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기판 내에 구 형태로 형성되며, 내부 표면의 상부 및 하부가 서로 다른 전극 박막으로 코팅된 중공부;상기 기판 상에 형성된 캔틸레버;상기 중공부 내에 형성된 MR 유체; 및상기 캔틸레버의 일단에 형성되며, 상기 중공부 내에 삽입되되, 상기 중공부 내에 생성되는 자계에 따른 저항 반발을 이용하여 상하 진동하는 저항 진동 반발부;를 포함하며,상기 저항 진동 반발부는,실린더 형태의 절연소재로 형성되는 것을 특징으로 하는 MR 유체를 이용한 캔틸레버형 가속도계 센서
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제1항에 있어서,상기 저항 진동 반발부는,일단이 구 형태로 형성되고, 타단은 봉 형상을 갖는 실린더 형태인 것을 특징으로 하는 MR 유체를 이용한 캔틸레버형 가속도계 센서
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제1항에 있어서,상기 중공부는,적어도 MR 유체의 입자의 직경의 100배 이하의 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 MR 유체를 이용한 캔틸레버형 가속도계 센서
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제1항에 있어서,상기 기판 상에 인가되는 전류의 크기는,전도체의 상태가 변하지 않는 범위 내의 전류량을 모두 포함할 수 있는 것을 특징으로 하는 MR 유체를 이용한 캔틸레버형 가속도계 센서
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기판 내부에 자계를 발생시키는 원구 형태의 중공부를 형성하는 단계;상기 중공부 내에 실린더 형태의 저항 진동 반발부를 형성하는 단계;상기 저항 진동 반발부에 따라 미세 수직 이동하는 캔틸레버를 상기 기판 상부에 형성하는 단계; 및상기 중공부 내부에 MR 유체를 주입하는 단계;를 포함하는 MR 유체를 이용한 캔틸레버형 가속도계 센서 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 기판의 일단과 상기 캔틸레버의 일단이 척력에 따른 힘으로 이격시키는 제3 전극 박막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 MR 유체를 이용한 캔틸레버형 가속도계 센서
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제1항에 있어서,상기 기판은,실리콘(Si) 기판, 저마늄(Ge) 기판, 질화갈륨(GaN) 기판, 질화알루미늄(AlN)기판 , 인화갈륨(GaP) 기판, 인화인듐(InP) 기판, 갈륨 비소(GaAs) 기판, 실리콘 카바이드(SiC) 기판, 유리, 석영(Quartz) 기판, 산화실리콘/실리콘(SiO2/Si) 기판, 산화알루미늄(Al2O3) 기판, 산화 리튬알루미늄(LiAlO3) 기판과 산화 마그네슘(MgO) 기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 MR 유체를 이용한 캔틸레버형 가속도계 센서
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제1항에 있어서,상기 중공부의 하부에 코팅된 전극 박막은 제1 전극 박막으로서,스퍼터링(Sputtering), 상압 화학기상증착법(Atmosphere Pressure Chemical Vapor Deposition: APCVD), 저압 화학기상증착법(Low Pressure Chemical Vapor Deposition: LPCVD), 유기금속 화학기상증착법(Metal Organic Chemical Vapor Deposition: MOCVD) 중 어느 하나를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 MR 유체를 이용한 캔틸레버형 가속도계 센서
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제1항에 있어서,상기 중공부의 상부에 코팅된 전극 박막은 제2 전극 박막으로서스퍼터링(Sputtering), 상압 화학기상증착법(Atmosphere Pressure Chemical Vapor Deposition: APCVD), 저압 화학기상증착법(Low Pressure Chemical Vapor Deposition: LPCVD), 유기금속 화학기상증착법(Metal Organic Chemical Vapor Deposition: MOCVD) 중 어느 하나를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 MR 유체를 이용한 캔틸레버형 가속도계 센서
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제6항에 있어서, 상기 제3 전극 박막은,스퍼터링(Sputtering), 상압 화학기상증착법(Atmosphere Pressure Chemical Vapor Deposition: APCVD), 저압 화학기상증착법(Low Pressure Chemical Vapor Deposition: LPCVD), 유기금속 화학기상증착법(Metal Organic Chemical Vapor Deposition: MOCVD) 중 어느 하나를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 MR 유체를 이용한 캔틸레버형 가속도계 센서
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