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메모리-저장장치 단일 구조 운용 방법 및 이를 이용하는 비휘발성 메모리 장치

  • 기술번호 : KST2015012955
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비휘발성 메모리 셀의 상태를 동적할당영역 상태와 정적할당영역 상태 및 빈 상태로 구분하여 운용하는 메모리-저장장치 단일 구조 운용 방법에 관한 것이다.
Int. CL G06F 12/00 (2006.01) G06F 9/06 (2006.01)
CPC G06F 12/0238(2013.01) G06F 12/0238(2013.01) G06F 12/0238(2013.01)
출원번호/일자 1020140009749 (2014.01.27)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1473253-0000 (2014.12.10)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20141217) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.01.27)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김신덕 대한민국 경기 고양시 덕양구
2 이도헌 대한민국 서울 강동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 김신덕 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-0084766-77
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-0380618-94
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search
2014.04.24 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2014.05.07 수리 (Accepted) 9-1-2014-0034783-91
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0341042-94
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2014-0682233-14
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.07.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0682232-79
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0595970-73
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-1041967-29
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.10.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1041969-10
12 등록결정서
Decision to grant
2014.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0822040-07
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
비휘발성 메모리 셀; 및상기 비휘발성 메모리 셀에 추가되어 동적할당영역 및 정적할당영역을 구분하는 상태비트;를 포함하며,상기 상태비트는 상기 비휘발성 메모리 셀에 쓰기가 허용된 경우에는 동적할당영역 상태를 나타내고, 상기 비휘발성 메모리 셀에 쓰기가 허용되지 않은 경우에는 정적할당영역 상태를 나타내며,상기 비휘발성 메모리 셀이 동적할당영역 상태인 경우에는 상기 비휘발성 메모리 셀은 메인 메모리로써 동작하고,상기 비휘발성 메모리 셀이 정적할당영역 상태인 경우에는 상기 비휘발성 메모리 셀은 저장장치로써 동작하는 비휘발성 메모리 장치
4 4
제3항에 있어서,시스템이 파일을 생성하는 경우에는, 생성할 상기 파일이 저장된 비휘발성 메모리 셀의 상태 비트를 정적할당영역 상태로 변경하는 비휘발성 메모리 장치
5 5
제3항에 있어서,상기 상태 비트는상기 비휘발성 메모리 셀이 비어있는 경우에는 빈 상태를 나타내는 비휘발성 메모리 장치
6 6
제5항에 있어서,시스템이 파일을 삭제하는 경우에는, 상기 파일이 저장된 비휘발성 메모리 셀의 상태 비트를 빈 상태로 변경하는 비휘발성 메모리 장치
7 7
비휘발성 메모리 셀의 상태를 상기 비휘발성 메모리 셀에 추가된 상태 비트를 통해 동적할당영역 상태와 정적할당영역 상태 및 빈 상태로 구분하여 운용하며, 상기 비휘발성 메모리 셀이 동적할당영역 상태인 경우에는 상기 비휘발성 메모리 셀은 메인 메모리로써 동작하고,상기 비휘발성 메모리 셀이 정적할당영역 상태인 경우에는 상기 비휘발성 메모리 셀은 저장장치로써 동작하는 메모리-저장장치 단일 구조 운용 방법
8 8
제7항에 있어서,상기 동적할당영역 상태는 상기 비휘발성 메모리 셀에 쓰기가 허용된 상태임을 나타내고,상기 정적할당영역 상태는 상기 비휘발성 메모리 셀에 쓰기가 허용되지 않은 상태임을 나타내는메모리-저장장치 단일 구조 운용 방법
9 9
삭제
10 10
제7항에 있어서,운영체제에서 프로그램을 실행하는 경우 상기 운영체제는 상기 프로그램의 실행에 필요한 메모리를 정적 세그먼트와 동적 세그먼트로 구분하여 할당하는 메모리-저장장치 단일 구조 운용 방법
11 11
제10항에 있어서,상기 정적 세그먼트에는 정적할당영역 상태인 비휘발성 메모리 셀에 저장된 데이터를 맵핑하는 메모리-저장장치 단일 구조 운용 방법
12 12
제10항에 있어서,상기 동적 세그먼트에는 동적인 요소를 적재하되, 상기 동적 세그먼트는 동적할당영역 상태인 비휘발성 메모리 셀을 이용하는 메모리-저장장치 단일 구조 운용 방법
13 13
제12항에 있어서,상기 동적인 요소는 힙, 스택 중 적어도 어느 하나를 포함하는 메모리-저장장치 단일 구조 운용 방법
14 14
제12항에 있어서,상기 동적할당영역 상태인 비휘발성 메모리 셀이 부족한 경우, 빈 상태인 비휘발성 메모리 셀을 동적할당영역 상태로 변경하여 이용하는 메모리-저장장치 단일 구조 운용 방법
15 15
제 7항, 제 8항, 제 10항 내지 제 14항의 방법 중 어느 한 항의 방법을 수행하기 위한 컴퓨터로 읽을 수 있는 프로그램을 기록한 기록 매체
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.