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Ni/MH 2차전지의 전극 또는 전지를 KOH 전해질에 60내지 100
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순번
패밀리번호
국가코드
국가명
종류
1
US05874824
US
미국
FAMILY
DOCDB 패밀리 정보
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1
US5874824
US
미국
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특허 등록번호
10-0212180-0000
권리란
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표시번호
사항
1
출원 연월일 : 19960315
출원 번호 : 1019960007021
공고 연월일 : 19990802
공고 번호 :
특허결정(심결)연월일 : 19990225
청구범위의 항수 : 1
유별 : H01M 10/44
발명의 명칭 : 핫차징에 의한 NI/MH 2차전지의 활성화 처리방법
존속기간(예정)만료일 : 20040508
특허권자란
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순위번호
사항
1
(권리자)
한국과학기술원
대전광역시 유성구...
등록료란
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제 1 - 3 년분
금 액
126,000 원
1999년 05월 08일
납입
제 4 년분
금 액
75,000 원
2002년 05월 03일
납입
제 5 년분
금 액
75,000 원
2003년 04월 30일
납입
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번호
서류명
접수/발송일자
처리상태
접수/발송번호
1
대리인선임신고서
1996.03.15
수리 (Accepted)
1-1-1996-0032395-43
2
특허출원서
1996.03.15
수리 (Accepted)
1-1-1996-0032394-08
3
출원심사청구서
1996.03.15
수리 (Accepted)
1-1-1996-0032396-99
4
의견제출통지서
1998.10.14
발송처리완료 (Completion of Transmission)
1-5-1996-0011317-59
5
지정기간연장신청서
1998.12.11
수리 (Accepted)
1-1-1996-0802851-67
6
지정기간연장신청서
1998.12.11
수리 (Accepted)
1-1-1996-0802852-13
7
출원인정보변경(경정)신고서
1999.01.08
수리 (Accepted)
4-1-1999-0002352-05
8
의견서
1999.01.14
수리 (Accepted)
1-1-1999-5007434-03
9
명세서등보정서
1999.01.14
보정승인 (Acceptance of amendment)
1-1-1999-5007435-48
10
출원인정보변경(경정)신고서
1999.01.18
수리 (Accepted)
4-1-1999-0008675-76
11
출원인정보변경(경정)신고서
1999.02.06
수리 (Accepted)
4-1-1999-0030399-30
12
등록사정서
1999.02.25
발송처리완료 (Completion of Transmission)
9-5-1999-0057541-04
13
출원인정보변경(경정)신고서
1999.06.21
수리 (Accepted)
4-1-1999-0085486-82
14
출원인정보변경(경정)신고서
2004.01.14
수리 (Accepted)
4-1-2004-0001933-29
15
출원인정보변경(경정)신고서
2004.03.19
수리 (Accepted)
4-1-2004-0012166-74
16
출원인정보변경(경정)신고서
2013.02.01
수리 (Accepted)
4-1-2013-5019983-17
17
출원인정보변경(경정)신고서
2014.12.24
수리 (Accepted)
4-1-2014-5158129-58
18
출원인정보변경(경정)신고서
2014.12.24
수리 (Accepted)
4-1-2014-5157968-69
19
출원인정보변경(경정)신고서
2014.12.24
수리 (Accepted)
4-1-2014-5157993-01
20
출원인정보변경(경정)신고서
2019.04.24
수리 (Accepted)
4-1-2019-5081392-49
21
출원인정보변경(경정)신고서
2020.05.15
수리 (Accepted)
4-1-2020-5108396-12
22
출원인정보변경(경정)신고서
2020.06.12
수리 (Accepted)
4-1-2020-5131486-63
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