서브 메모리에 저장시키는 단계를 포함하는 메모리 관리 방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | KR101298171 | KR | 대한민국 | FAMILY |
| 2 | KR101502998 | KR | 대한민국 | FAMILY |
| 3 | US20140237190 | US | 미국 | FAMILY |
| 4 | WO2013032101 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| DOCDB 패밀리 정보가 없습니다 | ||||
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1469848-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20130704 출원 번호 : 1020130078473 공고 연월일 : 20141208 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20141124 청구범위의 항수 : 26 유별 : G06F 12/00 발명의 명칭 : 메모리 시스템 및 그 관리 방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 세종대학교산학협력단 서울특별시 광진구 능동로 *** (군... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 529,500 원 | 2014년 12월 02일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 428,400 원 | 2017년 11월 24일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 306,000 원 | 2018년 11월 30일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 306,000 원 | 2019년 10월 14일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 544,000 원 | 2020년 10월 23일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [분할출원]특허출원서 | 2013.07.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0603845-26 |
| 2 | 의견제출통지서 | 2013.08.06 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0542717-73 |
| 3 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2013.10.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0897251-88 |
| 4 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2013.11.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-1005524-49 |
| 5 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2013.12.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-1119459-64 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 | 2014.01.06 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0012525-60 |
| 7 | [분할출원]특허출원서 | 2014.01.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0012697-04 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2014.01.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0012523-79 |
| 9 | 의견제출통지서 | 2014.02.13 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0105275-45 |
| 10 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2014.04.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0334769-56 |
| 11 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2014.05.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0447314-13 |
| 12 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2014.06.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0553213-19 |
| 13 | [명세서등 보정]보정서 | 2014.07.14 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0658188-49 |
| 14 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2014.07.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0658187-04 |
| 15 | 등록결정서 | 2014.11.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0804568-79 |
| 기술번호 | KST2015011324 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 세종대학교 |
| 기술명 | 메모리 시스템 및 그 관리 방법 |
| 기술개요 |
메모리 시스템은 복수의 계층의 메모리를 포함하는 하는 것으로, 상위 메모리 계층, 상기 상위 메모리 계층 하위에 배치되고, 비휘발성 메모리로 이루어진 제 1 서브 메모리와 휘발성 메모리로 이루어진 제 2 서브 메모리를 병렬구조로 포함하는 중간 메모리 계층, 및 상기 상위 메모리 계층 및 중간 메모리 계층의 동작을 제어하는 메모리 관리 유닛을 포함하되, 상기 중간 메모리 계층은 상기 상위 메모리 계층에 의하여 참조되는 것이고, 상기 메모리 관리 유닛은 상기 메모리 시스템을 포함하는 사용자 단말의 일반 모드 동작시에 상기 제 2 서브 메모리에 저장된 데이터들 중 소정의 조건에 해당하는 데이터를 상기 제 1 서브 메모리에 미리 저장시킨다. |
| 개발상태 | 기술개발진행중 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | 스마트기기 |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 라이센스,기술협력,기술지도, |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제정보가 없습니다 |
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중요키워드
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| 심판사항 정보가 없습니다 |
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