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모노리딕직접회로위에박막또는후막단결정압전소자를집적한단일칩라디오구조및그제조방법

  • 기술번호 : KST2015119061
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기존의 모노리딕 집적 회로 공정이 끝난 실리콘 기판 위에 단결정 압전 물질을 접합시킨 후, 화학 기계적 연마를 거쳐 압전 결정의 두께를 조절한 후, 이 위에 표준적인 리소그라피 공정으로 탄성파 공진기, 필터 또는 인덕터등의 수동 회로 요소를 구성함으로써, 실리콘 기판 상의 집적 회로와 압전 결정 소자간의 연결을 용이하게 하고, 기존의 반도체 공정을 그대로 이용하여 기존의 집적 회로와 고성능 수동회로 소자를 집적시킬 수 있도록 한 모노리딕 집적 회로 위에 박막 또는 후막 단결정 압전 소자를 집적한 단일 칩 라디오 구조 및 그 제조 방법에 관한 것이다.본 발명은 지금까지 외부 소자로 사용되던 공진기 및 필터와 인덕터 등의 수동 회로 요소를 단일한 실리콘 기판 위에 구성함으로써, 각종 무선 단말기에서 이들이 점유하는 부피를 줄이고, 향후 단일 칩 라디오를 구현하는데 필요한 기본 구조를 제공한다.
Int. CL H04B 1/16 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019980046333 (1998.10.30)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0316383-0000 (2001.11.20)
공개번호/일자 10-2000-0028192 (2000.05.25) 문서열기
공고번호/일자 (20020219) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.10.30)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이귀로 대한민국 대전광역시 유성구
2 어윤성 대한민국 대전광역시 유성구
3 현석봉 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1998.10.30 수리 (Accepted) 1-1-1998-0387675-27
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.10.30 수리 (Accepted) 1-1-1998-0361205-95
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.10.30 수리 (Accepted) 1-1-1998-0361204-49
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.06.21 수리 (Accepted) 4-1-1999-0085486-82
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0186466-07
10 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.09.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5290060-28
11 의견서
Written Opinion		 2000.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2000-5290059-82
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2001.03.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0055987-78
13 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2001.05.12 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-5137325-67
14 의견서
Written Opinion		 2001.05.12 수리 (Accepted) 1-1-2001-5137324-11
15 등록결정서
Decision to grant		 2001.11.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0315447-67
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

단일한 실리콘 기판(101)과,

상기 실리콘 기판(101) 위에 기계적 연마에 의해 두께가 조절되어 접합된 압전 단결정층(104)과,

상기 압전 단결정층(104) 표면에 형성되는 표면 탄성파 필터 소자의 변환자 전극과 음파 반사기 전극 및 수동소자들과,

상기 실리콘 기판(101)상에 형성되어 있는 발진기(205) 및 하향 변환기(212), 복조기(213)를 적어도 포함하는 집적 회로와,

상기 압전 단결정층(104) 위에 형성된 소자들과 상기 실리콘 기판(101)상에 형성된 집적 회로간에 연결하는 금속선을 포함하여 이루어지는 모노리딕 집적 회로 위에 박막 또는 후막 단결정 압전 소자를 집적한 단일 칩 라디오 구조

2 2

모노리딕 집적 회로 위에 박막 또는 후막 단결정 압전 소자를 집적한 단일 칩 라디오 구조를 제조하는 방법으로서,

실리콘 기판(101)과 압전 단결정(104) 사이에 에폭시 층 또는 웨이퍼 접합기술을 이용하여 상기 실리콘 기판과 압전 단결정층을 접합하하는 단계와;

화학 기계적 연마 및 폴리싱 공정(CMP)으로 접합된 상기 압전 단결정(104)의 두께를 조절 및 평탄화하는 단계와;

상기 압전 단결정(104) 위에 금속 층을 형성하여 표면 탄성파 공진기와 필터, 인덕터 등의 수동 회로 요소를 접속하는 단계를 포함하는 모노리딕 집적 회로 위에 박막 또는 후막 단결정 압전 소자를 집적한 단일 칩 라디오 구조의 제조 방법

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP03197882 JP 일본 FAMILY
2 JP12151451 JP 일본 FAMILY
3 US06285866 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2000151451 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP3197882 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US6285866 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.