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질소-도핑 그래핀 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015116190
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 그래핀 산화물 분산액에 헥사메틸렌테트라아민을 혼입하는 단계; 및 상기 아민유도체가 혼입된 그래핀 산화물을 수열반응시켜 질소 도핑 그래핀을 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질소-도핑 그래핀 제조방법가 제공된다.
Int. CL C01B 31/02 (2006.01) H01L 21/283 (2006.01)
CPC C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01)
출원번호/일자 1020120120704 (2012.10.29)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1400441-0000 (2014.05.21)
공개번호/일자 10-2014-0054784 (2014.05.09) 문서열기
공고번호/일자 (20140627) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.10.29)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김종득 대한민국 대전 유성구
2 이정우 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 다해 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***, *층(삼성동,고운빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0884497-63
2 보정요구서
Request for Amendment		 2012.11.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0134892-42
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0946750-53
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.11.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.12.17 수리 (Accepted) 9-1-2013-0105871-19
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.01.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0028084-92
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2014-0114827-13
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.02.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0114828-58
10 등록결정서
Decision to grant		 2014.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0338774-14
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
그래핀 산화물 분산액에 헥사메틸렌테트라아민을 혼입하는 단계; 및 상기 헥사메틸렌테트라아민이 혼입된 그래핀 산화물을 수열반응시켜 질소 도핑 그래핀을 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질소-도핑 그래핀 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 수열반응에 따라 상기 그래핀 산화물은 환원됨과 동시에 상기 헥사메틸렌테트라아민으로부터의 질소가 도핑되는 것을 특징으로 하는 질소-도핑 그래핀 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 수열반응은 섭씨 100 내지 250도의 온도에서 진행되는 것을 특징으로 하는 질소-도핑 그래핀 제조방법
4 4
제 3항에 있어서, 상기 수열 반응은 3시간 이상 진행되는 것을 특징으로 하는 질소-도핑 그래핀 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 질소-도핑 그래핀 제조방법은, 상기 수열반응시키는 단계 후, 상기 얻어진 질소-도핑 그래핀을 건조시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질소-도핑 그래핀 제조방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 용매는 물, 에틸렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜, 트리에틸렌 글리콜, 디메틸 술폭사이드, 디메틸 포르마이드, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 펜탄올, 헥산올, N-메틸-2-피롤리돈 및 아세톤으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상인 친수성 용매인 것을 특징으로 하는 질소-도핑 그래핀 제조방법
7 7
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8 8
삭제
9 9
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10 10
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11 11
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12 12
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.